Development of direct observation for potential distribution around metallic electrode/GaN interface to develop metallic electrode for GaN
Development of direct observation for potential distribution around metallic electrode/GaN interface to develop metallic electrode for GaN
开发直接观察金属电极/GaN界面周围电位分布的技术，开发GaN用金属电极
批准号：
18686051
负责人：
KATO Takeharu
金额：
$8.65万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
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英文摘要
金属/半導体界面の電位分布を電子線ホログラフィーにより解析するためのTEM試料作製技術を確立した。この技術により作製されたTEM試料の金属/半導体界面に電圧を印加するため、電極位置を正確に制御できるピエゾ駆動のTEMホルダーを用いた。このホルダーにより局所領域における金属/半導体界面の電流-電圧曲線を計測した。さらに、金属電極/半導体界面に順バイアスおよび逆バイアスを印加し、電子線ホログラフィーによる金属近傍の半導体内部における電位分布の変化から、空乏層と電界の変化をとらえることができた。
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会议论文
集束イオンビーム(FIB)加工法の現状と問題点
聚焦离子束（FIB）加工方法的现状及问题
聚焦离子束（FIB）加工方法的现状及问题
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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作者：
[加藤丈晴]
通讯作者：
加藤丈晴
TEM試料の作製技術
TEM样品制备技术
TEM样品制备技术
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[加藤丈晴, 加藤丈晴, 加藤丈晴]
通讯作者：
加藤丈晴
集束イオンビーム技術による試料作製
使用聚焦离子束技术制备样品
使用聚焦离子束技术制备样品
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[加藤丈晴, 加藤丈晴, 加藤丈晴, 加藤丈晴]
通讯作者：
加藤丈晴
In-situ observation technique of Schottky barriers around interface between metallic electrode and semiconductor
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批准号：17K06782
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.0万
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财政年份：2017
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负责人：KATO Takeharu
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依托单位：
In-situ analysis of potential distribution around interfaces between metals and semiconductors for the development of power devices
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批准号：26420671
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.24万
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财政年份：2014
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负责人：KATO Takeharu
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依托单位：
Direct observation of potential distribution around defect structures in semiconductor in the vicinity of metal/semiconductor interface
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批准号：23560795
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.41万
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财政年份：2011
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负责人：KATO Takeharu
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依托单位：
海外基金
