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In-situ analysis of potential distribution around interfaces between metals and semiconductors for the development of power devices

In-situ analysis of potential distribution around interfaces between metals and semiconductors for the development of power devices
金属和半导体之间界面周围电势分布的原位分析，用于功率器件的开发
批准号：
26420671
负责人：
KATO Takeharu
金额：
$3.24万
依托单位：
Japan Fine Ceramics Center
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26420671/
关键词：
電位分布ショットキー障壁金属／半導体空乏層電子線ホログラフィー金属/半導体界面FIB電位分布解析界面構造解析半導体的性質

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DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
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通讯作者： 山本剛久
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通讯作者： T. Hirayama
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发表时间： 2016
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作者： [谷口尚, 陳春林, 加藤丈晴, 柴田直哉, 幾原雄一]
通讯作者： 幾原雄一
共 8 条
    In-situ observation technique of Schottky barriers around interface between metallic electrode and semiconductor
    • 批准号：
      17K06782
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.0万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      KATO Takeharu
    • 依托单位：
      Japan Fine Ceramics Center
    Direct observation of potential distribution around defect structures in semiconductor in the vicinity of metal/semiconductor interface
    • 批准号：
      23560795
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.41万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      KATO Takeharu
    • 依托单位：
      Japan Fine Ceramics Center
    Development of direct observation for potential distribution around metallic electrode/GaN interface to develop metallic electrode for GaN
    • 批准号：
      18686051
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
    • 资助金额：
      $8.65万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      KATO Takeharu
    • 依托单位：
      Japan Fine Ceramics Center
    海外基金