课题基金 / 基金详情

半導体結晶中の水素分子の制御と分子メモリー

半導体結晶中の水素分子の制御と分子メモリー
半导体晶体中氢分子的控制和分子记忆
批准号：
10875066
负责人：
村上 浩一
金额：
$1.28万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
1998
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1998 至 1999
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-10875066/
关键词：
水素分子シリコン多原子空孔ラマン散乱水素分子の生成過程水素分子の消滅過程アニール効果状態制御多原子空孔内水素分子四面体格子間位置水素分子プレートレット水素分子

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
半導体、特にシリコン結晶中でこれまでに見出されている水素分子H2は、1)四面体格子間Td位置のH2(II)、2)プレートレット中のH2(I)、および本研究で見出された3)多原子空孔に捕まったH2(III)である。本研究では、これらの水素分子を電子励起などにより、状態を準安定な水素分子に可逆に変換することを試みることが最終的な目標であった。しかし、その研究に進むまでに、初年度に見出したH2(III)の構造および電子励起した場合の熱効果を調べておくことが重要である。そのため、本年度はさらにH2(III)の熱的安定性を詳細に検討した。具体的には、イオン注入した結晶シリコンを水素原子処理を施し、H2(III)の形成を行う。その後、熱アニールを行って、H2(III)を消滅させる。このように、ラマンシフトが約3820cm-1に観測されるH2(III)の形成過程および温度上昇による消滅過程をラマン散乱測定法によって調べた。その結果、1)3820cm-1(H2(III))と4160cm-1(H2(I))の水素分子の形成には反相関関係があること、2)3820cm-1の水素分子は水素に終端された二つの空孔(V2H6)に束縛された水素分子であること、また3)消滅し始める温度は150℃以上であること、4)消滅の活性化エネルギーは0.77eVと求まり、そのエネルギー障壁を乗り越えて、V2H6からの束縛を逃れることが明らかになった。
英文摘要
半導体、特にシリコン結晶中でこれまでに見出されている水素分子H2は、1)四面体格子間Td位置のH2(II)、2)プレートレット中のH2(I)、および本研究で見出された3)多原子空孔に捕まったH2(III)である。本研究では、これらの水素分子を電子励起などにより、状態を準安定な水素分子に可逆に変換することを試みることが最終的な目標であった。しかし、その研究に進むまでに、初年度に見出したH2(III)の構造および電子励起した場合の熱効果を調べておくことが重要である。そのため、本年度はさらにH2(III)の熱的安定性を詳細に検討した。具体的には、イオン注入した結晶シリコンを水素原子処理を施し、H2(III)の形成を行う。その後、熱アニールを行って、H2(III)を消滅させる。このように、ラマンシフトが約3820cm-1に観測されるH2(III)の形成過程および温度上昇による消滅過程をラマン散乱測定法によって調べた。その結果、1)3820cm-1(H2(III))と4160cm-1(H2(I))の水素分子の形成には反相関関係があること、2)3820cm-1の水素分子は水素に終端された二つの空孔(V2H6)に束縛された水素分子であること、また3)消滅し始める温度は150℃以上であること、4)消滅の活性化エネルギーは0.77eVと求まり、そのエネルギー障壁を乗り越えて、V2H6からの束縛を逃れることが明らかになった。
期刊论文(1)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
M.Kitajima 他: "Effects of Crystal Disorder on the Molecular Hydrogen Formation in Si" Proc.EMRS(ヨーロッパMRS). (印刷中).
M. Kitajima 等人：“晶体无序对硅中分子氢形成的影响”Proc. EMRS（欧洲 MRS）（出版中）。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
光デバイスとしてサイズ選択したシリコンナノ微粒子薄膜のパルスレーザーを用いた堆積
  • 批准号：
    97F00502
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $0.77万
  • 财政年份：
    1998
  • 负责人：
    村上 浩一
  • 依托单位：
    University of Tsukuba
時間分解測定によるシリコンクラスターの表面反応と光ルミネッセンス
  • 批准号：
    09216202
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.02万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    村上 浩一
  • 依托单位：
    University of Tsukuba
時間分解分光測定によるIV族元素クラスターの表面反応と相転移の研究
  • 批准号：
    08230204
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.15万
  • 财政年份：
    1996
  • 负责人：
    村上 浩一
  • 依托单位：
    University of Tsukuba
時間分解分光測定によるIV族元素クラスターの表面反応と相転移の研究
  • 批准号：
    07240205
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.6万
  • 财政年份：
    1995
  • 负责人：
    村上 浩一
  • 依托单位：
    University of Tsukuba
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