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Growth of dislocation-free GaN on Si substrates for long-life optical devices in opto-electronic integrated circuits
在硅衬底上生长无位错 GaN，用于光电集成电路中的长寿命光学器件
基本信息
- 批准号：18360155
- 负责人：
- 金额：$ 10.85万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2006
- 资助国家：日本
- 起止时间：2006 至 2009
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Growth of dislocation-free GaN on Si substrates is investigated for realizing long-life optical devices in opto-electronic integrated circuits. Micro-channel Epitaxy (MCE) is used to reduce the dislocation density. Selective growth and lateral growth of GaN are necessary for MCE. Consequently, excellent selective growth in wide temperature range of between 600-850℃ and preliminary MCE were successfully achieved using NH_3-based metal organic chemical vapor deposition, though the width of the lateral growth is as long as 1μm.
研究了在Si衬底上生长无位错GaN以实现长寿命光电子集成器件。微通道外延（MCE）是用来减少位错密度。GaN的选择性生长和横向生长是MCE所必需的。结果表明，采用NH_3基金属有机物化学气相沉积技术，虽然横向生长的宽度长达1μm，但在600-850℃的较宽温度范围内仍能实现良好的选择性生长，并实现了初步的MCE。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Effect of substrate surface on GaN dot structure grown on Si(111) by droplet epitaxy
衬底表面对 Si(111) 上液滴外延生长 GaN 点结构的影响
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Otsubo;T. Kondo;Y. Yamamoto T. Maruyama;S. Naritsuka
- 通讯作者：S. Naritsuka
AlGaAs-based optical device fabricated on Si substrate using microchannel epitaxy
采用微通道外延技术在 Si 衬底上制备 AlGaAs 基光学器件
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：D. Kanbayashi;Y. Ando;T. Kawakami;S. Naritsuka;T. Maruyama
- 通讯作者：T. Maruyama
RFラジカル源を用いたMBE-GaN選択成長に関する基礎的検討
利用射频自由基源选择性生长MBE-GaN的基础研究
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：長江祐基;丸山隆浩;成塚重弥
- 通讯作者：成塚重弥
XPS Study of Nitridation Mechanism of GaAs(001)Surface using RF-radical Source
射频自由基源XPS研究GaAs(001)表面氮化机理
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：成塚重弥;門野洋平;森みどり;竹内義孝;丸山隆浩
- 通讯作者：丸山隆浩
Growth Optimization of Low Angle Incidence Microchannel Epitaxy of GaAs layer on (001)GaAs substrates
(001)GaAs 衬底上低角入射微通道外延 GaAs 层的生长优化
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Naritsuka;S. Matsuoka;Y. Yamashita;Y. Yamamoto;T. Maruyama
- 通讯作者：T. Maruyama
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