Nano-structure functional devices based Ge-based channels

基于Ge基通道的纳米结构功能器件

• 批准号: 18063005
• 负责人: TAKAGI Shinichi
• 金额: $ 69.38万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18063005/
• 关键词: ゲルマニウム; MOSFET; GOI; 移動度; 面方位; スピン; 強磁性

In order to realize high performance Ge devices, (110)-oriented Ge-On-Insulator structures have been realized and high hole mobility pMOSFETs have been fabricated on the structures. Also, the formation and the evaluation of thermal oxidation GeO2/Ge MOS structures have revealed the superior MOS interfaces with low density of interface states. In addition, high electron and hole mobility have been realized in MOSFETs using this interface. Also, the effectiveness of atomic hydrogen annealing has been demonstrated for reducing the leakage current of Ge devices.The development of half-metal Source/Drain technologies for Ge MOSFETs using full heusler alloys has been conducted. A method of rapid thermal annealing for epitaxial Ge/ultrathin SOI/buried oxide/Si has been proposed and has realized highly-ordered Go2FeGe layers.

为了实现高性能的Ge器件，人们实现了（110）取向的Ge-On-Insulator结构，并在此结构上制备了高空穴迁移率的pMOSFET。热氧化GeO_2/Ge MOS结构的形成和评价揭示了具有低界面态密度的上级MOS界面。此外，高电子和空穴迁移率已实现在MOSFET中使用该接口。此外，原子氢退火对降低Ge器件漏电流的有效性也得到了证实。我们还开展了全Heusler合金Ge MOSFET半金属源漏工艺的研究。本文提出了一种快速热退火外延Ge/SOI/埋氧/Si的方法，实现了高有序的Ge_2Fe_Ge层。

项目成果

Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical Metal-Oxide-Semiconductor Interfaces by using Metal Source/Drain Ge-On-Insulator Metal-Oxide- Semiconductor Field-Effect Transistors

使用金属源/漏极绝缘体上金属氧化物半导体场效应晶体管评估相同金属氧化物半导体界面的电子和空穴迁移率

• 发表时间: 2009
• 期刊: Jpn. J. Appl. Phys. vol.48,no.4
• 作者: K. Morii;S. Dissanayake;S. Tanabe;R. Nakane;M. Takenaka;S. Sugahara;S. Takagi
• 通讯作者: S. Takagi

High Performance Ge MOS Device Technologies (invited)

高性能Ge MOS器件技术（受邀）

• 发表时间: 2009
• 作者: S. Takagi

High Performance (110)-oriented GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique

采用 Ge 凝聚技术制造的高性能 (1​​10) GOI pMOSFET

• 发表时间: 2009
• 作者: S. Dissanayake;S. Sugahara;M. Takenaka;S. Takagi
• 通讯作者: S. Takagi

Spin-functional MOSFETs (invited)

自旋功能MOSFET（受邀）

• 发表时间: 2009
• 作者: S. Sugahara

スピントランジスタによる新しいエレクトロニクスの展開

使用自旋晶体管开发新型电子产品

• 发表时间: 2009
• 作者: M.Takenaka;M.Sugiyama;Y.Nakano;S.Takagi;菅原聡
• 通讯作者: 菅原聡