Development of direct observation for potential distribution around metallic electrode/GaN interface to develop metallic electrode for GaN

开发直接观察金属电极/GaN界面周围电位分布的技术，开发GaN用金属电极

• 批准号: 18686051
• 负责人: KATO Takeharu
• 金额: $ 8.65万
• 依托单位: Japan Fine Ceramics Center
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18686051/
• 关键词: 電子線ホログラフィー; ショットキー障壁; 電位分布; 金属; 半導体界面; FIB; 位相

金属/半導体界面の電位分布を電子線ホログラフィーにより解析するためのTEM試料作製技術を確立した。この技術により作製されたTEM試料の金属/半導体界面に電圧を印加するため、電極位置を正確に制御できるピエゾ駆動のTEMホルダーを用いた。このホルダーにより局所領域における金属/半導体界面の電流-電圧曲線を計測した。さらに、金属電極/半導体界面に順バイアスおよび逆バイアスを印加し、電子線ホログラフィーによる金属近傍の半導体内部における電位分布の変化から、空乏層と電界の変化をとらえることができた。

The electrical potential distribution at the metal

项目成果

集束イオンビーム(FIB)加工法の現状と問題点

聚焦离子束（FIB）加工方法的现状及问题

• 发表时间: 2009
• 作者: 加藤丈晴

TEM試料の作製技術

TEM样品制备技术

• 发表时间: 2009
• 作者: 加藤丈晴;加藤丈晴;加藤丈晴
• 通讯作者: 加藤丈晴

集束イオンビーム技術による試料作製

使用聚焦离子束技术制备样品

• 发表时间: 2008
• 作者: 加藤丈晴;加藤丈晴;加藤丈晴;加藤丈晴
• 通讯作者: 加藤丈晴