Study of the Formation of Single-Crystal Silicon Thin-Film Using Nanoimprint Seeding
Study of the Formation of Single-Crystal Silicon Thin-Film Using Nanoimprint Seeding
纳米压印晶种形成单晶硅薄膜的研究
批准号：
18360025
负责人：
ASANO Tanemasa
金额：
$10.61万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
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英文摘要
ナノインプリント技術を応用して非晶質シリコン薄膜表面の極微領域に転写した金属の触媒作用による固相結晶化過程の促進、金属誘起固相結晶化過程に優先配向性を利用して結晶核を所望の位置に配列して発生させ、その結晶核をレーザー照射で大結晶へと拡大成長させ技術を開発した。これにより、従来の方法では不可能であった、結晶方位を揃えた擬似単結晶シリコン薄膜をガラス基板上に形成する新しい技術を開発した。
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Investigation on Characteristic Variation of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor Using Laterally Grown Film
横向生长薄膜多晶硅薄膜晶体管特性变化的研究
横向生长薄膜多晶硅薄膜晶体管特性变化的研究
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
Jpn.J.Appl.Phys Vol.48
影响因子：
--
作者：
[K. Akiyama, K. Watanabe, and T. Asano]
通讯作者：
and T. Asano
Characterization of Grain Boundary Effect on TFT Fabricated on Laterally Grown poly-Si Film
横向生长多晶硅薄膜上 TFT 晶界效应的表征
横向生长多晶硅薄膜上 TFT 晶界效应的表征
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Asano, K. Watanabe, K. Akiyama, G. Nakagawa and T. Kudo]
通讯作者：
G. Nakagawa and T. Kudo
Inkjet Printing of Ni Nano-Size-Particles for Metal Induced Crystallization of Amorphous Si
喷墨打印镍纳米颗粒用于非晶硅金属诱导结晶
喷墨打印镍纳米颗粒用于非晶硅金属诱导结晶
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Ishida, G. Nakagawa and T. Asano]
通讯作者：
G. Nakagawa and T. Asano
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
Jpn.J.Appl.Phys. Vol.48(掲載予定)
影响因子：
--
作者：
[G. Nakagawa and T. Asano]
通讯作者：
G. Nakagawa and T. Asano
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
Jpn.J.Appl.Phys. Vol.48
影响因子：
--
作者：
[G. Nakagawa and T. Asano, K. Watanabe and T. Asano]
通讯作者：
K. Watanabe and T. Asano
共 29 条
Study on high-speed doping mechanism of wet laser processing
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批准号：25289105
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.32万
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财政年份：2013
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负责人：ASANO Tanemasa
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依托单位：
Creation of Nano-device/CMOS Merged Three Dimensional Integrated Circuits Using Shape-Functionalized Micro-interconnect
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批准号：21246061
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$30.37万
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财政年份：2009
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负责人：ASANO Tanemasa
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依托单位：
Position and Orientation Control of Si Thin-Film Crystal Grain Using Nano-Imprint Technology
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批准号：15360022
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$8.64万
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财政年份：2003
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负责人：ASANO Tanemasa
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依托单位：
Thin-Film-Transistor and Its Layr-Structured Circuitry for Signal Prosessing Based on Probability
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批准号：08650406
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$1.47万
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财政年份：1996
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负责人：ASANO Tanemasa
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依托单位：
Investigation of Electron-Wave Interference Vacuum Microelectronics Devices
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批准号：05555010
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项目类别：Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
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资助金额：$3.2万
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财政年份：1993
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负责人：ASANO Tanemasa
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依托单位：
Fundamental Research of Single-Atomic Memories
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批准号：03452083
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额：$1.28万
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财政年份：1991
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负责人：ASANO Tanemasa
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依托单位：
海外基金