Development of chemical slicing method for Photovaltaic materials with low ker-loss and thin wafer thickness
Development of chemical slicing method for Photovaltaic materials with low ker-loss and thin wafer thickness
低损耗、薄硅片厚度光伏材料化学切片方法开发
批准号：
15K05736
负责人：
Murata Junji
金额：
$3.08万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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近畿大学先進加工学研究室
近代大学先进加工实验室
近代大学先进加工实验室
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
ウェットエッチングを利用したSiの砥粒フリースライシング
使用湿法蚀刻进行硅的无磨粒切片
使用湿法蚀刻进行硅的无磨粒切片
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
光アライアンス
影响因子：
--
作者：
[Takeshi Uemori, Kento Fujii, Toshiya Nakata, Shinobu Narita, Naoya Tada, Tetsuo Naka, Fusahito Yoshida, 古谷克司，山岸宏規, 村田順二]
通讯作者：
村田順二
DOI：
10.1016/j.ijmachtools.2016.11.007
发表时间：
2017-03-01
期刊：
INTERNATIONAL JOURNAL OF MACHINE TOOLS & MANUFACTURE
影响因子：
14
作者：
[Murata, Junji, Yodogawa, Koushi, Ban, Kazuma]
通讯作者：
Ban, Kazuma
光ファイバ/電極アレイを利用した光電気化学的切断法の開発
利用光纤/电极阵列的光电化学切割方法的开发
利用光纤/电极阵列的光电化学切割方法的开发
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[村田順二, 船田光祐]
通讯作者：
船田光祐
Novel Abrasive-Free Slicing Method for Si Using Wet Chemical Etching
使用湿化学蚀刻的新型硅无磨料切片方法
使用湿化学蚀刻的新型硅无磨料切片方法
DOI：
10.2493/jjspe.83.837
发表时间：
2017
期刊：
Journal of the Japan Society for Precision Engineering
影响因子：
--
作者：
[成田 忍, 上森 武, 早川 邦夫, 久保田 義弘, MURATA Junji]
通讯作者：
MURATA Junji
共 8 条
Development of electrochemical dry polishing method for GaN surface using solid polymer electrolyte
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批准号：19K04117
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2019
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负责人：Murata Junji
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依托单位：
海外基金