Fundamental research and development of low-loss p-type SiC superjunction power MOSFETs
Fundamental research and development of low-loss p-type SiC superjunction power MOSFETs
低损耗p型SiC超结功率MOSFET的基础研究与开发
批准号：
16H04326
负责人：
Yano Hiroshi
金额：
$10.32万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2020-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements
通过霍尔效应测量研究 p 沟道 4H-SiC MOSFET 中的迁移率限制机制
通过霍尔效应测量研究 p 沟道 4H-SiC MOSFET 中的迁移率限制机制
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[X. Zhou, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, X. Zhang, N. Iwamuro, and H. Yano]
通讯作者：
and H. Yano
Analysis of Fast and Slow Responses of Interface Traps in p-type SiC MOS Capacitors by Conductance Method
电导法分析 p 型 SiC MOS 电容器界面陷阱的快慢响应
电导法分析 p 型 SiC MOS 电容器界面陷阱的快慢响应
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Karamoto, X.Zhang, D. Okamoto, M. Sometani, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano]
通讯作者：
and H. Yano
SiC MOSデバイスにおける界面欠陥と信頼性
SiC MOS器件的界面缺陷和可靠性
SiC MOS器件的界面缺陷和可靠性
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[X. Zhang, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano, Haitao Huang，Daohong Wang，Ting Wu， Nobuyuki Takagi, 矢野裕司]
通讯作者：
矢野裕司
コンダクタンス法によるp型SiC MOS界面の高速及び低速応答準位の解析
用电导法分析p型SiC MOS界面的快慢响应水平
用电导法分析p型SiC MOS界面的快慢响应水平
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[唐本祐樹, 張旭芳, 岡本大, 染谷満, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司]
通讯作者：
矢野裕司
pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
p沟道4H-SiC MOSFET氧化膜空穴漏电流传导机制分析
p沟道4H-SiC MOSFET氧化膜空穴漏电流传导机制分析
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[根本宏樹, 岡本大, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司]
通讯作者：
矢野裕司
共 36 条
海外基金