课题基金 / 基金详情

Epitaktisch gewachsene AlGaInAsSb-Schichtenfolgen für Halbleiterlaser im mittleren Infrarot

Epitaktisch gewachsene AlGaInAsSb-Schichtenfolgen für Halbleiterlaser im mittleren Infrarot
用于中红外半导体激光器的外延生长 AlGaInAsSb 层序列
批准号：
5393839
负责人：
Professor Dr. Henning Fouckhardt
金额：
$0.0万
依托单位：
Arbeitsgruppe Integrierte Optoelektronik und Mikrooptik
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
1997
资助国家：
德国
项目状态：
已结题
起止时间：
1996-12-31 至 2001-12-31
来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5393839?language=en
关键词：
EpitaktischgewachseneAlGaInAsSbSchichtenfolgenHalbleiterlaser

项目摘要

项目成果

Professor Dr. Henning Fouckhardt的其他基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
No abstract available
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Optoelectrowetting for actuation of nanoliter droplets, revisited
Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) for III/V semiconductor crystal dry-etching (RIE) for in-situ identification of self-organized roughness (roughness-RIE-RAS)
In-situ etch depth control with precision around 1 nm via reflectance anisotropy spectroscopy during reactive ion etching of monocrystalline III/V semiconductors
Breitstreifenlaser mit monolithisch integriertem Transversalmodenselektor in geradem Resonator