Characterization of SiC-crystal growth by micro-Raman spectroscopy

通过显微拉曼光谱表征 SiC 晶体生长

基本信息

项目摘要

Den Schwerpunkt dieses Teilprojektes stellt ein neuartiger Ansatz dar, um mit Hilfe der Ramanspektroskopie bisher nicht zugängliche Informationen über den Massentransport bei der Kristallzüchtung zu erhalten. Dabei soll Quellenmaterial aus hoch angereicherten 13C-Isotopen als Sonde verwendet werden, um dem Kohlenstofftransport im Züchtungsofen nachzugehen. Dieser Transport kann innerhalb des Quellenmaterials stattfinden, zwischen Quellenmaterial und Tiegelwand oder vom Quellenmaterial in den wachsenden SiC-Kristall. Der physikalische Hintergrund beruht auf der Tatsache, dass die Frequenzen der Gitterschwingungen mit zunehmender Atommasse abnehmen, d.h. dass im Ramanspektrum auftretende Linien sich durch den Austausch von 12C durch 13C zu niedrigeren Frequenzen verschieben. Die Herausforderung dieses Projektes ist, für SiC-Kristalle mit einer Mischung von 12C und 13C-Isotopen den genauen Zusammenhang zwischen Mischungsverhältnis und Ramanverschiebung der Moden zu untersuchen. Es geht dabei um Phononen-Selbstenergiekorrekturen aufgrund von Streuung durch Massenunordnung. Für das Studium dieser Korrekturen ist SiC ein ideales Material, da aufgrund seines Polytypismus die Phononendispersionskurven von 3C-SiC in der (111)-Richtung rekonstruiert werden können. Ziel der Untersuchungen ist es, eine quantitativ präzise Methode zur Verfügung zu haben, um dem Massentransport bei der Kristallzucht nachzugehen. Bei der modifizierten PVT-Züchtung, bei der sowohl mit einer Feststoffquelle, als auch mit gasförmigen Quellen gearbeitet wird, ergibt sich so z.B. durch den Einsatz von 13C-haltigem Methan die Möglichkeit, zu differenzieren, wieviel des Kohlenstoffs aus den beiden Quellen stammt.
您的位置:凡人谷知道>地区/地区>地区/地区。从13C的角度来看,这是一种非常重要的物质,也是一种新的运输方式。在瓦赫森登的碳化硅中,所有的原材料和原材料都是从内部运来的。他说:“我不知道你的纹身是什么样子的,我不知道你是怎么做的。”从12C到13C,所有的人都是这样的。从12C和13C到13C这是一个很大的问题,也是一个很大的问题。在理想材料中的Für das Studium Dieser Korrekturen,da aufgrund Sees Polytyismus die Phononendisdissionskurven von 3C-SiC in der(111)-Richtung rekonstriert wen den könnnen。这是一个非常重要的问题,因为它是一种定量的方法,可以用来解决问题。在此基础上,提出了一种新的解决方案

项目成果

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