Atomic-scale dielectric properties at the interface between Si and La-based oxides

Si 和 La 基氧化物之间界面的原子尺度介电特性

• 批准号: 19560020
• 负责人: NAKAMURA Jun
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: The University of Electro-Communications
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560020/
• 关键词: ナノ材料; 電子デバイス; 表面界面物性

密度汎関数理論に基づく第一原理電子状態計算を用いて、La酸化物超薄膜単体およびLa酸化物とSi基板界面における原子レベル誘電特性、電子状態計算を行った。La酸化物表面においては、表面緩和により誘電率が著しく低下することがわかった。また、界面におけるバンドオフセットは、界面原子配列の詳細に大きく依存することがわかった。

Density universal number theory is used for first principle electronic state calculation, La acid compound ultra-thin film monolithic La acid compound and Si substrate interface are used for atomic and electronic properties, and electronic state calculation is performed. The surface of La acid compound is smooth, the surface is relaxed, and the dielectric constant is low, so it is low.また, interface におけるバンドオフセットは, interface atomic arrangement details に大きくdependence することがわかった.

项目成果

第一原理計算によるSi(001)/ba2O3(01-10)界面のバンドオフセット評価

使用第一原理计算评估 Si(001)/ba2O3(01-10) 界面的能带偏移

• 发表时间: 2009
• 作者: J. Nakamura;A. Natori;涌井貞一;谷内良亮;田村雅大;田村雅大;谷内良亮
• 通讯作者: 谷内良亮

HfO2薄膜の誘電特性:結晶構造依存性

HfO2 薄膜的介电性能：取决于晶体结构

• 发表时间: 2009
• 作者: J. Nakamura;A. Natori;涌井貞一;谷内良亮;田村雅大;田村雅大;谷内良亮;涌井貞一
• 通讯作者: 涌井貞一

In-plane strain effects on dielectric properties of the HfO2 thin film

面内应变对 HfO2 薄膜介电性能的影响

• 发表时间: 2009
• 期刊: J.Vac.Sci.Technol.B 27
• 作者: J. Inoue;T. Chiba;A. Natori;J. Nakamura;S.Wakui
• 通讯作者: S.Wakui

Nano-scale profile of the dielectric constant near surfaces and interfaces : A first-principles approach(招待講演)

表面和界面附近介电常数的纳米级分布：第一原理方法（特邀演讲）

• 发表时间: 2009
• 作者: J. Nakamura;A. Natori;涌井貞一;谷内良亮;田村雅大;田村雅大;谷内良亮;涌井貞一;J. Nakamura;J.Nakamura
• 通讯作者: J.Nakamura

Poly type dependence of permittivity of SiC films

SiC 薄膜介电常数的多晶型依赖性

• 发表时间: 2008
• 作者: J. Nakamura;A. Natori;涌井貞一;谷内良亮;田村雅大;田村雅大;谷内良亮;涌井貞一;J. Nakamura;J.Nakamura;J.Nakamura;S. Wakui;K. Sato;R. Yanai;J. Nakamura;J. Nakamura
• 通讯作者: J. Nakamura