Si 和 La 基氧化物之间界面的原子尺度介电特性-猫眼课题宝

Si 和 La 基氧化物之间界面的原子尺度介电特性

批准号：

19560020

负责人：

NAKAMURA Jun

金额：

$2.75万

依托单位：

The University of Electro-Communications

依托单位国家：

日本

项目类别：

Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

财政年份：

2007

资助国家：

日本

项目状态：

已结题

起止时间：

2007 至 2009

来源：

https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560020/

关键词：

ナノ材料電子デバイス表面界面物性

项目摘要

项目成果

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密度汎関数理論に基づく第一原理電子状態計算を用いて、La酸化物超薄膜単体およびLa酸化物とSi基板界面における原子レベル誘電特性、電子状態計算を行った。La酸化物表面においては、表面緩和により誘電率が著しく低下することがわかった。また、界面におけるバンドオフセットは、界面原子配列の詳細に大きく依存することがわかった。

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会议论文

第一原理計算によるSi(001)/ba2O3(01-10)界面のバンドオフセット評価

使用第一原理计算评估 Si(001)/ba2O3(01-10) 界面的能带偏移

DOI： --

发表时间： 2009

期刊：

影响因子： --

作者：

[J. Nakamura, A. Natori, 涌井貞一, 谷内良亮, 田村雅大, 田村雅大, 谷内良亮]

通讯作者：谷内良亮

HfO2薄膜の誘電特性:結晶構造依存性

HfO2 薄膜的介电性能：取决于晶体结构

DOI： --

发表时间： 2009

期刊：

影响因子： --

作者：

[J. Nakamura, A. Natori, 涌井貞一, 谷内良亮, 田村雅大, 田村雅大, 谷内良亮, 涌井貞一]

通讯作者：涌井貞一

In-plane strain effects on dielectric properties of the HfO2 thin film

面内应变对 HfO2 薄膜介电性能的影响

DOI： --

发表时间： 2009

期刊：

J.Vac.Sci.Technol.B 27

影响因子： --

作者：

[J. Inoue, T. Chiba, A. Natori, J. Nakamura, S.Wakui]

通讯作者： S.Wakui

Nano-scale profile of the dielectric constant near surfaces and interfaces : A first-principles approach(招待講演)

表面和界面附近介电常数的纳米级分布：第一原理方法（特邀演讲）

DOI： --

发表时间： 2009

期刊：

影响因子： --

作者：

[J. Nakamura, A. Natori, 涌井貞一, 谷内良亮, 田村雅大, 田村雅大, 谷内良亮, 涌井貞一, J. Nakamura, J.Nakamura]

通讯作者： J.Nakamura

Poly type dependence of permittivity of SiC films

SiC 薄膜介电常数的多晶型依赖性

DOI： --

发表时间： 2008

期刊：

影响因子： --

作者：

[J. Nakamura, A. Natori, 涌井貞一, 谷内良亮, 田村雅大, 田村雅大, 谷内良亮, 涌井貞一, J. Nakamura, J.Nakamura, J.Nakamura, S. Wakui, K. Sato, R. Yanai, J. Nakamura, J. Nakamura]

通讯作者： J. Nakamura