電極表面のSTM観察とナノオーダー加工に関する理論的研究
電極表面のSTM観察とナノオーダー加工に関する理論的研究
批准号:
11118269
负责人:
中井 浩巳
金额:
$0.96万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份:
1999
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1999 至 --
中文摘要
STMによる表面の観察は、これまで現象論的な理解が先行していた電極反応において、基礎的な理解を与える手段として期待されている。しかし、これらの解釈には、表面-探針間の相互作用を考慮する必要がある。そこで本研究では、電極表面のSTMシミュレーションを行い、正しい理解を理論的に与えることを目指した。まず、Bardeenの摂動論に基づくSTMシミュレーションプログラムを開発し、これを金表面に吸着した硫酸イオンに適応した。その結果、印加電圧が小さい場合には硫酸イオンに対応するSTM像が得られないが、ある電圧を境にSTM像が見えることがわかった。その場合、原子レベルの分解能はなく、硫酸イオン全体で一つのスポットとなることも示された。次に、電極表面反応の一つとして無電解鍍金を取り上げ、その反応機構を理論的に検討した。その結果、ジメチルアミンボランや次亜リン酸などの還元剤については、脱水素より水酸基の配位が先行して生成される5配位化合物を経由することが示された。還元剤の酸化反応は溶媒の誘導率が増加するとともに進行しにくいことも示された。これは、還元剤が極性溶媒中では自発的に酸化されないが、バルク溶液に比べ誘導率が小さい電気二重層中では酸化されやすくなっていることを示している。さらに、表面上では反応全体が発熱的であることより、析出金属の自己触媒作用により還元剤の酸化が起こりやすくなっていることが理論的に示された。
英文摘要
STMによる表面の観察は、これまで現象論的な理解が先行していた電極反応において、基礎的な理解を与える手段として期待されている。しかし、これらの解釈には、表面-探針間の相互作用を考慮する必要がある。そこで本研究では、電極表面のSTMシミュレーションを行い、正しい理解を理論的に与えることを目指した。まず、Bardeenの摂動論に基づくSTMシミュレーションプログラムを開発し、これを金表面に吸着した硫酸イオンに適応した。その結果、印加電圧が小さい場合には硫酸イオンに対応するSTM像が得られないが、ある電圧を境にSTM像が見えることがわかった。その場合、原子レベルの分解能はなく、硫酸イオン全体で一つのスポットとなることも示された。次に、電極表面反応の一つとして無電解鍍金を取り上げ、その反応機構を理論的に検討した。その結果、ジメチルアミンボランや次亜リン酸などの還元剤については、脱水素より水酸基の配位が先行して生成される5配位化合物を経由することが示された。還元剤の酸化反応は溶媒の誘導率が増加するとともに進行しにくいことも示された。これは、還元剤が極性溶媒中では自発的に酸化されないが、バルク溶液に比べ誘導率が小さい電気二重層中では酸化されやすくなっていることを示している。さらに、表面上では反応全体が発熱的であることより、析出金属の自己触媒作用により還元剤の酸化が起こりやすくなっていることが理論的に示された。
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H. Nakai, T. Goto, Y. Okada, T. Orii, K. Takeuchi, M. Ichihashi, T. Kondow: "Theoretical Study on Ammonia Cluster Ions : Nature of Kinetic agic Number"J. Chem. Phys.. (in press). (2000)
H. Nakai、T. Goto、Y. Okada、T. Orii、K. Takeuchi、M. Ichihashi、T. Kondow:“氨簇离子的理论研究:动力学幻数的性质”J。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Nakai,M.Kawai: "Nature of the change in the rotational barrier of the methyl group due to S_0 →S_1 excitation"Chem.Phys.Lett.. 307. 272-276 (1999)
H.Nakai,M.Kawai:“由于 S_0 →S_1 激发而导致的甲基旋转势垒变化的性质”Chem.Phys.Lett.. 307. 272-276 (1999)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T. Homma, H. Nakai, M. Onishi, T. Osaka: "Ab Initio Molecular Orbital Study on the Oxidation Mechanism for Dimethylamine Borane as a Reductant for an Eectroless Deposition Proscess"J. Phys. Chem. B. 103(10). 1774-1778 (1999)
T. Homma、H. Nakai、M. Onishi、T. Osaka:“二甲胺硼烷作为无电沉积过程还原剂氧化机理的从头分子轨道研究”J。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Nakai, Y. Kawamura: "π^*-σ^* hyperconjuation mechanism on the rotational barrier of the methyl group (II) : 1-and 2-methylnaphthalenes in the S_0, S_1, C_0, A_1 states"Chem. Phys. Lett.. 318. 298-304 (2000)
H.Nakai,Y. Kawamura:“甲基旋转势垒上的 π^*-σ^* 超共轭机制(II):S_0、S_1、C_0、A_1 态中的 1- 和 2-甲基萘” . 莱特.. 318. 298-304 (2000)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
相対論的2成分法に対する新しいハイブリッド密度汎関数の開発
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批准号:17F17818
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2017
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负责人:中井 浩巳
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依托单位:
電子および原子核波動関数の同時決定法の開発とその応用
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批准号:16655010
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.3万
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财政年份:2004
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负责人:中井 浩巳
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依托单位:
量子化学計算におけるLinear-Scaling法の開発とその応用
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批准号:14703005
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额:$18.39万
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财政年份:2002
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负责人:中井 浩巳
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依托单位:
表面励起プロセスの電子的メカニズムに関する理論的研究
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批准号:14050094
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:2002
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负责人:中井 浩巳
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依托单位:
励起分子と固体触媒の構造・振動状態・反応性に関する理論的研究
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批准号:12042276
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$2.56万
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财政年份:2000
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负责人:中井 浩巳
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依托单位:
ヘテロバイメタリッククラスターの触媒作用に関する理論的研究
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批准号:11740335
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1999
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负责人:中井 浩巳
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依托单位:
励起分子の構造・振動状況・反応性に対する新しい理論的取り扱い
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批准号:11166264
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1999
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负责人:中井 浩巳
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依托单位:
固体表面場における触媒反応の電子的メカニズムに関する理論的研究
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批准号:09218253
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1997
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负责人:中井 浩巳
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依托单位:
固体表面場における触媒反応の電子的メカニズムに関する理論的研究
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批准号:08232246
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1996
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负责人:中井 浩巳
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依托单位:
固体表面場における触媒反応の電子的メカニズムに関する理論的研究
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批准号:07242242
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1995
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负责人:中井 浩巳
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依托单位:
銀触媒によるエチレンの部分酸化反応の電子的メカニズムに関する理論的研究
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批准号:06740445
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.77万
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财政年份:1994
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负责人:中井 浩巳
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依托单位:
表面増強ラマン散乱(SERS)の電子的発現機構に関する理論的研究
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批准号:05740359
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1993
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负责人:中井 浩巳
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依托单位:
海外基金