权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

シグマ共役系ビラジカルの設計指針;軌道位相連続性

西格玛共轭双自由基的设计指南；

基本信息

批准号：
12020223
负责人：
稲垣都士
金额：
$ 1.09万
依托单位：
Gifu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
2000
资助国家：
日本
起止时间：
2000 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

ジラジカルE_4H_8、E_5H_<10>(E=C,Si,Ge,Sn)のσ-共役した交差異性体は直鎖異性体よりも安定であると軌道位相理論より予測し、ab initio分子軌道法(MO)と密度汎関数法(DFT)により確認した。ラジカル軌道は、E=CのときC-H結合と共役し、E=Si,Ge,SnのときE-E結合と共役する立体配座が安定であることを明かにした。第14族飽和分子E_4H_8の分岐異性体はの直鎖異性体より安定であることを軌道位相より予測し、ab initio MOとDFT計算や実験結果により確認した。高級アルカンおよびアルケンの異性体の相対的安定性にも応用され、直鎖異性体より分岐異性体の方が、イソブタン型よりもネオペンタン型の分岐の方が、また、メチル分岐異性体の場合、内部炭素でのメチル分岐よりも末端炭素のメチル分岐の方が、さらに、内部炭素での分岐では、エチル基よりもメチル基の方が、熱力学的に安定であるという結論を得た。アルケンでは、2-ブテンよりもイソブテンの方が安定である。ジシラオキシランおよび1,3-シクロジシロキサンの異常に短いSi原子間の距離は、酸素原子の孤立電子対がケイ素原子のd型分極関数を通じての環式電子非局在化よるものであることを、結合モデル解析により明かにした。計算されたルイス示数は、Si-Oが単結合モデルやπ錯体モデルよりも二重結合モデルを支持した。

E_4H_8, E_5H_<10>(E=C,Si,Ge,Sn) σ-co-active and cross-linked heterostructures are predicted by orbital phase theory and confirmed by ab initio molecular orbital method (MO) and density functional theory (DFT). The orbit E=C and C-H bonds E=Si, Ge, Sn and E-E bonds C =Si,Ge,Sn and E-E bonds C = Si, Ge, Sn are stable. The results of ab initio MO DFT calculations for the 14th group saturated molecule E_4H_8 were confirmed. The relative stability of the heterostructure of the high-grade carbon fiber is determined by the use of the direct chain heterostructure, the separation of the heterostructure, the formation of the separation of the heterostructure, the separation of the internal carbon fiber, the separation of the terminal carbon fiber, the separation of the internal carbon fiber, the separation of the internal carbon fiber. Thermodynamics stability 2-color color, color The distance between the Si atoms in the abnormal region of the 1,3-hexachloro atom is the distance between the isolated electrons of the acid atom and the d-type polarization of the element atom. The ring electron is not localized. Calculation of the number of Si-O single bonds, Si-O single bonds, Si-O single bonds