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時間分解分光測定によるIV族元素クラスターの表面反応と相転移の研究

使用时间分辨光谱研究 IV 族元素簇的表面反应和相变

基本信息

批准号：
08230204
负责人：
村上浩一
金额：
$ 1.15万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本年度は二通りのアプローチの研究を進めた.第一は(I)レーザーアブレーション法とパルス希ガス吹き付け法によりSiのクラスター形成を行い,そのクラスターと超微粒子(総称してナノクラスターと呼ぶ)形成の動的機構,及びSiO_2薄膜中のSiクラスターを時間分解レーザープラズマ軟X線吸収分光法により調べた.先ずSiとSiCのレーザーアブレーションでクラスター生成の動的機構を調べ,0から15μsまでの時間領域においても顕著なクラスター化は起こっていないことを明かにした.また,Siクラスターの軟X線吸収線については,SiO_X膜をポリカーボネート薄膜上に堆積し,レーザープラズマ軟X線吸収分光でその場測定して調べ,約105eVのSiO_2L_<II,III>吸収端よりエネルギーの低い領域で102.5eVから吸収が立ち上がり,103〜104eV付近にピークを持つ幅の広い吸収線を見い出した.これはSiO_X膜中の酸素欠損部分に存在するSiクラスターによるものと考えられる.第二は(II)シリコンナノクラスターの表面反応を調べるため,主にフーリエ変換型赤外吸収分光(FTIR)とフォトルミネッセンス(PL)により評価を行った.堆積膜を大気中に取り出した後,HF酸処理を行い,その後の経時変化を調べた.その結果,HF処理直後はナノクラスターの表面が水素タ-ミネーションされ,Si-HのIR吸収が観測され,その後,大気中での酸化により時間とともにSi-Hは減少し,S-O-SiのIR吸収が成長してくること,さらに,これに伴い1.6eVのPLが成長してくることが見い出された.

This year, the research on the two communication channels is progressing. The first one is (I) the mechanism for the formation of Si particles in SiO_2 thin films and the time decomposition method for the formation of Si particles in SiO_2 thin films. First, Si and SiC are separated from each other, and the mechanism of motion generation is adjusted. 0 ~ 15μs is the time domain. The SiO_2L_(II, III) soft X-ray absorption spectroscopy field measurements show that the SiO_2L_(II,III) absorption range is about 105eV, and the SiO_2L_(II,III) absorption range is about 102.5 eV. This paper discusses the existence of acid deficit in SiO_X films. The second phase (II) is the surface reflection of the first phase, the main phase is the infrared absorption spectroscopy (FTIR) and the second phase is the surface reflection of the second phase (PL). After the deposition of the film,HF acid treatment was carried out, and the time was adjusted. As a result, after HF treatment, the IR absorption of Si-H was measured. After HF treatment, the IR absorption of Si-H decreased, and the IR absorption of S-O-Si increased with the PL growth of 1.6 eV.