Evaluation of crystalline quality of GaInN grown on high-quality nonpolar or semipolar GaN

在高质量非极性或半极性 GaN 上生长的 GaInN 晶体质量评估

• 批准号: 20860057
• 负责人: OKADA Narihito
• 金额: $ 2.1万
• 依托单位: Yamaguchi University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20860057/
• 关键词: サファイア加工基板; GaN; GaInN; 非極性面; 非極性面GaN

We established novel growth technique to fabricate high-quality nonpolar or semipolar GaN. The technique led GaN with "low-cost, large, and high-quality" which are essential for the commercialization. Specifically, GaN is grown from sapphire sidewall in stripe-patterned sapphire substrate. Finally, GaInN was grown on high-quality nonpolar or semipolar GaN and evaluated. As a result, we found the condition to obtain high-quality GaInN.

我们建立了新的生长技术来制备高质量的非极性或半极性GaN。该技术使GaN具有了“低成本、大尺寸、高质量”，这是商业化所必需的。具体地，GaN从条纹图案化蓝宝石衬底中的蓝宝石侧壁生长。最后，在高质量的非极性或半极性GaN上生长GaInN并进行评估。结果，我们找到了获得高质量GaInN的条件。

项目成果

Growth of m ‐GaN layers by epitaxial lateral overgrowth from sapphire sidewalls

通过蓝宝石侧壁外延横向过度生长来生长 m-GaN 层

• DOI: 10.1002/pssa.200880930
• 发表时间: 2009
• 期刊: physica status solidi (a)
• 作者: N. Okada;Y. Kawashima;K. Tadatomo
• 通讯作者: K. Tadatomo

半導体発光素子の製造方法

半导体发光装置的制造方法

• 发表时间: 2005

a面サファイア加工基板上に成長するm面GaNの成長配向依存性

在 a 面蓝宝石加工衬底上生长的 m 面 GaN 的生长方向依赖性

• 发表时间: 2009
• 作者: 鵜殿治彦;高橋良幸;氏家裕介;大杉功;飯田努;川嶋佑治
• 通讯作者: 川嶋佑治

サファイア基板上のGaN成長の新展開

蓝宝石衬底上GaN生长的新进展

• 发表时间: 2010
• 期刊: 応用物理 1
• 作者: Kim;S.Y.;Yasuda;T.;Mase;H.;Matsumi;Y.;Soo Youl Kim;Soo Youl Kim;Yuji Kawashima;Akihiro Kurisu;只友一行
• 通讯作者: 只友一行

Direct growth of m-plane GaN on grooved-patterned a-plane sapphire substrate with SiO2 mask

使用 SiO2 掩膜在沟槽图案 a 面蓝宝石衬底上直接生长 m 面 GaN

• 发表时间: 2008
• 作者: N. Okada;Y. Kawashima;K. Tadatomo
• 通讯作者: K. Tadatomo