FETs aus nichtpolaren kubischen III-Nitrid Nanostrukturen

由非极性立方 III 族氮化物纳米结构制成的 FET

• 批准号: 51585786
• 负责人: Professor Dr. Donat Josef As
• 金额: --
• 依托单位: Arbeitsgruppe "Optoelektronische Halbleiter - Gruppe III-Nitride"
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2006-12-31 至 2011-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/51585786?language=en
• 关键词: FETs; aus; nichtpolaren; kubischen; III

Ziel des beantragten Vorhabens ist die erste Realisierung eines Feldeffekttransistors (FETs) aus nichtpolaren III-Nitriden mit kubischer Kristallstruktur im Nanometerbereich für Hochfrequenzanwendungen und die Herstellung logischer Schaltungen aus kubischen III-Nitriden. Die international anerkannte Kompetenz der Gruppe an der Universität Paderborn mit der Epitaxie von phasenreinen kubischen III-Nitriden wird dabei durch die Expertise der Gruppen an der TU-Ilmenau auf dem Gebiet der Nanotechnologie, Herstellung von karbonisierten Si (001) Substraten und der Bauelementsimulation ergänzt. Der Gemeinschaftsantrag hat die Bearbeitung folgender Schwerpunkte zum Ziel: - Entwicklung eines Herstellungsprozesses für Bauelemente aus kubischen IIINitriden und Prozessierung von FETs auf 3C-SiC Substraten. Angestrebt werden Gatelängen im Bereich von 2μm bis in den Submikrometerbereich. - Umfassende elektrische Charakterisierung der Transistoren. - Experimentelle und theoretische Untersuchung des Ladungstransports in kubischen III-Nitriden und experimentelle Ermittlung von bisher noch nicht gemessenen Parametern, die entscheidend in die Simulation und das Design von FET-Strukturen aus kubischen III-Nitriden für Hochfrequenzanwendungen eingehen. - Übertragung der Herstellungsprozesses von FETs aus kubischen III-Nitriden auf karbonisierte 3C-SiC/Si (001) Substrate.

Ziel des beantragten Vorhabens ist die erste Realisierung eines feldeefft晶体管（fet） as nichtpolaren iii - nitrin . kubischer晶体结构与纳米晶体结构（纳米晶体结构）和die Herstellung logischer Schaltungen as kubischen iii - nitrin .。国际模具工艺学研究小组和研究小组，Universität氮化金属材料的研究小组和研究小组，德国，德国，德国，德国，德国，（2001）衬底和Bauelementsimulation ergänzt。[2] [1] [3] [3] [3] [3] [3] [3] [3] [3] [3] [3] [1] [3] [1] [4] [4]Angestrebt werden Gatelängen im Bereich von 2μm bis in den Submikrometerbereich。- - - - - - - - - - -- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- Übertragung der herstellungsprodsfet as kubischen iii -氮化碳化硅- sic /Si（001）衬底。

项目成果

Free carrier accumulation at cubic AlGaN/GaN heterojunctions

立方 AlGaN/GaN 异质结处的自由载流子积累

• DOI: 10.1063/1.3700968
• 发表时间: 2012
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: Q.Y. Wei;J.Y. Huang;F.A. Ponce;E. Tschumak;A. Zado;D.J. As
• 通讯作者: D.J. As

The coexistence of two-dimensional electron and hole gases in GaN-based heterostructures

• DOI: 10.1063/1.3688219
• 发表时间: 2012-02-15
• 期刊: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
• 影响因子: 3.2
• 作者: Al Mustafa, N.;Granzner, R.;Schwierz, F.
• 通讯作者: Schwierz, F.