量子スピンホール効果を示す物質の探索
量子スピンホール効果を示す物質の探索
批准号:
19019004
负责人:
村上 修一
金额:
$1.34万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2008
中文摘要
量子スピンホール相を示す物質を、半金属ビスマスの関連物質を中心に探索した。この相は非磁性絶縁体のうちでZ_2トポロジカルナンバーが奇数であるものを探せばよい。我々は以前、1-bilayer(111)ビスマス薄膜が量子スピンホール相を示すという予想を行ったが、これは非常に単純化された模型に基づいており、実際の実験と関係付けるためには物質に即した第一原理計算が必要である。このため今年度は第一原理計算の助けを借りて精密な計算を行った。ビスマス薄膜のうち絶縁性をしめすのは(i)(111)1-bilayer薄膜、(ii){012}2-monolayer薄膜の2種であり、これらについて計算をした結果、(i)は量子スピンホール相となるが、(ii)はそうでなく通常の絶縁相であることが分かった。なお(ii)の場合は空間反転対称性がない結晶構造のため、相を同定するためのZ_2トポロジカルナンバーの計算が厄介である。これについてはいくつかの等価な計算式が知られているが、実際数値計算をしようとすると複数の方法の間に優劣が生じる。この点については格子ゲージ理論から提唱された計算の枠組みが知られており、試行錯誤の結果この計算法が非常にうまくいき、短時間で信頼できる結果が出せることが分かった。またこれらの系でのエッジ状態の計算も行い、エッジ状態の時間反転対の個数が(i), (ii)でそれぞれ奇数、偶数となり上記の相の分類と一致することを確かめた。これらのエッジ状態は、理論的に予測されているとおりスピン偏極している。スピン偏極の向きはほぼ薄膜面に垂直であるが、10-20%程度薄膜面の法線方向から傾いている。この結果は良質の薄膜が作成できれば実証可能であると考えられる。
英文摘要
量子スピンホール相を示す物質を、半金属ビスマスの関連物質を中心に探索した。この相は非磁性絶縁体のうちでZ_2トポロジカルナンバーが奇数であるものを探せばよい。我々は以前、1-bilayer(111)ビスマス薄膜が量子スピンホール相を示すという予想を行ったが、これは非常に単純化された模型に基づいており、実際の実験と関係付けるためには物質に即した第一原理計算が必要である。このため今年度は第一原理計算の助けを借りて精密な計算を行った。ビスマス薄膜のうち絶縁性をしめすのは(i)(111)1-bilayer薄膜、(ii){012}2-monolayer薄膜の2種であり、これらについて計算をした結果、(i)は量子スピンホール相となるが、(ii)はそうでなく通常の絶縁相であることが分かった。なお(ii)の場合は空間反転対称性がない結晶構造のため、相を同定するためのZ_2トポロジカルナンバーの計算が厄介である。これについてはいくつかの等価な計算式が知られているが、実際数値計算をしようとすると複数の方法の間に優劣が生じる。この点については格子ゲージ理論から提唱された計算の枠組みが知られており、試行錯誤の結果この計算法が非常にうまくいき、短時間で信頼できる結果が出せることが分かった。またこれらの系でのエッジ状態の計算も行い、エッジ状態の時間反転対の個数が(i), (ii)でそれぞれ奇数、偶数となり上記の相の分類と一致することを確かめた。これらのエッジ状態は、理論的に予測されているとおりスピン偏極している。スピン偏極の向きはほぼ薄膜面に垂直であるが、10-20%程度薄膜面の法線方向から傾いている。この結果は良質の薄膜が作成できれば実証可能であると考えられる。
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量子スピンホール相と絶縁相との間の相転移
量子自旋霍尔相与绝缘相之间的相变
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[村上修一, 磯暁, Yshai Avishai, 小野田勝, 永長直人]
通讯作者:
永長直人
DOI:
10.1103/physrevb.78.165313
发表时间:
2008-10-01
期刊:
PHYSICAL REVIEW B
影响因子:
3.7
作者:
[Murakami, Shuichi, Kuga, Shun-ichi]
通讯作者:
Kuga, Shun-ichi
トポロジカルな超伝導とエッジ状態
拓扑超导和边缘态
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. Murakami, M. Wada, F. Freimuth and G. Bihlmayer, 村上修一, 村上修一, 村上修一, 村上修一, 村上修一, 村上修一, 村上修一, 村上修一, 村上修一, 村上修一]
通讯作者:
村上修一
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
Physical Review B 78
影响因子:
--
作者:
[Shuichi Murakami, Shun-ichi Kuga]
通讯作者:
Shun-ichi Kuga
ビスマスにおける量子スピンホール効果とエッジ状態の理論
铋中的量子自旋霍尔效应和边缘态理论
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[小鷹浩毅, 石井史之, (他5名, 2番目), Shuichi Murakami, Mikito Koshino, Shinichi Tomimoto, 村上修一]
通讯作者:
村上修一
共 29 条
New frontiers in materials science based on comparisons and integrations between topological materials and metamaterials
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批准号:22H00108
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$26.71万
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财政年份:2022
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负责人:村上 修一
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依托单位:
Relationship between crystal shapes and bound states/charges at the boundaries of topological insulators
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批准号:22K18687
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.08万
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财政年份:2022
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负责人:村上 修一
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依托单位:
気候変動時代に大阪湾岸で水とともに暮らす新しい沿岸空間モデルの構築と提案
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批准号:21K05656
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.41万
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财政年份:2021
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负责人:村上 修一
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依托单位:
森林汚染モニタリングにむけた新規高感度センサーの開発
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批准号:06J09748
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.79万
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财政年份:2006
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负责人:村上 修一
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依托单位:
半導体における電場誘起スピン電流とベリー位相
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批准号:16740167
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$1.98万
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财政年份:2004
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负责人:村上 修一
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依托单位:
強相関電子系における多重臨界現象
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批准号:13740206
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$0.83万
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财政年份:2001
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负责人:村上 修一
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依托单位:
成人T細胞性白血病(ATLL)の発症におけるIL-10の関与
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批准号:08770351
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1996
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负责人:村上 修一
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依托单位:
海外基金