原子状水素制御によるZnSe結晶成膜に関する研究
原子状水素制御によるZnSe結晶成膜に関する研究
批准号:
63604527
负责人:
清水 勇
金额:
$1.66万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1988
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1988 至 --
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英文摘要
プラズマ分解によって形成した原子状水素の化学反応性を利用し、ジエチル亜鉛(DEZn)、及びシエチルセレン(DESe)、あるいはDETeなど有機金属化合物を原料として、ZnSe、ZnTeの結晶膜の低温ヘテロエピタキシャル成長技術の基礎研究を行った。その結果、基板温度、200℃程度で、GaAs(100)結晶上に、ZnSe、ZnTe結晶のエピタキシャル成長を行うことができた。膜堆積に関する動力学解析より、両化合物いづれの場合においても、負の活性化エネルギーに示される特異な擬似平衡が形成されていることが明らかになり、低温成膜のための足掛を得ることができた。また、異種基板上に堆積するヘテロエピタキシャル成長技術では、基板材料と目的とする薄膜の膨張係数の違いより、高い基板温度から冷却する際に格子歪みを生ずる。基板温度の低温化は、この格子歪みを出来るだけ少なくする意味でも大切であるが、ZnSe(ZnTe)/GaAs系における格子緩和過程について系統的に検討を加えた。その結果、ZnSe/GaAs系では、1μm厚以上までGaAs基板の格子定数に合致されたコヒーレント成長が観測され、基板温度の低減がその原因であることが分かった。また、格子定数の差の大きなZnTe/GaAs系においてはコヒーレント成長は認められず、この温度域でも格子緩和はすでに完了しているものと思われる。さらに、点血陥制御のためには、II/VI原料比を変え、質量作用律による欠陥低減技術が必要となるので、II/VI原料比を1/2≦(II/VI)≦2の領域で変え成膜を行い、ヘテロエピタキシャル成長を確認した。その結果、II/VI<1の条件で自由励起子による発光の認められるZnSe薄膜が得られた。
期刊论文(4)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
J.Gotoh;J.Katano;H.Shirai;J.Hanna;I.Shimizu: Jpn.J.Appl.Phys.
J.Gotoh;J.Katano;H.Shirai;J.Hanna;I.Shimizu:Jpn.J.Appl.Phys。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
J.Gotoh;H.Shirai;J.Hanna;I.Shimizu: Proc.Jpn.Symp.Plasma Chem.1. 61-66 (1988)
J.Gotoh;H.Shirai;J.Hanna;I.Shimizu:Proc.Jpn.Symp.Plasma Chem.1。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
50年間暗黒条件下で継代飼育したショウジョウバエの遺伝子変異と行動に関する研究
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批准号:16657069
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2004
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负责人:清水 勇
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依托单位:
アモルファス・シリコンの中距離構造の制御と新機能創成
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批准号:11120215
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1999
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负责人:清水 勇
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依托单位:
アモルファス・シリコンの中距離構造の制御と光電流増倍効果
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批准号:09239214
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1997
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负责人:清水 勇
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依托单位:
アモルファス・シリコンの中距離構造の制御と新機能創成
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批准号:10133214
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1997
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负责人:清水 勇
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依托单位:
アモルファス・シリコン薄膜における低ノイズ・アバランシェ増幅機能の発現
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批准号:08875004
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1996
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负责人:清水 勇
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依托单位:
二次元規則性アロイIIVI族化合物結晶の作製と新機能発現
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批准号:04205037
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1992
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负责人:清水 勇
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依托单位:
化学反応制御による半導体超微粒、超薄膜結晶の作製と新物性
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批准号:03205036
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1991
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负责人:清水 勇
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依托单位:
化学反応制御による半導休超微粒、超薄膜結晶の作製と新物性
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批准号:02205039
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1990
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负责人:清水 勇
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依托单位:
プラズマ・固体界面の化学反応観測とその制御
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批准号:02214208
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.24万
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财政年份:1990
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负责人:清水 勇
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依托单位:
原子状水素制御によるZnSe結晶の低温成膜に関する研究
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批准号:01604532
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1989
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负责人:清水 勇
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依托单位:
低圧プラズマ内でのシリコン網目形成反応
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批准号:01632508
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1989
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负责人:清水 勇
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依托单位:
反応性プラズマによるシリコン膜表面の化学反応性制御
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批准号:63632510
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.73万
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财政年份:1988
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负责人:清水 勇
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依托单位:
水素ラジカルCVD法によるznse,zns薄膜結晶の低温成長
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批准号:62604544
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1987
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负责人:清水 勇
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依托单位:
カイコの光周性反応で機能する光受容色素の同定
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批准号:59540459
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1984
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负责人:清水 勇
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依托单位:
大面積アモルファスシリコンの迅速堆積法に関する研究
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批准号:57850005
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:1982
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负责人:清水 勇
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依托单位:
大面積光電変換デバイス用半導体薄膜の総合評価に関する研究
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批准号:56460050
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.38万
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财政年份:1981
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负责人:清水 勇
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依托单位:
アモルファス半導体薄膜のイメージング技術への応用のための基礎研究
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批准号:56211018
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.73万
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财政年份:1981
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负责人:清水 勇
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依托单位:
アモルファス半導体薄膜のイメージング技術への応用のための基礎研究
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批准号:X00040----521522
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1980
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负责人:清水 勇
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依托单位:
自己評価と個の学習の成立との関連に視点をあてた個に応じた授業の実証的研究
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批准号:X00220----590709
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (B)
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资助金额:$0.13万
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财政年份:1980
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负责人:清水 勇
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依托单位:
カイコ幼虫の走行性を一時的に抑制する桑葉揮発成分の分離同定
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批准号:X00210----274226
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.22万
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财政年份:1977
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负责人:清水 勇
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依托单位:
国内基金
海外基金
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铁电极化和BiNi双金属活化协同增强ZnTe光电还原CO2制甲酸研究
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批准号:22102112
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项目类别:青年科学基金项目(C类)
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资助金额:30.0万元
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批准年份:2021
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负责人:熊贤强
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依托单位:
BiFeO3极化和Bi-S活化增强ZnTe光电催化还原CO2制甲酸研究
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批准号:LQ21B030003
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2020
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负责人:熊贤强
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依托单位:
基于ZnO/ZnTe量子点修饰的高效宽波段石墨烯光电探测器的机理研究
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批准号:61904054
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:23.0万元
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批准年份:2019
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负责人:宋增才
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依托单位:
太赫兹成像用大尺寸ZnTe基电光晶体的制备和性能研究
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批准号:51872228
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项目类别:面上项目
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资助金额:60.0万元
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批准年份:2018
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负责人:徐亚东
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依托单位:
ZnTe基多元纳米复合结构的电子转移机理及在CO2光化学还原中的应用
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批准号:21471160
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项目类别:面上项目
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资助金额:80.0万元
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批准年份:2014
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负责人:张军
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依托单位:
ZnTe:O基中间带光伏材料外延及异质结构设计
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批准号:61274058
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项目类别:面上项目
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资助金额:85.0万元
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批准年份:2012
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负责人:叶建东
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依托单位:
CdTe/ZnTe量子点生殖毒性及分子机制研究
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批准号:30900335
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:20.0万元
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批准年份:2009
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负责人:许改霞
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依托单位:
CdZnTe-ZnTe多量子阱F-P光双稳的研究
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批准号:69408002
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:7.5万元
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批准年份:1994
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负责人:申德振
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依托单位: