近接場光加工の大面積化に関する研究

大面积近场光学处理研究

基本信息

批准号：
12131202
负责人：
羽根一博
金额：
$ 18.75万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2000
资助国家：
日本
起止时间：
2000 至 2003
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究の目的は近接場光加工の大面積化技術の研究を行うこと,特に具体的目標として,光メモリへ応用することである.集積型プローブの並列化を実現することが重要である.加えて媒体用マイクロステージ機構(マイクロメディアスキャナ)を開発することが重要である.本年度はマイクロステージとして,スクラッチドライブアクチュエータ(SDA)のアレイを駆動源とするマイクロステージを設計・製作した.表面マイクロマシニングにより製作したSADでは残留応力の影響を受けるので,SOIウエハの上層結晶シリコンを用いたSDAによるマイクロステージを設計,製作した.SOIの基板層をステージとして,搬送動作を実現した.ステージを乗せる基板にSDAが接触する配線を施すことで,ステージへ直接接続する針金が不要となり,ステージの移動における制約を取り除いた.また再現性の高いステージを実現するため,弾性ヒンジ構造とくし型アクチュエータを組み合わせたステージを設計し試作した.ステージの移動距離を拡大できるようにバネとくし型アクチュエータを設計し100μm程度の大変位を実現できた.さらに,集積化システムをリソグラフィにより実現するため,レジスト噴霧法を開発してきたが,段差面への塗布におけるピンホールの発生特性を明らかにし,ピンホールのないレジスト塗布法を開発した.これらの技術は本研究の目的の集積化において極めて重要な技術である.

这项研究的目的是研究用于近场光学处理的大面积技术，并将其应用于光学记忆作为特定目标。重要的是要实现集成探针的并行化。此外，重要的是开发培养基的微型阶段机制（微型扫描仪）。今年，我们使用一系列的刮擦驱动执行器（SDAS）设计和制造了微型阶段，作为微型阶段。由于表面微加工制造的SAD受残留应力的影响，因此我们使用SOI晶圆的上层硅设计并制造了SDA的微型阶段。使用SOI底物层作为阶段，我们意识到了转移操作。通过将布线应用于与SDA接触的板上，不再需要直接连接到舞台的电线，并且移动舞台的限制将被删除。为了达到高度可重复的阶段，设计和原型设计了一个结合弹性铰链结构和梳子执行器的阶段。弹簧和梳子执行器的设计以增加阶段的移动距离，达到了大约100μm的范围。此外，为了通过光刻实现集成系统，已经开发了一种抗药性喷雾方法，并开发了针孔，并开发了针孔。这些技术对于整合这项研究的目的非常重要。