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Integriert-Fourier-optische Transversalmodenselektoren für Breitstreifenlaser

Integriert-Fourier-optische Transversalmodenselektoren für Breitstreifenlaser
用于宽带激光器的集成傅里叶光学横向模式选择器
批准号:
5170110
负责人:
Professor Dr. Henning Fouckhardt
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
1999
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
1998-12-31 至 2002-12-31

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项目成果

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Breitstreifenlaserdioden (und Laserdiodenarrays) dienen zur Erzeugung hoher Lichtleistungen. Die Leistung ist aber aufgrund der Verstärkungsfilamentation oft nur schlecht auf die transversale Grundmode konzentriert. Dies macht es z.B. schwierig, sie in kleine Volumina bzw. Querschnitte zu fokussieren. Die Leistungsstärke dieser Laser kann daher oft nicht genutzt werden. Dieses Problem bekommt umso mehr Gewicht, wenn es sich um Laser-Materialien, wie AlGaInP handelt, die technologisch nur ungenügend beherrscht werden und ohnehin nur relativ geringe Leistungen aufweisen. Verschiedene Freistrahl-Konzepte für optische Transversalmodenformer oder -selektoren mit speziellen "intra" oder "extra-cavitiy"-Rückkopplungsmechanismen werden von verschiedenen Gruppen zur Verbesserung genutzt. Wir verfolgen ein integriert-optisches Konzept mit einem Fourieroptischen 4f- bzw. 2f-Aufbau. Die 4f-Anordnung ermöglicht prinzipiell die Selektion nicht nur der transversalen Grundmode, sondern gezielt auch bestimmter höherer Moden. Der 2f-Aufbau- nur zur Selektion der transversalen Fundamentalmode - besticht durch seine Einfachheit und basiert auf dem Ähnlichkeitssatz der Fourier-Transformation; dadurch sollte eine sehr starke zeitliche Stabilisierung der Transversalmodenemission möglich sein.
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Optoelectrowetting for actuation of nanoliter droplets, revisited
Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) for III/V semiconductor crystal dry-etching (RIE) for in-situ identification of self-organized roughness (roughness-RIE-RAS)
In-situ etch depth control with precision around 1 nm via reflectance anisotropy spectroscopy during reactive ion etching of monocrystalline III/V semiconductors
Breitstreifenlaser mit monolithisch integriertem Transversalmodenselektor in geradem Resonator
国内基金
海外基金
基于自适应Fourier分解型方法的非高斯过程模拟研究
  • 批准号:
    LQ23A010014
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2023
  • 负责人:
    曲伟
  • 依托单位:
非交换Fourier-Schur乘子理论及应用
  • 批准号:
    12301161
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    30万元
  • 批准年份:
    2023
  • 负责人:
    王斯萌
  • 依托单位:
自相似测度Fourier变换的衰减性研究
  • 批准号:
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2022
  • 负责人:
  • 依托单位:
高维Fourier 级数和Chebyshev 级数的最优截断研究
  • 批准号:
    2021JJ40331
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2021
  • 负责人:
    张晓龙
  • 依托单位: