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Doping of Functional Impurities in Silicon Nanocrystals and Nanowires for Novel Properties

Doping of Functional Impurities in Silicon Nanocrystals and Nanowires for Novel Properties
硅纳米晶体和纳米线中功能杂质的掺杂以获得新性能
批准号：
21510112
负责人：
MURAKAMI Kouichi
金额：
$2.91万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2009 至 2011
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21510112/
关键词：
SiナノワイヤSiナノ結晶界面水素パッシベーション不純物ドーピング最大固溶度酸化と偏析挙動新物性CVD作成法酸化に伴う不純物偏析出動径方向濃度分布測定イオン注入水素原子処スピンメモリー効果機能性不純物ドーピングドナーイオン注入効果フォトルミネッセンス常磁性の偶奇性水素原子処理効果

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We have investigated 1)hydrogen (H) passivation of the interfaces of SiO2 and Si crystalline cores in SiNWs and SiNCs, and 2) novel properties for impurity-doped SiNWs and SiNCs. It was found in this study that donor and acceptor impurities with each maximum solubility can be doped in them and show the opposite segregation effects, and novel optical and magnetic properties are demonstrated in H-passivated samples.
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会议论文
Siナノワイヤ中のBアクセプタ濃度分布の定量評価
Si纳米线中B受体浓度分布的定量评估
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [滝口亮, 石田慎哉, 横野茂輝, 深田直樹, 陳君, 関口隆史, 村上浩一]
通讯作者： 村上浩一
Siナノワイヤにイオン注入したBの電気の活性化
注入硅纳米线的 B 离子的电激活
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [齋藤直之, 石田慎哉, 横野茂輝, 深田直樹, 陣君, 関口隆史, 菱田俊一, 村上浩一]
通讯作者： 村上浩一
Segregation Behaviors and Radial Distribution of Dopant Atoms in Silicon Nanowires
DOI： 10.1021/nl103773e
发表时间： 2011-02-01
期刊： NANO LETTERS
影响因子： 10.8
作者： [Fukata, Naoki, Ishida, Shinya, Murakami, Kouichi]
通讯作者： Murakami, Kouichi
Electronic States of P Donors in Si Nanocrystals Embedded in Amorphous SiO2 Layer Studied by Electron Spin Resonance: Hydrogen Passivation Effects
DOI： 10.1143/jjap.48.081201
发表时间： 2009-08
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [K. Murakami;M. Tsujimura;Ryota Shirakawa;N. Uchida;N. Fukata]
通讯作者： K. Murakami;M. Tsujimura;Ryota Shirakawa;N. Uchida;N. Fukata
共 10 条
    Ethnological Research on the Cultures of the Immigrant People to Karafuto in Japan Era, 1905-1945
    • 批准号：
      21320167
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $9.82万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      MURAKAMI Kouichi
    • 依托单位：
      History Museum of Hokkaido
    Control of Hydrogen in Si and its Application to Thin Film Transistor
    • 批准号：
      11555001
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $8.19万
    • 财政年份：
      1999
    • 负责人：
      MURAKAMI Kouichi
    • 依托单位：
      University of Tsukuba
    Measurement and Evaluation of Defects induced by Processing of Small Regions by means of Interface-Barrier-Controlled Electron Spin Resonance
    海外基金