FETs aus nichtpolaren kubischen III-Nitrid Nanostrukturen

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Ziel des beantragten Vorhabens ist die erste Realisierung eines Feldeffekttransistors (FETs) aus nichtpolaren III-Nitriden mit kubischer Kristallstruktur im Nanometerbereich für Hochfrequenzanwendungen und die Herstellung logischer Schaltungen aus kubischen III-Nitriden. Die international anerkannte Kompetenz der Gruppe an der Universität Paderborn mit der Epitaxie von phasenreinen kubischen III-Nitriden wird dabei durch die Expertise der Gruppen an der TU-Ilmenau auf dem Gebiet der Nanotechnologie, Herstellung von karbonisierten Si (001) Substraten und der Bauelementsimulation ergänzt. Der Gemeinschaftsantrag hat die Bearbeitung folgender Schwerpunkte zum Ziel: - Entwicklung eines Herstellungsprozesses für Bauelemente aus kubischen IIINitriden und Prozessierung von FETs auf 3C-SiC Substraten. Angestrebt werden Gatelängen im Bereich von 2μm bis in den Submikrometerbereich. - Umfassende elektrische Charakterisierung der Transistoren. - Experimentelle und theoretische Untersuchung des Ladungstransports in kubischen III-Nitriden und experimentelle Ermittlung von bisher noch nicht gemessenen Parametern, die entscheidend in die Simulation und das Design von FET-Strukturen aus kubischen III-Nitriden für Hochfrequenzanwendungen eingehen. - Übertragung der Herstellungsprozesses von FETs aus kubischen III-Nitriden auf karbonisierte 3C-SiC/Si (001) Substrate.