液晶における分子の回転運動と反強誘電性の発現機構

液晶分子的旋转运动及反铁电机制

• 批准号: 05402026
• 负责人: 福田 敦夫
• 金额: $ 20.74万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
• 财政年份: 1993
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1993 至 1995
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-05402026/
• 关键词: 液晶; 強誘電性; 反強誘電性; 3安定状態間スイッチング; ディスピレーション; 悪魔の階段; スメクティック層の秩序度

1.反強誘電性液晶の[スメクティック層〓基板]セルにおいては,分子長軸が基板界面と平行になろうとし,セルの中では螺旋構造をとろうとする。この不都合は,通常,基板に平行な縞状欠陥の出現により解消される。螺旋のピッチを特性反射で測定し,縞の間隔と比較して,この欠陥がディスピレーションであることを明らかにした。2.束縛回転によって現われる時間平均的な双極子モーメントが隣接層間で対形成すれば,分子長軸の傾きは必ず同一面内に限定される。このような状況のもとでは,SmC_A^*とSmC^*との中間温度領域に見出される[悪魔の階段]が,長距離斥力で特長づけられる1次元イジングモデルで記述できる。典型的な化合物・混合物における副次相の構造を,現有の光学的手法により解明し,モデルの妥当性を明らかにしてきた。3.現有設備である強力X線回折装置を使って,SmA,SmC^*,およびSmC_A^*のスメスティック層によるX線回折を2次,3次まで測定し,SmC^*やSmC_A^*の安定性と高次回折強度との相関を明らかにした。また,SmI_A^*の層間隔がSmAよりも大きくなることがあることを見出し,ヘキサティック相における反強誘電性の出現機構を考察した。4.分子長軸まわりの回転状態に関する情報を得る目的で,ビコ秒領域における力一効果により回転緩和時間を測定できるように準備を進めており,3月中には完了する予定である。複屈折を誘起する励起光としてアルゴンイオンレーザ励起Ti:サファイヤモードロックレーザーを,また誘起された微小複屈折の計測用に光弾性モジュレータ(PEM)を購入し,調整中である。

1. The strong electrical LCD の lure [ス メ ク テ ィ ッ 〓 ク layer substrate] セ ル に お い て は, the molecular long axis parallel に が substrate interface と な ろ う と し, セ ル の in で は spiral structure を と ろ う と す る. Not all <s:1> are in line with される. Usually, the substrate に parallel な banded is deficient in 陥 <s:1> and によ <s:1> dissolves される. Spiral の ピ ッ チ を features reflection で し, stripe の と comparison between し て, こ の owe 陥 が デ ィ ス ピ レ ー シ ョ ン で あ る こ と を Ming ら か に し た. 2. Tie back planning に よ っ て now わ れ る time average な dipole モ ー メ ン ト が 隣 sockets layer between で form す seaborne れ ば, tilt the molecular long axis の き は will に within a limited さ ず れ る. こ の よ う な condition の も と で は, SmC_A と SmC ^ ^ * * と の に middle temperature field shows さ れ る 悪 magic の stage が, long-distance repulsion で specialty づ け ら れ る 1 yuan イ ジ ン グ モ デ ル で account で き る. Typical な compounds, compounds に お け る vice を phase の structure, existing の optical technique に よ り interpret し, モ デ ル の justice を Ming ら か に し て き た. 3. Existing equipment で あ る powerful X-ray inflexion device を make っ て, SmA, SmC ^ *, お よ び SmC_A ^ * の ス メ ス テ ィ ッ ク layer に よ る X-ray inflexion を twice, three times ま で し, SmC ^ * や SmC_A ^ * の high stability と time inflexion strength と の phase masato を Ming ら か に し た. ま た, SmI_A ^ * の layer spacing が SmA よ り も big き く な る こ と が あ る こ と を see し, ヘ キ サ テ ィ ッ ク phase に お け る を appear strong electrical の lure authorities inspection し た. 4. The molecular long axis ま わ り の back to the state planning に masato す る intelligence を で る purpose, ビ コ seconds field に お け る force a sharper fruit に よ り back planning time determination of を で き る よ う に prepare を into め て お り, 3 months に は finished す る designated で あ る. After inflectional を induced す る wound up light と し て ア ル ゴ ン イ オ ン レ ー ザ wound up Ti: サ フ ァ イ ヤ モ ー ド ロ ッ ク レ ー ザ ー を, ま た induced さ れ た tiny after inflectional の measuring with に light 弾 sex モ ジ ュ レ ー タ (PEM) bought し を and adjustment of で あ る.

项目成果

T.Isozaki: "Devil's staircase and racemization in antiferroelectric liquid crystals" Journal of Materials Chemistry. 4(in press). (1994)

T.Isozaki：“反铁电液晶中的魔鬼阶梯和外消旋化”材料化学杂志。

K.Miyachi: "Fluctuation in the ferrielectric smectic-C_γ^* phase as observed by laser beam diffraction and photon correlation spectroscopy" Ferroelectrics. 147/148/149. 147-157 (1994)

K. Miyachi：“通过激光束衍射和光子相关光谱观察到的铁电近晶-C_γ^* 相的波动”147/148/149 (1994)。

Y.Takanishi: "Combined defect of 2π wedge disclination and π dispiration in the anticlinic molecular orientation" Ferroelectrics. 147/148/149. 1035-1040 (1994)

Y. Takanishi：“背斜分子取向中 2π 楔向错和 π 散逸的组合缺陷”147/148/149 (1994)。

Y.Takanishi: "Hexatic antiferroelectric SmI_A^* phase in MHPOCBC" Ferroelectrics. 147/148/149. 135-146 (1994)

Y.Takanishi：“MHPOCBC 中的六角反铁电 SmI_A^* 相”铁电体。

K.Miyachi: "Does the disclination line exist in a homogeneously aligned SmC_A^* Cell?" Ferroelectrics. 147/148/149. 963-970 (1994)

K.Miyachi：“向错线是否存在于均匀排列的 SmC_A^* Cell 中？”