Theoretical study on abnormal phenomena and degradation in GaN-based HEMTs and reuction method of them
Theoretical study on abnormal phenomena and degradation in GaN-based HEMTs and reuction method of them
批准号:
23560411
负责人:
HORIO KAZUSHIGE
金额:
$3.33万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2011
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2011 至 2013
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
Two-dimensional analysis of slow current transients in AlGaN/GaN field effecttransistors is performed and their mechanisms are studied. Also the method of reduce these slow transients is discussed. Particularly, it is shown that the slow transients are reduced by introducing a so-called field plate, and the optimum field-plate structures are discussed. It is also discussed how the off-state breakdown voltage is enhanced by introducing a field plate.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
フィールドプレート構造微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性の数値解析
场板结构精细AlGaN/GaN HEMT耐压特性数值分析
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[柴山, 平野, 若林, 山内, 中野, 小野寺,中島,堀尾]
通讯作者:
小野寺,中島,堀尾
DOI:
10.1109/ted.2014.2298194
发表时间:
2014-03-01
期刊:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
影响因子:
3.1
作者:
[Hanawa, Hideyuki, Onodera, Hiraku, Horio, Kazushige]
通讯作者:
Horio, Kazushige
Similarities of lags, current collapse and breakdown characteristics between source and gate field-plate AlGaN/GaN HEMTs
源极场板 AlGaN/GaN HEMT 之间的滞后、电流崩塌和击穿特性的相似性
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[H. Hanawa, H. Onodera, A. Nakajima, K. Horio]
通讯作者:
K. Horio
微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析
缓冲层和场板中杂质对精细AlGaN/GaN HEMT击穿电压特性的影响分析
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y. Nakatani, T. Hayashi, H. Itozaki, 小野寺,中島,堀尾]
通讯作者:
小野寺,中島,堀尾
DOI:
10.1088/0268-1242/27/8/085016
发表时间:
2012-08
期刊:
Semiconductor Science and Technology
影响因子:
1.9
作者:
[H. Onodera;K. Horio]
通讯作者:
H. Onodera;K. Horio
共 26 条
国内基金
海外基金
登录
查看更多内容
异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
-
批准号:
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2025
-
负责人:沈竞宇
-
依托单位:
图形化衬底调控极端电应力下硅基氮化
镓HEMT器件位错缺陷的形成演化机制研
究
-
批准号:
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:10.0万元
-
批准年份:2025
-
负责人:江希
-
依托单位:
面向无人机应用的增强型p-gate
AlGaN/GaN HEMT高功率微波辐射效应及
机理研究
-
批准号:
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:10.0万元
-
批准年份:2025
-
负责人:何亮
-
依托单位:
AlGaN/GaN HEMT射频器件ESD应力下损伤机理研究
-
批准号:
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2024
-
负责人:叶然
-
依托单位:
基于多物理场的GaN HEMT与高频变换器参数性能优化研究
-
批准号:
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2024
-
负责人:
-
依托单位:
基于Syk靶点应用HEMT传感技术筛选二陈汤中抗过敏活性成分
-
批准号:
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2024
-
负责人:
-
依托单位:
全外延ScAlN薄膜及其HEMT结构的铁电极化调控研究
-
批准号:62374002
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:48万元
-
批准年份:2023
-
负责人:王平
-
依托单位:
基于π形栅的p-GaN HEMT阈值电压负向漂移抑制技术研究
-
批准号:62374003
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:55万元
-
批准年份:2023
-
负责人:王茂俊
-
依托单位:
飞秒脉冲激光诱导GaN HEMT在功率运行工况下的单粒子效应机理研究
-
批准号:62304102
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:30万元
-
批准年份:2023
-
负责人:周峰
-
依托单位:
增强型HEMT中p-GaN栅双结的强场、高频物性匹配及其加固方法研究
-
批准号:62304242
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:30万元
-
批准年份:2023
-
负责人:钟耀宗
-
依托单位: