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Theoretical study on abnormal phenomena and degradation in GaN-based HEMTs and reuction method of them

Theoretical study on abnormal phenomena and degradation in GaN-based HEMTs and reuction method of them
GaN基HEMT异常现象和退化的理论研究及其还原方法
批准号：
23560411
负责人：
HORIO KAZUSHIGE
金额：
$3.33万
依托单位：
Shibaura Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011 至 2013
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560411/
关键词：
ガリウムナイトライドHEMT電流コラプスフィールドプレート耐圧２次元解析バッファ層トラップ計算機解析

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
本文对AlGaN/GaN场效应晶体管慢电流瞬态进行了二维分析，并对其机理进行了研究。并讨论了减小慢瞬变的方法。特别是，通过引入所谓的场板可以减少慢瞬变，并讨论了最佳场板结构。还讨论了如何通过引入场板来提高关态击穿电压。
英文摘要
Two-dimensional analysis of slow current transients in AlGaN/GaN field effecttransistors is performed and their mechanisms are studied. Also the method of reduce these slow transients is discussed. Particularly, it is shown that the slow transients are reduced by introducing a so-called field plate, and the optimum field-plate structures are discussed. It is also discussed how the off-state breakdown voltage is enhanced by introducing a field plate.
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会议论文
フィールドプレート構造微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性の数値解析
场板结构精细AlGaN/GaN HEMT耐压特性数值分析
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [柴山, 平野, 若林, 山内, 中野, 小野寺，中島，堀尾]
通讯作者： 小野寺，中島，堀尾
Numerical Analysis of Breakdown Voltage Enhancement in AlGaN/GaN HEMTs With a High-k Passivation Layer
DOI： 10.1109/ted.2014.2298194
发表时间： 2014-03-01
期刊： IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
影响因子： 3.1
作者： [Hanawa, Hideyuki, Onodera, Hiraku, Horio, Kazushige]
通讯作者： Horio, Kazushige
Similarities of lags, current collapse and breakdown characteristics between source and gate field-plate AlGaN/GaN HEMTs
源极场板 AlGaN/GaN HEMT 之间的滞后、电流崩塌和击穿特性的相似性
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [H. Hanawa, H. Onodera, A. Nakajima, K. Horio]
通讯作者： K. Horio
微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析
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DOI： --
发表时间： 2012
期刊：
影响因子： --
作者： [Y. Nakatani, T. Hayashi, H. Itozaki, 小野寺，中島，堀尾]
通讯作者： 小野寺，中島，堀尾
共 26 条
    国内基金
    海外基金
    异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
    图形化衬底调控极端电应力下硅基氮化 镓HEMT器件位错缺陷的形成演化机制研 究
    面向低压应用的高栅极可靠性GaN基MIS HEMT器件缺陷调控研究
    • 批准号：
      62504246
    • 项目类别：
      青年科学基金项目（C类）
    • 资助金额：
      30.00万元
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      邓可心
    • 依托单位：
      中国科学院微电子研究所
    面向无人机应用的增强型p-gate AlGaN/GaN HEMT高功率微波辐射效应及 机理研究