Amorphe SiC:H-Schichten aus Precursoren: Precursorsynthese, Schichtherstellung und -charakterisierung

来自前驱体的非晶 SiC:H 层：前驱体合成、层生产和表征

• 批准号: 5258552
• 负责人: Professor Dr. Eberhard Müller
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Experimentelle Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5258552?language=en
• 关键词: Amorphe; SiC; Schichten; aus; Precursoren

Durch Wasserstoffeinbau stabilisierte amorphe SiC-Schichten (a-SiC:H) werden aufgrund ihrer interessanten optoelektronischen Eigenschaften in zunehmendem Maße in der Literatur beschrieben. Die Herstellung solcher Schichten geschieht bisher ausnahmslos über zeitaufwendige Abscheideprozesse aus der Gasphase. Hier soll ein innovativer Weg zur Schichtherstellung aus Precursorpolymeren und deren Pyrolyse erschlossen werden, der eine höhere Effektivität und gegebenenfalls auch ein anderes Eigenschaftsspektrum verspricht. Ziel ist die Synthese von Polymeren, die sich in reine SiC-Schichten mit Halbleiterqualitäten überführen lassen. Um die für die Pyrolyse vorteilhaften vernetzten Si-Strukturen in den Precursoren zu erhalten, sollen Si-Gerüste synthetisiert werden, die Vinylgruppen in den Seitenketten aufweisen. Die Reinheit der Produkte wird durch einen Polymeraufbau ohne Metallkondensation über heterogen katalysierte Disproportionierung von Chlordisilanen gewährleistet. Die resultierenden niedrigviskosen Polymere sollen mittels Spin-Coating als dünne Schichten auf unterschiedlichen Substraten abgeschieden und unter definierten Atmosphären soweit pyrolysiert werden, daß eine amorphe H-stabilisierte Netzwerkstruktur resultiert. Der Einfluß von Synthese- und Pyrolysebedingungen sowie vom Substrat auf Ordnungsgrad, Zusammensetzung und Eigenschaften der Schichten soll untersucht werden. Daher ist insbesondere vorgesehen, die im Forschungsverbund präparierten a-SiC:H-Schichten mit einer breiten Palette von Verfahren auf ihre halbleiterphysikalischen Eigenschaften hin zu untersuchen, um Korrelationen zu Präparationsparametern aufstellen zu können. Dabei wird besonderer Wert auf die Bestimmung der primären den amorphen Halbleiter charakterisierenden Größen gelegt. Realisiert werden soll dies durch temperaturabhängige Leitfähigkeit und Photoleitung (auch Hochfrequenzphotoleitung) in Verbindung mit Präzisionsmessungen optischer Absorption, später durch Hinzunahme von Thermokraftmessungen. Mit Elektronenspinresonanz in Verbindung mit Elektronen-Kern-Doppelresonanz wird die Konzentration von Si und C "dangling bonds" separat gemessen, was mit den elektrischen und optischen Parametern korreliert werden soll. Außerdem erhält man damit Aussagen über das mikroskopische atomare Gefüge der Schichten.

(a-SIC：H)是一种新的、更有兴趣的产品，也是一种新的产品和服务。他说：“这是一种非常好的方式。在这里，我们的创新者Weg zur Schichtherstellung Aus PrecorsorPollen and deren Pyrolyse erschlossen是一种创新，在Anderes EigenschaftsSpektrum verspricht中，它的效果和gegebenenfall是这样的。这是合成这些冯聚合物，这是在reine SIC-Schichten MIT Halbleiterqualitätenüberführen Lassen。从热解硅胶到硅胶，从硅胶到硅胶，再到硅胶和硅胶的合成。金属缩合反应是一种新型的金属缩合反应。这是一种新型的旋转涂覆技术，它是一种新型的、稳定的、稳定的材料。从合成到热解的过程中，我们已经找到了最好的解决方案。这是一个很大的问题，因为这是一个很大的问题：H-Schichten MIT einer Breiten Palette von Verfahren auf ire halbleiterPhysikalischen Eigenschaften hin zu unteruchenen，um Korrelationen zu präparations参数n aufstellen zu könen.这是一个很好的选择，因为它是最好的选择。在Verbindung Mit Präzision中，光吸收的温度和光的频率是一致的，因此，光吸收的温度是Hinzunahme von ThermokraftMessungen。MIT ElektronenSpin Resonz in Verbindung MIT Elektronen-Kern-DOPELERRAMANZ Wird Konzentation von Si and C“悬挂键”分开at geessen，是MIT den elektrischen and optischen参数korreliert是唯一的。Au？Erdem erhält man Damit Aussagenüber das mikroskopische am are Gefüge der Schichten.