Elucidation of equilibrium reaction mechanism of Si surface carbonization using CO gas

阐明使用 CO 气体进行硅表面碳化的平衡反应机理

基本信息

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项目成果

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いろいろな半導体をつくる・はかる
制造和测量各种半导体
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Huihong Liu;Yoshiaki Morisada;Hidetoshi Fujii;出浦 桃子
  • 通讯作者:
    出浦 桃子
Si基板表面炭化により形成したSiC薄膜上へのGaNのMOVPE成長
通过 Si 衬底表面碳化形成的 SiC 薄膜上 GaN 的 MOVPE 生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Masaaki Nakai;Mitsuo Niinomi;Huihong Liu,Hidetoshi Fujii;朱 逸夫,百瀬 健,霜垣 幸浩,出浦 桃子
  • 通讯作者:
    朱 逸夫,百瀬 健,霜垣 幸浩,出浦 桃子
Si表面炭化基板上へのGaN成長のTMAl先行供給条件依存性
Si 表面碳化衬底上 GaN 生长对 TMAl 先前供应条件的依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    青木 洋;青木 祥宏;劉 恢弘;藤井 英俊;朱 逸夫,百瀬 健,霜垣 幸浩,出浦 桃子
  • 通讯作者:
    朱 逸夫,百瀬 健,霜垣 幸浩,出浦 桃子
Si表面炭化により形成したSiC薄膜上への窒化物半導体成長
Si表面碳化形成的SiC薄膜上氮化物半导体的生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    崔 正原;劉 恢弘;藤井 英俊;出浦 桃子,朱 逸夫,百瀬 健,霜垣 幸浩
  • 通讯作者:
    出浦 桃子,朱 逸夫,百瀬 健,霜垣 幸浩
Si基板表面炭化により形成したSiC薄膜上のGaN成長
通过 Si 衬底表面碳化形成的 SiC 薄膜上的 GaN 生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Huihong Liu;Murat Isik;Mitsuo Niinomi;Peng Chen;Takao Hanawa;Tomoya Nagira;Hidetoshi Fujii;出浦 桃子,朱 逸夫,百瀬 健,霜垣 幸浩
  • 通讯作者:
    出浦 桃子,朱 逸夫,百瀬 健,霜垣 幸浩
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  • 通讯作者:
    Momose Takeshi
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  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
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开发评估金属涂层介质太赫兹波导传播损耗的模型
  • DOI:
    10.1063/5.0058662
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    Huang Yuyuan;Konishi Kuniaki;Deura Momoko;Shimoyama Yusuke;Yumoto Junji;Kuwata-Gonokami Makoto;Shimogaki Yukihiro;Momose Takeshi
  • 通讯作者:
    Momose Takeshi

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