Challenging exploratory research on non-destructive internal

具有挑战性的无损内部探索性研究

• 批准号: 23656097
• 负责人: TAKAHASHI Satoru
• 金额: $ 2.5万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23656097/
• 关键词: 精密位置決め; 加工計測; 微細構造; 非破壊計測; 内部情報計測; 高分解能計測; 回折限界超越; 回折限界

We propose a novel nano thickness inspection method of residual layer film of nanoimprint lithography, allowing nondestructive evaluation of residual layer thickness. In the proposed method, we applied near-field optical enhancement of a fine metal tip as a high spatial resolution measurement probe, with which we can get near-field optical response generated by dynamic interaction of the tip, thin residual layer film and a Si substrate. By performing theoretical analyses based on finite-difference time-domain method and fundamental experiments using a newly developed near-field optical response detection system, we verified the feasibility of the proposed method.

我们提出了一种新颖的纳米压印光刻残留层薄膜纳米厚度检测方法，可以无损评估残留层厚度。在所提出的方法中，我们应用精细金属尖端的近场光学增强作为高空间分辨率测量探针，利用它我们可以获得尖端、薄残留层薄膜和硅基板的动态相互作用产生的近场光学响应。通过基于时域有限差分法的理论分析和利用新开发的近场光学响应检测系统进行基础实验，验证了该方法的可行性。

项目成果

Study on nano thickness inspection for residual layer of nanoimprint lithography using near-field optical enhancement of metal tip

金属尖端近场光学增强纳米压印光刻残留层纳米厚度检测研究

• DOI: 10.1016/j.cirp.2013.03.020
• 发表时间: 2013
• 期刊: CIRP Annals - Manufacturing Technology 62 (2013) 527–530
• 作者: S. Takahashi;Y. Ikeda;K. Takamasu
• 通讯作者: K. Takamasu

定在波シフトによる半導体ウエハ表面の超解像光学式欠陥検査(第13報)-FDTD法を用いた微細配線の散乱特性解析-

使用驻波位移的半导体晶片表面超分辨率光学缺陷检查（第13次报告） - 使用FDTD方法分析精细布线的散射特性 -

• 发表时间: 2012
• 作者: 天野佑基,工藤良太,高橋哲,高増潔

定在波シフトによる半導体ウエハ表面の超解像光学式欠陥検査(第14報)-コヒーレント結像逐次再構成型超解像法-

利用驻波位移对半导体晶片表面进行超分辨率光学缺陷检查（第14次报告） - 相干成像顺序重建超分辨率方法 -

• 发表时间: 2012
• 作者: 大岡健人;原 安寛;山村和也;工藤良太,高橋哲,高増潔,臼杵深
• 通讯作者: 工藤良太,高橋哲,高増潔,臼杵深

半導体の線幅標準に関する研究（第10報）－AFM及びSTEMによるレジスト形状測定－

半导体线宽标准研究（第10次报告） - 使用AFM和STEM的抗蚀剂形状测量 -

• 发表时间: 2013
• 作者: T. Saito;Y. Yoshinori;H. Mimura;沖藤春樹，高橋哲，高増潔
• 通讯作者: 沖藤春樹，高橋哲，高増潔

半導体の線幅標準に関する研究(第9報)-STEM画像を用いたレジスト形状の測定-

半导体线宽标准研究（第9次报告）-使用STEM图像的抗蚀剂形状的测量-

• 发表时间: 2012
• 作者: K. Ooka;Y. Hara;K. Yamamura;沖藤春樹,高橋哲,高増潔
• 通讯作者: 沖藤春樹,高橋哲,高増潔