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Study on high-speed doping mechanism of wet laser processing
湿法激光加工高速掺杂机理研究
基本信息
- 批准号：25289105
- 负责人：
- 金额：$ 11.32万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
n- and p-type doping of 4H-SiC by wet-chemical laser processing
通过湿化学激光加工对 4H-SiC 进行 n 型和 p 型掺杂
- DOI：10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.645
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Nishi;A. Ikeda;D. Marui;H. Ikenoue;T. Asano
- 通讯作者：T. Asano
Formation of pn junction in 4H-SiC by irradiation of excimer laser in phosphoric solution
准分子激光在磷溶液中照射在4H-SiC中形成pn结
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Nishi;A. Ikeda;D. Marui;H. Ikenoue;T. Asano
- 通讯作者：T. Asano
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