金属/シリコン界面の伝導電子プロ-ブによるシリコン内部からのESR評価

使用金属/硅界面处的传导电子探针从硅内部进行 ESR 评估

• 批准号: 02232208
• 负责人: 村上 浩一
• 金额: $ 0.77万
• 依托单位: University of Tsukuba
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1990
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1990 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-02232208/
• 关键词: 金属; シリコン界面; 結晶; GaAs; アモルファスGaAs; Y_1Ba_2Cu_3O_y; ドナ-・伝導電子のESR; スピン緩和変化

GaAs/Siヘテロ界面の研究を更に進めることを、新たに酸化物高温超伝導体薄膜/Si界面の研究を開始することの二点を行った。GaAs/Siヘテロ界面に関しては、試料として数種類の結晶GaAs/Si:P系とアモルファスGaAs/Si:P系をMBE及びMBD法によって作成した。この試料を4Kから250Kに亘る温度域でESR測定し、Si:P中のドナ-/伝導電子のESRスピン緩和の変化について調べた。この結果、スピン緩和の変化は、結晶GaAsよりアモルファスGaAsの方が大きくなること、更に、膜厚が厚い程、大きくなることを結論付けた。結晶GaAs/Si:P系に金属/半導体界面を形成するため金(Au)を蒸着してスピン緩和の変化を次に調べた。この実験で用いたSi:P中のドナ-濃度は2×10^<14>/cm^2と低いため変化が観測されなかったが、次年度に濃度を高くして再度実験を試み、金属/GaAs界面の情報を得る予定である。酸化物高温超伝導体としてはYBa_1Cu_2O_yを用いて、レ-ザ-アブレ-ション法によってSi:P上に薄膜を形成した。この実験から、600〜700℃の基板温度では、界面でSiとYBaCuO元素の相互拡散が約1000A^^ﾟの領域で起っていることが、ドナ-/伝導電子のスピン緩和の変化及びスピン量の変化を解析して明らかとなった。この結果はSIMSによる測定とも矛盾せず、本研究でより物理的な側面からの情報を得ることが分った。この系についての研究も更に次年度に続けてゆき、超伝導状態と常伝導との差で金属/半導体界面がどう変化するかを明らかにする予定である。

GaAs/Si ヘ テ ロ interface を more に の research into め る こ と を, new た に acidification of the high temperature and ultra 伝 conductor film/Si interface の study を start す る こ と の を line 2 o 'clock っ た. GaAs/Si ヘ テ ロ interface に masato し て は, try と し て several kinds の crystallization GaAs/Si: P series と ア モ ル フ ァ ス GaAs/Si: P series を MBE and び MBD method に よ っ て made し た. こ の sample を 4 k か ら 250 k に animation る temperature field で ESR measurement し, Si, P in の ド ナ - / 伝 guide electronic の ESR ス ピ ン ease の variations change に つ い て adjustable べ た. こ の results, ス ピ ン ease の - は and crystallization GaAs よ り ア モ ル フ ァ ス GaAs の party が big き く な る こ と, more に, film thickness が thick い cheng, big き く な る こ と を conclusion pay け た. Crystallization of GaAs/Si: P に metal/semiconductor interface を す る た め gold (Au) を steamed し て ス ピ ン ease の variations change に を time adjustable べ た. こ の be 験 で with い た Si: P in の ド ナ - concentration は 2 x 10 ^ 14 > < / cm ^ 2 と low い た め variations change が 観 measuring さ れ な か っ た が, high concentration times annual に を く し て again be 験 を み, interface of metal/GaAs の intelligence を る designated で あ る. Acidification content high temperature super conductor 伝 と し て は YBa_1Cu_2O_y を with い て, レ ザ - ア ブ レ - シ ョ ン method に よ っ て Si: P を に film formed on し た. こ の be 験 か ら, 600 ~ 700 ℃ の substrate temperature で は, interface で Si と YBaCuO element の scattered が mutual company, about 1000 a ^ ^ ゚ で の field up っ て い る こ と が, ド ナ - / 伝 guide electronic の ス ピ ン ease の variations and び ス ピ ン quantity の variations change を parsing し て Ming ら か と な っ た. こ の results は SIMS に よ る determination と も contradiction せ ず, this study で よ り physical な profile か ら の intelligence を る こ と が points っ た. こ の is に つ い て の も more に annual に 続 け て ゆ き, super 伝 guide state と often 伝 guide と の poor で metal/semiconductor interface が ど う variations change す る か を Ming ら か に す る designated で あ る.

项目成果

K.Murakami,H.Kuribayashi,K.Hara and K.Masuda: "Motional Effects and Optical Pumping Effects of ottーcenter Substitutional Nitrogen in Silicon" Proc.Intern.Conf.on Defect Control in Semiconductors. 447-452 (1990)

K.Murakami、H.Kuribayashi、K.Hara 和 K.Masuda：“硅中 ottocenter 取代氮的运动效应和光学泵浦效应”Proc.Intern.Conf.on 半导体缺陷控制 (1990)。

村上 浩一: "半導体研究へのレ-ザ-プラズマX線の応用" レ-ザ-研究. 18. 959-963 (1990)

Koichi Murakami：“激光等离子体 X 射线在半导体研究中的应用”激光研究 18. 959-963 (1990)。

村上 浩一: "半導体中不純物の準安定性/双安定性" 日本物理学会誌. 46. (1991)

村上浩一：“半导体中杂质的亚稳定性/双稳定性”，日本物理学会杂志 46。（1991 年）

村上 浩一,升田 公三: "レ-ザ-アブレ-ション法による超伝導薄膜の作成" ニュ-セラミックス. 3. (1990)

Koichi Murakami、Kozo Masuda：“用激光烧蚀法制造超导薄膜”，《新陶瓷》3。（1990）

H.Chiba,K.Murakami,O.Eryu,K.Shioyama,T.Mochizuki,K.Masuda: "Laser Excitation Effects on Laser Ablated Particles in Fabrication of High Tc Superconducting Thin Films" Jpn.J.Appl.Phys.30. L443-445 (1991)

H.Chiba,K.Murakami,O.Eryu,K.Shioyama,T.Mochizuki,K.Masuda：“高温超导薄膜制造中激光激发对激光烧蚀颗粒的影响”Jpn.J.Appl.Phys.30