Quantum-dot devices in silicon-based tunnel field-effect transistors
Quantum-dot devices in silicon-based tunnel field-effect transistors
硅基隧道场效应晶体管中的量子点器件
批准号：
16H03900
负责人：
Moriyama Satoshi
金额：
$10.9万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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Quantum dots and spin qubits based on silicon tunnel field-effect transistors
基于硅隧道场效应晶体管的量子点和自旋量子位
基于硅隧道场效应晶体管的量子点和自旋量子位
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Satoshi Moriyama, Takahiro Mori, Keiji Ohno]
通讯作者：
Keiji Ohno
Quantum-dot Transport via Deep levels in Silicon Tunnel Field-effect Transistors (TFETs)
通过硅隧道场效应晶体管 (TFET) 中的深能级进行量子点传输
通过硅隧道场效应晶体管 (TFET) 中的深能级进行量子点传输
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Satoshi Moriyama, Takahiro Mori, Keiji Ohno]
通讯作者：
Keiji Ohno
DOI：
10.1038/s41598-018-36476-z
发表时间：
2019-01-24
期刊：
SCIENTIFIC REPORTS
影响因子：
4.6
作者：
[Ono, Keiji, Mori, Takahiro, Moriyama, Satoshi]
通讯作者：
Moriyama, Satoshi
Single-electron spin control in CMOS-compatible tunnel field-effect transistors (TFETs)
CMOS 兼容隧道场效应晶体管 (TFET) 中的单电子自旋控制
CMOS 兼容隧道场效应晶体管 (TFET) 中的单电子自旋控制
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Satoshi Moriyama, Takahiro Mori, Keiji Ono]
通讯作者：
Keiji Ono
シリコントンネルトランジスタにおける深い準位を介した単一電子輸送とマイクロ波応答
硅隧道晶体管中深能级的单电子传输和微波响应
硅隧道晶体管中深能级的单电子传输和微波响应
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[森山悟士, 森貴洋, 大野圭司]
通讯作者：
大野圭司
共 10 条
Observation of electron orbitals and electromagnetic wave response in single relativistic-particle devices
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批准号：25706030
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额：$16.31万
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财政年份：2013
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负责人：Moriyama Satoshi
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依托单位：
海外基金