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Study on high-speed doping mechanism of wet laser processing

Study on high-speed doping mechanism of wet laser processing
湿法激光加工高速掺杂机理研究
批准号：
25289105
负责人：
ASANO Tanemasa
金额：
$11.32万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25289105/
关键词：
炭化シリコンSiCレーザープロセッシングレーザードーピング液中レーザーJBSダイオードオーミック接触パワーデバイスJBS電力用半導体素子ドーピング4H-SiC

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レーザドーピング装置及びレーザドーピング方法
激光掺杂设备及激光掺杂方法
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
研究者情報
研究员信息
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
n- and p-type doping of 4H-SiC by wet-chemical laser processing
通过湿化学激光加工对 4H-SiC 进行 n 型和 p 型掺杂
DOI： 10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.645
发表时间： 2014
期刊： Materials Science Forum
影响因子： --
作者： [K. Nishi, A. Ikeda, D. Marui, H. Ikenoue, T. Asano]
通讯作者： T. Asano
Formation of pn junction in 4H-SiC by irradiation of excimer laser in phosphoric solution
准分子激光在磷溶液中照射在4H-SiC中形成pn结
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Nishi, A. Ikeda, D. Marui, H. Ikenoue, T. Asano]
通讯作者： T. Asano
共 14 条
    Creation of Nano-device/CMOS Merged Three Dimensional Integrated Circuits Using Shape-Functionalized Micro-interconnect
    • 批准号：
      21246061
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $30.37万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      ASANO Tanemasa
    • 依托单位：
      Kyushu University
    Study of the Formation of Single-Crystal Silicon Thin-Film Using Nanoimprint Seeding
    • 批准号：
      18360025
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.61万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      ASANO Tanemasa
    • 依托单位：
      Kyushu University
    Position and Orientation Control of Si Thin-Film Crystal Grain Using Nano-Imprint Technology
    • 批准号：
      15360022
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $8.64万
    • 财政年份：
      2003
    • 负责人：
      ASANO Tanemasa
    • 依托单位：
      Kyusyu Institute of Technology
    Thin-Film-Transistor and Its Layr-Structured Circuitry for Signal Prosessing Based on Probability
    • 批准号：
      08650406
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $1.47万
    • 财政年份：
      1996
    • 负责人：
      ASANO Tanemasa
    • 依托单位：
      Kyusyu Institute of Technology
    国内基金
    海外基金
    高可靠性低损耗 Si IGBT+SiC JFET 串联混合管研究
    • 批准号：
      2026JJ80072
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      曾荣周
    • 依托单位：
      湖南工业大学
    空间辐射环境下沟槽型SiC MOSFET器件栅氧长期可靠性研究
    • 批准号：
      2026JJ60454
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      桂庆忠
    • 依托单位：
      湖南大学
    多芯片SiC并联高铁牵引变流器的软开关与动态均流协同控制研究
    基于REO/SiC界面调控的纳米复合强化自洁玻璃技术开发
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      黄兴才
    • 依托单位：
      盐城师范学院