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反応性プラズマによるシリコン膜表面の化学反応性制御

反応性プラズマによるシリコン膜表面の化学反応性制御
使用反应等离子体控制硅膜表面的化学反应性
批准号：
63632510
负责人：
清水 勇
金额：
$1.73万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1988
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1988 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-63632510/
关键词：
シリコン薄膜低温成膜エピタキシャル成長アモルファス・シリコン

项目摘要

项目成果

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反応性プラズマを利用したシリコンの低温成膜技術に必要な非平衡プロセス制御技術開発の一環として、基板上でのシリコン網目構造(Si-NW)形成過程とその制御方法に関する検討を行った。プラズマ中で、シラン、及びテトラフロロシランを分解して得たエリコン系ラジカルを前駆体として、基板上にSi薄膜を堆積し、その化学組成、及び構造とプラズマ、及び基板反応制御因子との関係を求めた。その結果、テトラフロロシランを原料とする場合は、水素による部分還元反応によって形成される前駆体(SiHnFm,n+m=3)が膜堆積に有効であり、シランからの堆積では、SiHn(n≦3)が前駆体となることが分かった。これらの中性ラジカルは基板上での付着反応の後、Si-NWw形成のための架橋反応を起こす。その際、原子状水素の供給がこの反応を著しく促進する事実を見い出し、Si-NWをアモルファスから結晶まで連続的に制御することができることを見い出した。また、F元素の存在はその水素との強い相互作用(クーロン引力)によって、Si-NW形成反応速度を著しく増加し、高速堆積時(20A/S)においても結晶シリコンを300℃程度の低温基板上で形成できることを見い出した。さらに、基板上でのSi-NW形成反応の動力学解析を試み、この反応に関わる水素の特異性、及びハロゲン(F,Cl)の役割などを明らかにし、基板上での架橋反応が、これら前駆体中に含まれるシリコン以外の元素の化学反応性に強い影響を受け進行していることが分かった。その結果、300℃の低温基板上でSi単結晶のエピタキシャル成長を実現し、高品質アモルファス・シリコン薄膜と同時に将来性の高い堆積技術の道を開拓した。
期刊论文(8)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
I.Shimizu: Proc.Jpn.Symp.Plasma Chem.1. 137-144 (1988)
I.清水：Proc.Jpn.Symp.Plasma Chem.1。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
M.Azuma;H.Shirai;J.Hanna;I.Shimizu: Mat.Res.Soc.
M.Azuma；H.​​Shirai；J.Hanna；I.Shimizu：Mat.Res.Soc。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
M.Azuma;H.Shirai;J.Hanna;I.Shimizu: Jpn.J.Appl.Phys.
M.Azuma；H.​​Shirai；J.Hanna；I.Shimizu：Jpn.J.Appl.Phys。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
H.Tanabe;H.Shirai;J.Hanna;I.Shimizu: Mat.Res.Soc.
H.Tanabe；H.Shirai；J.Hanna；I.Shimizu：Mat.Res.Soc。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
50年間暗黒条件下で継代飼育したショウジョウバエの遺伝子変異と行動に関する研究
  • 批准号：
    16657069
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $1.34万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    清水 勇
  • 依托单位：
    Kyoto University
アモルファス・シリコンの中距離構造の制御と新機能創成
  • 批准号：
    11120215
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 资助金额：
    $1.28万
  • 财政年份：
    1999
  • 负责人：
    清水 勇
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
アモルファス・シリコンの中距離構造の制御と光電流増倍効果
  • 批准号：
    09239214
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.28万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    清水 勇
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
アモルファス・シリコンの中距離構造の制御と新機能創成
  • 批准号：
    10133214
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 资助金额：
    $1.28万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    清水 勇
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
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