Defect less ferroelectric material and construction on silicon surfaces and memory device using the construction
硅表面上缺陷较少的铁电材料和结构以及使用该结构的存储器件
基本信息
- 批准号:06452235
- 负责人:
- 金额:$ 4.61万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:1994
- 资助国家:日本
- 起止时间:1994 至 1996
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
The ferroelectric memories are nonvolatile and are thought to be high-speed devices, thus making them suitable for universal applications. Among many candidate, ferrolectric memories using the fieldeffect of a semiconductor by the remanent polarization of a ferro-electric material are in accordance with the scaling rule, and potentially could have low power high speed nonvolatile memories.However, it is necessary to optimize the interface between the semiconductor and the ferroelectic material. Experiments on prospective devices using CeO_2 or Ce_xZr_<1-x>O_2 as the buffer insulator layrs of the MFIS transistors were performd with good results.
铁电存储器是非易失性的,并且被认为是高速器件,从而使它们适合于普遍应用。在众多的铁电存储器中,利用铁电材料的反射极化效应实现半导体场效应的铁电存储器符合比例尺定律,具有低功耗、高速的非易失性存储器的潜力,但需要优化半导体与铁电材料之间的界面。用CeO_2或Ce_xZr_<1-x>O_2作为MFIS晶体管的缓冲绝缘层,对有前景的器件进行了实验,取得了良好的结果。
项目成果
期刊论文数量(26)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Hirai: "Characterization of Metal/Ferroelectric/Insulator/Semiconductor Structure with CeO_2 Buffer Layer" Jpn. J. Appl. Phys.34. 4163-4166 (1995)
T.Hirai:“具有 CeO_2 缓冲层的金属/铁电/绝缘体/半导体结构的表征”Jpn。
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
K.Nagashima: "Characteristics of Metal/Ferroelectric/Insulator/Semiconductor Structure Using SrBi_2Ta_2O_9 as the Ferro-electric Material" J.J.A.P.35,12B. L1680-L1682 (1996)
K.Nagashima:“使用SrBi_2Ta_2O_9作为铁电材料的金属/铁电/绝缘体/半导体结构的特性”J.J.A.P.35,12B。
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- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Hirai: "Crystal and Electrical Characterizations of Oriented Yttria-Stabilized Zirconia Buffer layer for the Metal/Ferroelectric/Insulator/Semiconductor Field-Effect Transistor" Jpn. J. Appl. Phys.35. 4016-4020 (1996)
T.Hirai:“用于金属/铁电体/绝缘体/半导体场效应晶体管的定向氧化钇稳定氧化锆缓冲层的晶体和电气特性”Jpn。
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- 影响因子:0
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- 通讯作者:
T.Hirai: "Crystal and Electrical Characterizations of Epitaxial Ce_xZr_<1-x>O_2 Buffer Layer for the Metal/Ferroelectric/Insulator/Semiconductor Field Effect Transistor" Jpn. J. Appl. Phys.35. 5250-5153 (1996)
T.Hirai:“金属/铁电/绝缘体/半导体场效应晶体管外延 Ce_xZr_<1-x>O_2 缓冲层的晶体和电气特性”Jpn。
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- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Hirai: "Crystal and Electrical Characterizations of Oriented Yttria-Stabilized Zirconia Buffer Layer for the Metal/Ferroelectric/Insulator/Semiconductor Field-Effect Transistor" Jpn.J.Appl.Phys.35,7. 4016-4020 (1996)
T.Hirai:“金属/铁电/绝缘体/半导体场效应晶体管的定向氧化钇稳定氧化锆缓冲层的晶体和电气特性”Jpn.J.Appl.Phys.35,7。
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