Elucidation of equilibrium reaction mechanism of Si surface carbonization using CO gas
阐明使用 CO 气体进行硅表面碳化的平衡反应机理
基本信息
- 批准号:16K20915
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(7)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
いろいろな半導体をつくる・はかる
制造和测量各种半导体
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Huihong Liu;Yoshiaki Morisada;Hidetoshi Fujii;出浦 桃子
- 通讯作者:出浦 桃子
Si基板表面炭化により形成したSiC薄膜上へのGaNのMOVPE成長
通过 Si 衬底表面碳化形成的 SiC 薄膜上 GaN 的 MOVPE 生长
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Masaaki Nakai;Mitsuo Niinomi;Huihong Liu,Hidetoshi Fujii;朱 逸夫,百瀬 健,霜垣 幸浩,出浦 桃子
- 通讯作者:朱 逸夫,百瀬 健,霜垣 幸浩,出浦 桃子
Si表面炭化基板上へのGaN成長のTMAl先行供給条件依存性
Si 表面碳化衬底上 GaN 生长对 TMAl 先前供应条件的依赖性
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:青木 洋;青木 祥宏;劉 恢弘;藤井 英俊;朱 逸夫,百瀬 健,霜垣 幸浩,出浦 桃子
- 通讯作者:朱 逸夫,百瀬 健,霜垣 幸浩,出浦 桃子
Si表面炭化により形成したSiC薄膜上への窒化物半導体成長
Si表面碳化形成的SiC薄膜上氮化物半导体的生长
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:崔 正原;劉 恢弘;藤井 英俊;出浦 桃子,朱 逸夫,百瀬 健,霜垣 幸浩
- 通讯作者:出浦 桃子,朱 逸夫,百瀬 健,霜垣 幸浩
Si基板表面炭化により形成したSiC薄膜上のGaN成長
通过 Si 衬底表面碳化形成的 SiC 薄膜上的 GaN 生长
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Huihong Liu;Murat Isik;Mitsuo Niinomi;Peng Chen;Takao Hanawa;Tomoya Nagira;Hidetoshi Fujii;出浦 桃子,朱 逸夫,百瀬 健,霜垣 幸浩
- 通讯作者:出浦 桃子,朱 逸夫,百瀬 健,霜垣 幸浩
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