Elucidation of equilibrium reaction mechanism of Si surface carbonization using CO gas
Elucidation of equilibrium reaction mechanism of Si surface carbonization using CO gas
阐明使用 CO 气体进行硅表面碳化的平衡反应机理
批准号：
16K20915
负责人：
Deura Momoko
金额：
$2.66万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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いろいろな半導体をつくる・はかる
制造和测量各种半导体
制造和测量各种半导体
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Huihong Liu, Yoshiaki Morisada, Hidetoshi Fujii, 出浦 桃子]
通讯作者：
出浦 桃子
Si基板表面炭化により形成したSiC薄膜上へのGaNのMOVPE成長
通过 Si 衬底表面碳化形成的 SiC 薄膜上 GaN 的 MOVPE 生长
通过 Si 衬底表面碳化形成的 SiC 薄膜上 GaN 的 MOVPE 生长
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Masaaki Nakai, Mitsuo Niinomi, Huihong Liu,Hidetoshi Fujii, 朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩，出浦 桃子]
通讯作者：
朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩，出浦 桃子
Si表面炭化により形成したSiC薄膜上への窒化物半導体成長
Si表面碳化形成的SiC薄膜上氮化物半导体的生长
Si表面碳化形成的SiC薄膜上氮化物半导体的生长
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[崔 正原, 劉 恢弘, 藤井 英俊, 出浦 桃子，朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩]
通讯作者：
出浦 桃子，朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩
Si表面炭化基板上へのGaN成長のTMAl先行供給条件依存性
Si 表面碳化衬底上 GaN 生长对 TMAl 先前供应条件的依赖性
Si 表面碳化衬底上 GaN 生长对 TMAl 先前供应条件的依赖性
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[青木 洋, 青木 祥宏, 劉 恢弘, 藤井 英俊, 朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩，出浦 桃子]
通讯作者：
朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩，出浦 桃子
Si基板表面炭化により形成したSiC薄膜上のGaN成長
通过 Si 衬底表面碳化形成的 SiC 薄膜上的 GaN 生长
通过 Si 衬底表面碳化形成的 SiC 薄膜上的 GaN 生长
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Huihong Liu, Murat Isik, Mitsuo Niinomi, Peng Chen, Takao Hanawa, Tomoya Nagira, Hidetoshi Fujii, 出浦 桃子，朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩]
通讯作者：
出浦 桃子，朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩
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