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Development of X-ray scattering measurement system for in-situ observations of semiconductor crystalline growth

Development of X-ray scattering measurement system for in-situ observations of semiconductor crystalline growth
半导体晶体生长原位观测X射线散射测量系统的开发
批准号：
19360006
负责人：
TABUCHI Masao
金额：
$11.98万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360006/
关键词：
X 線回折・散乱半導体結晶成長その場観察ヨハンソン分光結晶X線CTR散乱測定既存の実験室系X線源角度分散のあるX線その場測定回転移動不要結晶工学結晶成長半導体超微細化量子井戸

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究極の半導体デバイス開発に必要な、1原子層の精度で界面を評価するX線CTR散乱測定の新しい測定系の開発を行った.固定された試料結晶が焦点に来るように集光されたX 線源と2次元の検出器を組み合わせることで、1) 実験室レベルのX 線源で実現可能、2) 可動部を不要、3) 他の装置等との組み合わせ可能、などの様々な利点を持つ測定系が構築でき、従来のより大型の装置と遜色のない性能をえた.
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会议论文
X-ray CTR scattering measurement to investigate the formation process of InP/GaInAs interface
X射线CTR散射测量研究InP/GaInAs界面的形成过程
DOI： 10.1088/1742-6596/83/1/012031
发表时间： 2007
期刊： Journal of Physics : Conference Series
影响因子： --
作者： [M. Tabuchi, A. Mori, Y. Ohtake, and Y. Takeda]
通讯作者： and Y. Takeda
成長温度と成長速度がInP/GaInAs 界面に及ぼす影響のX 線CTR 散乱法による解析
X射线CTR散射法分析生长温度和生长速率对InP/GaInAs界面的影响
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [為岡博, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和]
通讯作者： 竹田美和
Influence of growth rate and temperature on InP/GaInAs interface structure analyzed by X-ray CTR scattering measurement
X射线CTR散射测量分析生长速率和温度对InP/GaInAs界面结构的影响
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [H. Tameoka, A. Mori, M. Tabuchi, and Y. Takeda]
通讯作者： and Y. Takeda
Mechanisms of As distribution in InP on GaInAs layer grown by OMVPE
OMVPE 生长的 GaInAs 层上 InP 中 As 的分布机制
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [M. Tabuchi, Y. Ohtake, A. Mori, and Y. Takeda]
通讯作者： and Y. Takeda
共 24 条
    Distributions of impurity atoms in semiconductors analyzed by X-ray CTR scattering measurement
    • 批准号：
      14550007
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.24万
    • 财政年份：
      2002
    • 负责人：
      TABUCHI Masao
    • 依托单位：
      Nagoya University
    海外基金