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Theoretical study on abnormal phenomena and degradation in GaN-based HEMTs and reuction method of them
GaN基HEMT异常现象和退化的理论研究及其还原方法
基本信息
- 批准号：23560411
- 负责人：
- 金额：$ 3.33万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2011
- 资助国家：日本
- 起止时间：2011 至 2013
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Two-dimensional analysis of slow current transients in AlGaN/GaN field effecttransistors is performed and their mechanisms are studied. Also the method of reduce these slow transients is discussed. Particularly, it is shown that the slow transients are reduced by introducing a so-called field plate, and the optimum field-plate structures are discussed. It is also discussed how the off-state breakdown voltage is enhanced by introducing a field plate.
对Algan/GAN场效应的慢速瞬变进行了二维分析，并研究了其机制。还讨论了减少这些缓慢瞬变的方法。特别是，可以表明，通过引入所谓的场板来减少慢速瞬变，并讨论了最佳的场板结构。还讨论了如何通过引入野外板如何增强态度故障电压。
项目成果
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专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Numerical Analysis of Breakdown Voltage Enhancement in AlGaN/GaN HEMTs With a High-k Passivation Layer
- DOI：10.1109/ted.2014.2298194
- 发表时间：2014-03-01
- 期刊：
- 影响因子：3.1
- 作者：Hanawa, Hideyuki;Onodera, Hiraku;Horio, Kazushige
- 通讯作者：Horio, Kazushige
フィールドプレート構造微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性の数値解析
场板结构精细AlGaN/GaN HEMT耐压特性数值分析
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：柴山;平野;若林;山内;中野;小野寺，中島，堀尾
- 通讯作者：小野寺，中島，堀尾
微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析
缓冲层和场板中杂质对精细AlGaN/GaN HEMT击穿电压特性的影响分析
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Nakatani;T. Hayashi;H. Itozaki;小野寺，中島，堀尾
- 通讯作者：小野寺，中島，堀尾
Similarities of lags, current collapse and breakdown characteristics between source and gate field-plate AlGaN/GaN HEMTs
源极场板 AlGaN/GaN HEMT 之间的滞后、电流崩塌和击穿特性的相似性
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Hanawa;H. Onodera;A. Nakajima;K. Horio
- 通讯作者：K. Horio
ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTにおける電流コラプスの解析
源场板结构AlGaN/GaN HEMT电流崩塌分析
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Kiso;H. Yoshikawa;Y. Ishibashi;K. Nishisaka;K. Ogata;T. Maemoto;S. Sasa;M. Inoue;塙，小野寺，堀尾
- 通讯作者：塙，小野寺，堀尾
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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