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Piezoelectric effects in GaN-based HEMTs and related devices and a new method

Piezoelectric effects in GaN-based HEMTs and related devices and a new method
GaN基HEMT及相关器件中的压电效应及新方法
批准号：
26289095
负责人：
Sakaki Hiroyuki
金额：
$8.74万
依托单位：
Toyota Technological Institute
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26289095/
关键词：
GaNHEMTピエゾ効果表面準位界面準位電界効果トランジスタピエゾ抵抗表面準位・界面準位分極電荷ⅢⅤ族半導体ピエゾ電界AlGaN/GaNAlGaAs/GaAsヘテロ接合歪み

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DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
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通讯作者： H. Sakaki
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DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Yamada, J. Ito, R. Asahara, K. Watanabe, M. Nozaki, S. Nakazawa, Y. Anda, M. Ishida, T. Ueda, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe, 川津 琢也，野田武司，佐久間芳樹，榊　裕之]
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作者： [T. Kushida, M. Ohmori, S. Osanai, D. Kawamoto, T. Noda and H. Sakaki]
通讯作者： T. Noda and H. Sakaki
共 24 条
    国内基金
    海外基金
    异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
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    AlGaN/GaN HEMT射频器件ESD应力下损伤机理研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      叶然
    • 依托单位：