Development of a new module type switch using next generation semiconductors
使用下一代半导体开发新型模块型开关
基本信息
- 批准号:17K06334
- 负责人:
- 金额:$ 3.08万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2017
- 资助国家:日本
- 起止时间:2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Development of a new modular switch using a next-generation semiconductor
使用下一代半导体开发新型模块化交换机
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Hideki Ayano;Akira Fujimura;Yoshihiro Matsui;Tomohiro TAKAYANAGI
- 通讯作者:Tomohiro TAKAYANAGI
パワー半導体を用いたキッカー用パルス電源とイグナイトロン代替スイッチの開発
使用功率半导体开发起跳脉冲电源和点火管替代开关
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Hideki Ayano;Akira Fujimura;Yoshihiro Matsui;Tomohiro TAKAYANAGI;高柳 智弘;高柳 智弘,小野 礼人,植野 智晶,堀野 光喜,山本 風海,金正 倫計
- 通讯作者:高柳 智弘,小野 礼人,植野 智晶,堀野 光喜,山本 風海,金正 倫計
SiC-MOSFET を用いた半導体スイッチ電源の開発
使用SiC-MOSFET的半导体开关电源的开发
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Hideki Ayano;Akira Fujimura;Yoshihiro Matsui;Tomohiro TAKAYANAGI;高柳 智弘
- 通讯作者:高柳 智弘
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Tomohiro TAKAYANAGI其他文献
Photo- thermal Spectroscopy on Multicrystalline Silicon Solar Cell Materials by Dual Sam- pling Method in Atomic Force Microscopy
原子力显微镜双采样法对多晶硅太阳能电池材料进行光热光谱分析
- DOI:
10.1109/pvsc.2012.6317833 - 发表时间:
2012 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Tomohiro TAKAYANAGI;Nobukazu HOSHI;Junnosuke HARUNA;Meifen CAO;T.Kato;K. Hara and T. Takahashi - 通讯作者:
K. Hara and T. Takahashi
燃料電池ハイブリッド自動車の走行モードを模擬した条件におけるチョッパ回路の実験的考察
模拟燃料电池混合动力汽车驱动模式条件下斩波电路的实验考虑
- DOI:
- 发表时间:
2011 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Tomohiro TAKAYANAGI;Nobukazu HOSHI;Junnosuke HARUNA;Meifen CAO;T.Kato;K. Hara and T. Takahashi;高柳朝裕,星伸一,春名順之介 - 通讯作者:
高柳朝裕,星伸一,春名順之介
Experimental Consideration on DC-DC Converter Circuits for Fuel Cell Hybrid Electric Vehicle
燃料电池混合动力汽车DC-DC变换器电路的实验考虑
- DOI:
10.1109/ievc.2012.6183264 - 发表时间:
2012 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Satoshi HIRANUMA;Tomohiro TAKAYANAGI;Nobukazu HOSHI;Jyunnosuke HARUNA;Meifen CAO - 通讯作者:
Meifen CAO
Tomohiro TAKAYANAGI的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
相似国自然基金
SiC MOSFET瞬态开关建模与开关振荡抑制研究
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
核壳结构高熵MAX/SiC螺旋纳米纤维设计及多机制协同吸波机理
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
SiC/g-C3N4 对生活废水中表面活性剂的降解与机理的研究
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
SiC MOSFET器件多时间尺度电热应力栅极主动控制研究
- 批准号:JCZRQT202500104
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
面向2.5维C/SiC复合材料薄壁内圆磨削的液氮内冷却有序化砂轮设计与加工基础研究
- 批准号:2025JJ50322
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
埋入式多芯片SiC功率模块集成封装技术
- 批准号:2025C01048
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
Nano-M(On)-SiCNWs-SiC催化材料的制备及其协同催化制氢机理研究
- 批准号:2025JJ70041
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
面向SiC功率器件的纳米铜互连材料烧结及失效行为研究
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
纳米含能复合钎料钎焊连接SiC与Cu界面反应机理及性能调控研究
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
新能源汽车制动用Al4SiC4改性碳陶摩擦材料的微观结构
- 批准号:2025JJ80372
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
相似海外基金
耐熱性とプロセス温度の低温化を両立したSiCセラミックスのTLP接合技術の開発
开发兼具耐热性和低加工温度的SiC陶瓷TLP接合技术
- 批准号:
24K08069 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 3.08万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
熱酸化反応の精密制御による理想SiO2/SiC界面の実現
通过精确控制热氧化反应实现理想的SiO2/SiC界面
- 批准号:
24K01348 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 3.08万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
SiCインバータサージ絶縁の高度化:高繰り返しナノ秒パルス電圧下の部分放電の解明
SiC逆变器浪涌绝缘的进步:阐明高重复纳秒脉冲电压下的局部放电
- 批准号:
24K00874 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 3.08万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
SiC欠陥スピンの電気的高効率読出の確立に向けたスピン・光・電荷ダイナミクス解明
阐明自旋、光和电荷动力学,以建立 SiC 缺陷自旋的高效电读出
- 批准号:
23K22796 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 3.08万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
SiC表面・界面で生じる固有な現象の正しい理解とそれに基づくMOS界面特性の制御
正确理解SiC表面和界面上发生的独特现象,并基于该理解控制MOS界面特性
- 批准号:
24H00308 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 3.08万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
界面欠陥制御に基づく高効率・高信頼性SiC MOSFETの実現
基于界面缺陷控制的高效可靠SiC MOSFET的实现
- 批准号:
24KJ1553 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 3.08万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
CVD-SiC材料の高能率・超精密加工とその加工現象解明の研究
CVD-SiC材料高效超精密加工研究及加工现象阐明
- 批准号:
24K07262 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 3.08万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
SiC-MOSFET負荷短絡時の素子残留ダメージが信頼性特性へ及ぼす影響の研究
SiC-MOSFET负载短路时元件残余损伤对可靠性特性的影响研究
- 批准号:
23K20927 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 3.08万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
難溶解性SiCの酸分解工程ハイスループット化による高効率化手法の開発
通过提高难溶性 SiC 酸分解工艺的产量开发高效方法
- 批准号:
24H02579 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 3.08万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
SiC MOS反転層における電子輸送機構の原子論と量子論に基づく解明
基于原子论和量子论阐明SiC MOS反型层电子传输机制
- 批准号:
24K17310 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 3.08万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists