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Evaluation of crystalline quality of GaInN grown on high-quality nonpolar or semipolar GaN

Evaluation of crystalline quality of GaInN grown on high-quality nonpolar or semipolar GaN
在高质量非极性或半极性 GaN 上生长的 GaInN 晶体质量评估
批准号：
20860057
负责人：
OKADA Narihito
金额：
$2.1万
依托单位：
Yamaguchi University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2009
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20860057/
关键词：
サファイア加工基板GaNGaInN非極性面非極性面GaN

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We established novel growth technique to fabricate high-quality nonpolar or semipolar GaN. The technique led GaN with "low-cost, large, and high-quality" which are essential for the commercialization. Specifically, GaN is grown from sapphire sidewall in stripe-patterned sapphire substrate. Finally, GaInN was grown on high-quality nonpolar or semipolar GaN and evaluated. As a result, we found the condition to obtain high-quality GaInN.
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会议论文
Growth of m ‐GaN layers by epitaxial lateral overgrowth from sapphire sidewalls
通过蓝宝石侧壁外延横向过度生长来生长 m-GaN 层
DOI： 10.1002/pssa.200880930
发表时间： 2009
期刊： physica status solidi (a)
影响因子： --
作者： [N. Okada, Y. Kawashima, K. Tadatomo]
通讯作者： K. Tadatomo
半導体発光素子の製造方法
半导体发光装置的制造方法
DOI： --
发表时间： 2005
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
a面サファイア加工基板上に成長するm面GaNの成長配向依存性
在 a 面蓝宝石加工衬底上生长的 m 面 GaN 的生长方向依赖性
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [鵜殿治彦, 高橋良幸, 氏家裕介, 大杉功, 飯田努, 川嶋佑治]
通讯作者： 川嶋佑治
サファイア基板上のGaN成長の新展開
蓝宝石衬底上GaN生长的新进展
DOI： --
发表时间： 2010
期刊： 応用物理 1
影响因子： --
作者： [Kim, S.Y., Yasuda, T., Mase, H., Matsumi, Y., Soo Youl Kim, Soo Youl Kim, Yuji Kawashima, Akihiro Kurisu, 只友一行]
通讯作者： 只友一行
共 28 条
    Elucidation of optical and electrical luminescence characteristics of light-emitting diodes fabricated on high-quality semipolar InGaN template
    • 批准号：
      24760012
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.91万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      OKADA Narihito
    • 依托单位：
      Yamaguchi University
    国内基金
    海外基金
    垂直型GaN肖特基势垒二极管研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      刘梦涵
    • 依托单位：
      南京信息职业技术学院
    异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
    基于金刚石高效散热封装的高功率高压GaN器件研发与产业化
    复合抗磨涂层仿生微结构化表面自润滑 金刚石砂轮的制备与其磨削单晶GaN基础 研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      10.0万元
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      戴厚富
    • 依托单位：
      汕头大学