In-situ observation technique of Schottky barriers around interface between metallic electrode and semiconductor
In-situ observation technique of Schottky barriers around interface between metallic electrode and semiconductor
金属电极与半导体界面肖特基势垒原位观测技术
批准号：
17K06782
负责人：
KATO Takeharu
金额：
$3.0万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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Formation of Nanodomains in a BaTiO3 Film Induced by Anisotropic Strain from an Orthorhombic GdScO3 Substrate
正交晶系 GdScO3 基底各向异性应变诱导 BaTiO3 薄膜中纳米域的形成
正交晶系 GdScO3 基底各向异性应变诱导 BaTiO3 薄膜中纳米域的形成
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Kobayashi, K. Inoue, T. Kato, Y. Ikuhara, T. Yamamoto]
通讯作者：
T. Yamamoto
FIB-SEM複合機による無機材料の解析例
使用FIB-SEM复合机分析无机材料的实例
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DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Kojima, T. Baba, C. Yukita, K. Inamoto, M. Ueda, K. Yamaki, and N. Uekawa, 西野洋一, 加藤丈晴]
通讯作者：
加藤丈晴
電子線トモグラフィーの非線型透過率補正にお けるノイズ問題の解決法
如何解决电子断层扫描非线性透过率校正中的噪声问题
如何解决电子断层扫描非线性透过率校正中的噪声问题
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kenji Aramaki, Sachi Koitani, Sonja Dieterich, Natalie Preisig, Cosima Stubenrauch, 照屋 海登，山﨑 順，加藤 丈晴，藤田 直弘，馬 場 則男]
通讯作者：
照屋 海登，山﨑 順，加藤 丈晴，藤田 直弘，馬 場 則男
Hydroxyapatite mesocrystal formation by hydrothermal treatment of octacalcium phosphate with incorporated dicarboxylate ions
通过水热处理掺入二羧酸根离子的磷酸八钙形成羟基磷灰石介晶
通过水热处理掺入二羧酸根离子的磷酸八钙形成羟基磷灰石介晶
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Taishi Yokoi, Tomoyo Goto, Jin Nakamura, Chikara Ohtsuki, Takeharu Kato, Seiji Takahashi]
通讯作者：
Seiji Takahashi
有機修飾型リン酸八カルシウムの水熱処理によるヒドロキシアパタイトの合成
有机改性磷酸八钙水热处理合成羟基磷灰石
有机改性磷酸八钙水热处理合成羟基磷灰石
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[横井太史, 後藤知代, 加藤丈晴, 高橋誠治]
通讯作者：
高橋誠治
共 15 条
In-situ analysis of potential distribution around interfaces between metals and semiconductors for the development of power devices
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批准号：26420671
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.24万
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财政年份：2014
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负责人：KATO Takeharu
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依托单位：
Direct observation of potential distribution around defect structures in semiconductor in the vicinity of metal/semiconductor interface
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批准号：23560795
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.41万
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财政年份：2011
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负责人：KATO Takeharu
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依托单位：
Development of direct observation for potential distribution around metallic electrode/GaN interface to develop metallic electrode for GaN
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批准号：18686051
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额：$8.65万
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财政年份：2006
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负责人：KATO Takeharu
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依托单位：
海外基金