近接場光加工の大面積化に関する研究

大面积近场光学处理研究

• 批准号: 12131202
• 负责人: 羽根 一博
• 金额: $ 18.75万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2000 至 2003
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-12131202/
• 关键词: 近接場光; ナノメートル; マイクロマシニング; ナノマシニング; プローブ; マイクロアクチュエータ; プローブ技術; プローブアレイ; 表面マイクロマシニング; ナノメートル加工

本研究の目的は近接場光加工の大面積化技術の研究を行うこと,特に具体的目標として,光メモリへ応用することである.集積型プローブの並列化を実現することが重要である.加えて媒体用マイクロステージ機構(マイクロメディアスキャナ)を開発することが重要である.本年度はマイクロステージとして,スクラッチドライブアクチュエータ(SDA)のアレイを駆動源とするマイクロステージを設計・製作した.表面マイクロマシニングにより製作したSADでは残留応力の影響を受けるので,SOIウエハの上層結晶シリコンを用いたSDAによるマイクロステージを設計,製作した.SOIの基板層をステージとして,搬送動作を実現した.ステージを乗せる基板にSDAが接触する配線を施すことで,ステージへ直接接続する針金が不要となり,ステージの移動における制約を取り除いた.また再現性の高いステージを実現するため,弾性ヒンジ構造とくし型アクチュエータを組み合わせたステージを設計し試作した.ステージの移動距離を拡大できるようにバネとくし型アクチュエータを設計し100μm程度の大変位を実現できた.さらに,集積化システムをリソグラフィにより実現するため,レジスト噴霧法を開発してきたが,段差面への塗布におけるピンホールの発生特性を明らかにし,ピンホールのないレジスト塗布法を開発した.これらの技術は本研究の目的の集積化において極めて重要な技術である.

The purpose of this study is to study the large-scale active technology of light processing, especially for specific purposes. The centralization and parallelization of information systems shows that they are very important. Increase the number of important information provided by the media through the use of other information institutions (such as local government agencies). For the current year, there is a significant increase in the number of health issues in the current year. This year, there is a significant increase in the number of people who are not responsible for the current year. This year, there is a significant increase in the number of people in the current year. This year, there is a significant increase in the number of people who are not required to participate in the current year. The effect of the residual force on the surface of the SAD is affected by the impact. On the SOI, the results show that the residual force is affected. The device is designed to perform the operation of the SOI substrate, and the transport operation is realized. Do not make contact with the substrate, SDA, cable, contact, contact, If you do not have any information, you will not be able to do so. If you do not know how to do so, you will not be able to do so. The device is designed to be 100 μ m high in size and low in size. It is necessary to improve the performance of the system, such as the operation of the system, the operation of the system. The purpose of this study is to focus on the promotion of important technical skills.

项目成果

佐々木実, 能川真一郎, 羽根一博: "立体的マイクロマシニングのためのレジストスプレーコーティング"電気学会論文誌E. 121-E. 235-243 (2002)

Minoru Sasaki、Shinichiro Nokawa、Kazuhiro Hane：“用于三维微加工的抗蚀剂喷涂”日本电气工程师学会会刊 E. 121-E. 235-243 (2002)

Y.Kanamori, H.Yahagi, T.Ono, M.Sasaki, K.Hane: "Fabrication of high accuracy micro-translation-table for near-field optical data storage actuated by inverted-scratch-drive-actuators"Japanese Journal of Applied Physics. (印刷中). (2003)

Y.Kanamori、H.Yahagi、T.Ono、M.Sasaki、K.Hane：“由反向刮擦驱动执行器驱动的近场光学数据存储用高精度微转换表的制作”日本期刊应用物理学（正在出版）（2003）。

Y.Kanamori,K.Hane,H.Sai,H.Yugami: "100nm period silicon antireflection structures fabricated using a porous alumina membrane mask"Applied Physics Letters. 78・2. 142-143 (2001)

Y.Kanamori、K.Hane、H.Sai、H.Yugami：“使用多孔氧化铝膜掩模制造的 100nm 周期硅抗反射结构”应用物理快报 78・2（2001）。

V.-K.Singh, M.Sasaki, J.-H.Song, K.Hane: "Heating Effect on Photoresist in Spray Coating Technique for Three-Dimentional Lithography"Japanese Journal of Applied Physics. 42,6B. 4027-4030 (2003)

V.-K.Singh、M.Sasaki、J.-H.Song、K.Hane：“三维光刻喷涂技术中光刻胶的热效应”日本应用物理学杂志。

S.Kumagai,M.Sasaki,M.Koyanagi,K.Hane: "Laser-Induced Fluorescence Measurement of Metastable Chlorine Ion Temperature in Time-Modulated Inductively coupled Plasma"Journal of Electrochem Society. 147. 3070-3073 (2000)

S.Kumagai，M.Sasaki，M.Koyanagi，K.Hane：“时间调制电感耦合等离子体中亚稳态氯离子温度的激光诱导荧光测量”电化学学会杂志。