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In-situ analysis of potential distribution around interfaces between metals and semiconductors for the development of power devices
金属和半导体之间界面周围电势分布的原位分析，用于功率器件的开发
基本信息
- 批准号：26420671
- 负责人：
- 金额：$ 3.24万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
電気化学反応のその場観察の試み
电化学反应原位观察的尝试
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：鈴木隆文;曽布川栄太郎;高橋知里;佐々木勝寛;吉田竜視;加藤丈晴;徳永智春;山本剛久
- 通讯作者：山本剛久
Microstructural Characterization of Crazed Polypropylene Film by Scanning Electron Microscopy
通过扫描电子显微镜表征开裂聚丙烯薄膜的微观结构
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Hamanaka;T. Kato;A. Takeno;T. Hirayama
- 通讯作者：T. Hirayama
Structural Stability Design under Oxgen Potential Gradients at High Temperatures
高温氧势梯度下的结构稳定性设计
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Kitaoka;T. Matudaira;T. Yokoi;D. Yokoe;T. Kato and M. Takata
- 通讯作者：T. Kato and M. Takata
ダイヤモンドと立方晶窒化ホウ素単結晶の接合界面の創成と評価
金刚石与立方氮化硼单晶键合界面的创建与评估
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：谷口尚;陳春林;加藤丈晴;柴田直哉;幾原雄一
- 通讯作者：幾原雄一
Strategy for Electrodeposition of Highly Ductile Bulk Nanocrystalline Metals with a Face-Centered Cubic Structure
- DOI：10.2320/matertrans.m2014268
- 发表时间：2014-12-01
- 期刊：
- 影响因子：1.2
- 作者：Matsui, Isao;Takigawa, Yorinobu;Higashi, Kenji
- 通讯作者：Higashi, Kenji
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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In-situ observation technique of Schottky barriers around interface between metallic electrode and semiconductor
金属电极与半导体界面肖特基势垒原位观测技术
- 批准号：
17K06782 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Direct observation of potential distribution around defect structures in semiconductor in the vicinity of metal/semiconductor interface
直接观察金属/半导体界面附近半导体缺陷结构周围的电势分布
- 批准号：
23560795 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of direct observation for potential distribution around metallic electrode/GaN interface to develop metallic electrode for GaN
开发直接观察金属电极/GaN界面周围电位分布的技术，开发GaN用金属电极
- 批准号：
18686051 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
相似海外基金
電極積層構造制御による二次元半導体のショットキー障壁制御
通过控制电极堆叠结构控制二维半导体中的肖特基势垒
- 批准号：
24KJ0622 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
酸化物ヘテロ接合界面におけるショットキー障壁高さ変調メカニズムの解明と制御
氧化物异质结界面肖特基势垒高度调制机制的阐明和控制
- 批准号：
08J00499 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ショットキー障壁形成機構解明のための電気化学的アプローチ
电化学方法阐明肖特基势垒形成机制
- 批准号：
05650030 - 财政年份：1993
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
ショットキー障壁を用いた水素センサ
使用肖特基势垒的氢气传感器
- 批准号：
59550213 - 财政年份：1984
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
金属シリサイド/シリコン接合のショットキー障壁高さに関する研究
金属硅化物/硅结肖特基势垒高度研究
- 批准号：
X00080----546056 - 财政年份：1980
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
フックオンイオン注入法によるショットキー障壁形FETの高周波化に関する研究
挂接离子注入法提高肖特基势垒场效应管频率的研究
- 批准号：
X00210----275159 - 财政年份：1977
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
ショットキー障壁を用いたホット電子の研究
利用肖特基势垒研究热电子
- 批准号：
X45080------8617 - 财政年份：1970
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)