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Development of a new module type switch using next generation semiconductors

Development of a new module type switch using next generation semiconductors
使用下一代半导体开发新型模块型开关
批准号：
17K06334
负责人：
Tomohiro TAKAYANAGI
金额：
$3.08万
依托单位：
Japan Atomic Energy Agency
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K06334/
关键词：
半導体デバイスSiCスイッチ回路モジュール基板高電圧大電流パルスパルス出力半導体スイッチ次世代半導体モジュール型回路大電力高速短パルス高周波SiC-MOSFETパルス出力波形低インピーダンス化環状型銅リング回路次世代パワー半導体多重化回路スイッチング回路放射対称型回路線対称型回路回路インピーダンス高速伝送回路設計パワーエレクトロニクス

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Development of a new modular switch using a next-generation semiconductor
使用下一代半导体开发新型模块化交换机
DOI： --
发表时间： 2018
期刊： IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series (IPAC'18: IOP Light Peer Review Volume)
影响因子： --
作者： [Hideki Ayano, Akira Fujimura, Yoshihiro Matsui, Tomohiro TAKAYANAGI]
通讯作者： Tomohiro TAKAYANAGI
パワー半導体を用いたキッカー用パルス電源とイグナイトロン代替スイッチの開発
使用功率半导体开发起跳脉冲电源和点火管替代开关
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Hideki Ayano, Akira Fujimura, Yoshihiro Matsui, Tomohiro TAKAYANAGI, 高柳　智弘, 高柳 智弘，小野 礼人，植野 智晶，堀野 光喜，山本 風海，金正 倫計]
通讯作者： 高柳 智弘，小野 礼人，植野 智晶，堀野 光喜，山本 風海，金正 倫計
SiC-MOSFET を用いた半導体スイッチ電源の開発
使用SiC-MOSFET的半导体开关电源的开发
DOI： --
发表时间： 2018
期刊： Proceedings of the 15th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan
影响因子： --
作者： [Hideki Ayano, Akira Fujimura, Yoshihiro Matsui, Tomohiro TAKAYANAGI, 高柳　智弘]
通讯作者： 高柳　智弘
国内基金
海外基金
高可靠性低损耗 Si IGBT+SiC JFET 串联混合管研究
  • 批准号：
    2026JJ80072
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    曾荣周
  • 依托单位：
    湖南工业大学
空间辐射环境下沟槽型SiC MOSFET器件栅氧长期可靠性研究
  • 批准号：
    2026JJ60454
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    桂庆忠
  • 依托单位：
    湖南大学
多芯片SiC并联高铁牵引变流器的软开关与动态均流协同控制研究
基于REO/SiC界面调控的纳米复合强化自洁玻璃技术开发
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    黄兴才
  • 依托单位：
    盐城师范学院