Study of the Formation of Single-Crystal Silicon Thin-Film Using Nanoimprint Seeding
纳米压印晶种形成单晶硅薄膜的研究
基本信息
- 批准号:18360025
- 负责人:
- 金额:$ 10.61万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2006
- 资助国家:日本
- 起止时间:2006 至 2008
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
ナノインプリント技術を応用して非晶質シリコン薄膜表面の極微領域に転写した金属の触媒作用による固相結晶化過程の促進、金属誘起固相結晶化過程に優先配向性を利用して結晶核を所望の位置に配列して発生させ、その結晶核をレーザー照射で大結晶へと拡大成長させ技術を開発した。これにより、従来の方法では不可能であった、結晶方位を揃えた擬似単結晶シリコン薄膜をガラス基板上に形成する新しい技術を開発した。
The application of the technology to the promotion of solid phase crystallization and metal-induced solid phase crystallization in the field of amorphous thin film surface particles, the development of the technology to utilize the preferential alignment of crystalline nuclei at desired positions, the formation of crystalline nuclei, the irradiation of crystalline nuclei, and the growth of crystalline nuclei. This is the first time that a new technology has been developed for the formation of a thin film on a substrate.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Investigation on Characteristic Variation of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor Using Laterally Grown Film
横向生长薄膜多晶硅薄膜晶体管特性变化的研究
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Akiyama;K. Watanabe;and T. Asano
- 通讯作者:and T. Asano
Characterization of Grain Boundary Effect on TFT Fabricated on Laterally Grown poly-Si Film
横向生长多晶硅薄膜上 TFT 晶界效应的表征
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Asano;K. Watanabe;K. Akiyama;G. Nakagawa and T. Kudo
- 通讯作者:G. Nakagawa and T. Kudo
Inkjet Printing of Ni Nano-Size-Particles for Metal Induced Crystallization of Amorphous Si
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- DOI:
- 发表时间:2006
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Ishida;G. Nakagawa and T. Asano
- 通讯作者:G. Nakagawa and T. Asano
Silicon Crystal Nanowires Produced by Metal-Induced Lateral Crystallization
金属诱导横向结晶生产硅晶体纳米线
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:G. Nakagawa and T. Asano
- 通讯作者:G. Nakagawa and T. Asano
Self-Heating of Laterally Grown Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor
横向生长多晶硅薄膜晶体管的自加热
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:G. Nakagawa and T. Asano;K. Watanabe and T. Asano
- 通讯作者:K. Watanabe and T. Asano
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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