Development of chemical slicing method for Photovaltaic materials with low ker-loss and thin wafer thickness

低损耗、薄硅片厚度光伏材料化学切片方法开发

基本信息

  • 批准号：
    15K05736
  • 负责人：
    Murata Junji
  • 金额：
    $ 3.08万
  • 依托单位：
    Kindai University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2015
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
近畿大学先進加工学研究室
近代大学先进加工实验室
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
ウェットエッチングを利用したSiの砥粒フリースライシング
使用湿法蚀刻进行硅的无磨粒切片
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    光アライアンス
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takeshi Uemori;Kento Fujii;Toshiya Nakata;Shinobu Narita;Naoya Tada;Tetsuo Naka;Fusahito Yoshida;古谷克司，山岸宏規;村田順二
  • 通讯作者：
    村田順二
光ファイバ/電極アレイを利用した光電気化学的切断法の開発
利用光纤/电极阵列的光电化学切割方法的开发
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    村田順二;船田光祐
  • 通讯作者：
    船田光祐
Polishing-pad-free electrochemical mechanical polishing of single-crystalline SiC surfaces using polyurethane-CeO2 core-shell particles
A Feasibility Study of a Chemical Slicing Method for Semiconductor Wafers Using Photoelectrochemical Etching with
光电化学刻蚀半导体晶圆化学切片方法的可行性研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Junji Murata;Kousuke Funada
  • 通讯作者：
    Kousuke Funada
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Murata Junji其他文献

Optimization of Grinding Conditions of Axisymmetric Aspherical Grinding
轴对称非球面磨削磨削条件的优化
  • DOI：
    10.2493/jjspe.88.193
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Journal of the Japan Society for Precision Engineering
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Jia Pengfei;Umezaki Ryohei;Murata Junji;大橋 儀宗，池田 洋，久住 孝幸，越後谷 正見，赤上 陽一;吉原信人，嶋田慶太，水野雅裕，厨川常元
  • 通讯作者：
    吉原信人，嶋田慶太，水野雅裕，厨川常元
Reactions of oxalyl fluoride with electrophiles
草酰氟与亲电子试剂的反应
  • DOI：
    10.1016/s0022-1139(01)00496-1
  • 发表时间：
    2002
  • 期刊：
    Journal of Fluorine Chemistry
  • 影响因子：
    1.9
  • 作者：
    Murata Junji;M. Tamura;A. Sekiya
  • 通讯作者：
    A. Sekiya
Roughness of Traverse Ground Surface
横向地面粗糙度
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Murata Junji;Nagatomo Daiki;吉原信人
  • 通讯作者：
    吉原信人
高分子電解質を用いたワイドギャップ半導体の高能率電解複合研磨
利用聚合物电解质对宽禁带半导体进行高效电解复合抛光
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Zulkifle Che Nor Syahirah Binti Che;Hayama Kenshin;Murata Junji;巴山顕真，チェノル シャヒラ ビンティ チェ ズルキフリ，村田順二
  • 通讯作者：
    巴山顕真，チェノル シャヒラ ビンティ チェ ズルキフリ，村田順二

Murata Junji的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
立即体验

{{ truncateString('Murata Junji', 18)}}的其他基金

Development of electrochemical dry polishing method for GaN surface using solid polymer electrolyte
固体聚合物电解质GaN表面电化学干法抛光方法的开发
  • 批准号：
    19K04117
  • 财政年份：
    2019
  • 资助金额：
    $ 3.08万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

相似海外基金

10nm解像・極紫外(EUV)顕微鏡を実現するLayer by layerエッチング波面制御法の開発
开发逐层蚀刻波前控制方法实现10nm分辨率极紫外（EUV）显微镜
  • 批准号：
    24H00434
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 3.08万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
局在光を活用したエッチングによる完全平滑表面創製技術の確立
建立通过局部光蚀刻实现完全光滑表面的技术
  • 批准号：
    24KJ0524
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 3.08万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
レーザ援用光電気化学エッチング法による可視帯光回路光源の開発
激光辅助光电化学刻蚀法可见光波段光路光源的研制
  • 批准号：
    24K17318
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 3.08万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
新しい基板主面と新しいエッチング手法による酸化ガリウム微細加工デバイスの開発
使用新衬底主表面和新蚀刻方法开发氧化镓微加工器件
  • 批准号：
    24K01368
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 3.08万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
超音速分子線照射による遷移金属材料に対する原子層エッチング表面反応機構の解明
超声分子束辐照阐明过渡金属材料原子层刻蚀表面反应机理
  • 批准号：
    24K08246
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 3.08万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
クラスタービーム原子層エッチングと照射位置制御を用いた超高精度形状創成
使用簇束原子层蚀刻和照射位置控制进行超高精度形状创建
  • 批准号：
    23K22649
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 3.08万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
MIR-laser assisted near-field etching ~ contactless super-planarization of compound semiconductors
中红外激光辅助近场蚀刻 ~ 化合物半导体的非接触超平坦化
  • 批准号：
    23K03616
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 3.08万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ジケトン分子吸着過程およびガスクラスターイオンビーム照射による表面反応過程の解明
通过气体团簇离子束照射阐明二酮分子的吸附过程和表面反应过程
  • 批准号：
    23K13236
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 3.08万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
トライボプラズマを援用したダイヤモンド基板の高能率ドライエッチング法の開発
利用摩擦等离子体开发金刚石基底的高效干法蚀刻方法
  • 批准号：
    23K03621
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 3.08万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Ultra-precise fabrication technology by location specific atomic layer etching with cluster beam
利用簇束进行位置特定原子层蚀刻的超精密制造技术
  • 批准号：
    22H01378
  • 财政年份：
    2022
  • 资助金额：
    $ 3.08万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

知道了