C,Nージアニオン中間体を経由するインド-ル側鎖への新規官能基導入反応の開発

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まず、多環性インド-ル誘導体のモデルとして2、3ージメチルインド-ルを選び反応を検討した。その結果、エ-テル溶媒中、ブチルリチウム・カリウム tーブトキシドを引続き作用させることでジアニオン種を高収率で得た。低温で求電子剤をくわえ後処理すると炭素上でのみ官能基化された生成物のみが得られた。この際、求電子剤はインド-ルの2位のメチル基上でのみ反応し、3位のメチル基とは全く反応しないという位置選択性が得られた。そこで、飽和炭素環の縮合した種々のインド-ル誘導体を用い反応したところ、同様に対応する生成物が高収率で得られた。置換基の導入は2位に相当する部位のみで起きることを見いだした。これは、従来法のFischer法で合成しようとするとインド-ル/インドレニンの混合物となり、その分離が困難であるのに比べ、非常に簡位置選択的に置換基を導入できる簡便な方法である。また、ピロ-ル誘導体についても同反応条件で脱プロトン化が進行し、ジアニオン中間体が得られた。今までのところ求電子剤として重水を用いた重水素化しか、高収率で生成物が得られていない。しかし、反応条件を更に検討することで広く応用可能な方法となるだろう。最後に現在、これらの反応のアルカロイド合成への応用を試みている。