シングルドメインSi(001)2×1表面上のGeのエレクトロマイグレーション

Ge在单畴Si(001)2×1表面上的电迁移

• 批准号: 05750022
• 负责人: 虻川 匡司
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1993
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1993 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-05750022/
• 关键词: エレクトロマイグレーション; Si(001); Ge; シングルドメイン; 2×1

:本研究課題の目的は、超高真空中でシングルドメインSi(001)表面を作成し、その表面上に吸着させたGe原子の電界・電流による移動現象(エレクトロマイグレーション)を調べることである。観察は、既存の走査電子顕微鏡を使用するため、本研究費補助金は主に試料の作成部分と試料に与える電界・電流および温度のコントロール部分の作成に使用した。まず、下地のシングルドメインSi(001)表面は、面方位が精度よく決定されたSi(001)ウェファを超高真空中で加熱清浄化した後にSiをホモエピタキシャル成長して作成する。このSiをエピタキシャル成長させるためのSiの蒸着源を作製した。またGeは既存のKnudsenセルを使用して蒸着を行うこととしたが、安定した蒸着を行うためには、Knudsenセルの精密な温度コントロールが必要となる。そこで温度コントロール可能な電源システムの製作を行った。具体的にはKnudsenセルの温度をW-Re熱電対でモニターし、その温度が一定になるように電子温度調節器を使用してヒーター電流のコントロールを行うシステムである。実際のGe蒸着膜厚の評価はまだ行っていないが、Knudsenセルの温度は期待通りの精度で制御することができた。次にエレクトロマイグレーションを調べる時に試料に与える電界・電流のコントロールシステムを作製した。このシステムは、実際に試料に電流・電界をあたえる電源、試料の温度をモニターするデジタルマルチ温度計、およびそれら電源、温度計を制御するデスクトップコンピューターからなる。このうち本研究補助金は、デジタルマルチ温度計の購入、コンピューターと電源・温度計間のインターフェース、システムを制御するためのソフトウェアの開発のために使用した。作製したシステムを用いて実際に試料へ電界・電流をかける実験を行ったが、電流、温度、通電時間などを期待どうりに制御することができた。以上のようなシステムの構築を行い、下地Si(001)表面のシングルドメインを作成し、Geの蒸着に関する予備実験の段階まで行った。現在、エレクトロマイグレーションの実験を行う準備を進めている。

The purpose of this research is to prepare and adjust the electric boundary and current movement phenomenon of Ge atoms adsorbed on Si(001) surface in ultra-high vacuum. This research grant covers the preparation of the main sample and the use of the current and temperature components. The Si(001) surface orientation is determined by the accuracy of the Si(001) surface orientation. The Si(001) surface orientation is determined by the accuracy of the Si(001) surface orientation. The Si(001) surface orientation is determined by the Si(001) surface orientation. The growth of Si is controlled by Si vapor source. The temperature of the existing Knudsen is necessary to stabilize the temperature of the existing Knudsen The production of temperature control and possible power supply systems is underway. The specific temperature of the Knudsen family is W-Re, and the temperature of the family is constant. The electronic temperature regulator is used to adjust the temperature of the family. In fact, the evaluation of Ge vapor film thickness is divided into two parts, and the temperature of Knudsen is controlled by the expected accuracy. The next step is to adjust the temperature of the sample and the current. The temperature of the sample is controlled by the temperature sensor. This research grant is for the purchase of thermometers, power supplies, and development. For example, when the test material is in use, the current is out, the current is out, and the time of energization is out. The structure of the above-mentioned system is in progress, the surface of Si(001) is in progress, and the preparation of Ge is in progress. Now, let's move forward.