权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

マイクロ波同軸変換方式による高効率反応性熱プラズマの発生法及び特性評価

微波同轴转换法高效反应热等离子体产生方法及特性评价

基本信息

批准号：
63632507
负责人：
吉田豊信
金额：
$ 1.6万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1988
资助国家：
日本
起止时间：
1988 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

新しいマイクロ波プラズマ発生装置として、矩形導波管モードから同軸モードに変換する立体回路素子とプラズマ発生用電極とからなり、誘導的にプラズマを発生・維持するマイクロ波プラズマジェットトーチを開発した。本プラズマの発生及び安定性は、トーチの形状や発生ガスの組成に強く影響されるため、トーチの電極部及びガス導入部の形状を検討し、半径方向・接線方向にガスを独立に導入し、ガスの流量及び組成を制御することにより、プラズマを安定に発生することを可能とした。また、このプラズマの評価として、紫外可視領域のプラズマ発光分光分析により、また、基板上の気相種を二段階の差動排気により四重極質量分析装置に導き質量分析を、ダイヤモンドの堆積中にin-situに行った。発光分光の結果、Ar及びHの発光は殆ど観測されず、このプラズマではH_2分子の解離が少ないと推測される。また、C_2、CHの発光強度はプラズマ中でほぼ一定で、基板近傍で急激に弱くなった。即ち、基板近傍約10mmの範囲に境界層が存在する。また、C_2の振動温度はほぼ平衡状態にあり、およそ5000Kであった。プラズマが局所的熱平衡にあれば、5000KではH_2の解離が充分に起こりH原子の発光が検出されるはずである。従って、このプラズマ全体は熱平衡状態にはないと考えられる。マイクロ波入力により、Ar強度で規格化された質量スペクトルには殆ど変化がなく、基板上に入射する気相種は入力に依存しないことが判明した。また、原料の約40%がC_2H_2に変換し、原料にCH_4及びC_2H_2のいずれを用いた場合にも、ダイヤモンドが堆積し、3%以上のC/H_2比では堆積物は晶癖を示さなくなり、C系気相種の質量スペクトルの総和は原料に対して不足する。堆積量より過大な、この不足分は、排気ガスと伴に失われたアモルファス炭素に相当すると思われる。

A new generation device for rectangular waveguide is proposed, which is coaxial with the rectangular waveguide. The three-dimensional circuit element is used for generation of electrodes and induction of electrodes. The shape of the electrode and the shape of the inlet are discussed. The radial direction and the direction of the connection are independently introduced. The flow rate and the composition of the inlet are controlled. In addition, in the field of ultraviolet visible light spectrum analysis, phase species on the substrate, two-stage differential emission, four-pole mass analysis device, in-situ mass analysis, and deposition. The results of emission spectra, Ar and H emission spectra, and H_2 molecular dissociation spectra were analyzed. C_2, CH emission intensity is constant in the middle of the substrate and weak in the vicinity of the substrate. That is, there is a boundary layer about 10mm away from the substrate.また、C_2の振动温度はほぼ平衡状态にあり、およそ5000Kであった。The thermal equilibrium of H_2 at 5000K is sufficient for the emission of H atoms. All of them are in thermal equilibrium. The intensity of Ar is normalized, and the mass of Ar is normalized. The incident phase on the substrate depends on Ar intensity. In addition, when about 40% of raw materials are replaced by C_2H_2, CH_4 and C_2H_2 are used in the raw materials, the accumulation of impurities occurs, the C/H_2 ratio exceeds 3%, and the accumulation of impurities is insufficient. The amount of accumulation is too large, the amount is insufficient, and the amount is insufficient.