课题基金 / 基金详情

Single Event Burnout Mechanisms in SiC devices

Single Event Burnout Mechanisms in SiC devices
SiC 器件中的单粒子烧毁机制
批准号:
25790076
负责人:
Makino Takahiro
金额:
$2.83万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2013
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2013-04-01 至 2016-03-31

项目摘要

项目成果

Makino Takahiro的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
DOI: 10.1109/tns.2013.2243469
发表时间: 2013-03
期刊: IEEE Transactions on Nuclear Science
影响因子: 1.8
作者: [T. Makino;M. Deki;N. Iwamoto;S. Onoda;N. Hoshino;H. Tsuchida;T. Hirao;T. Ohshima]
通讯作者: T. Makino;M. Deki;N. Iwamoto;S. Onoda;N. Hoshino;H. Tsuchida;T. Hirao;T. Ohshima
Ion-Induced Anomalous Charge Collection Mechanisms in SiC Schottky Barrier Diodes
SiC 肖特基势垒二极管中离子诱导的反常电荷收集机制
DOI: --
发表时间: 2015
期刊: Material Science Forum
影响因子: --
作者: [Takahiro Makino, Manato Deki, Shinobu Onoda, Norihiro Hoshino, Hidekazu Tsuchida, and Takeshi Ohshima]
通讯作者: and Takeshi Ohshima
Laterality and plasticity of bone mineral density in vertebral bodies of patients with adolescent idiopathic scoliosis
  • 批准号:
    18K16657
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 资助金额:
    $2.33万
  • 财政年份:
    2018
  • 负责人:
    Makino Takahiro
  • 依托单位:
In vivo 3D imaging analysis of plasticity of vertebral deformities in patients with adolescent idiopathic scoliosis
  • 批准号:
    15K19994
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额:
    $2.5万
  • 财政年份:
    2015
  • 负责人:
    Makino Takahiro
  • 依托单位:
国内基金
海外基金
高可靠性低损耗 Si IGBT+SiC JFET 串联混合管研究
  • 批准号:
    2026JJ80072
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2026
  • 负责人:
    曾荣周
  • 依托单位:
空间辐射环境下沟槽型SiC MOSFET器件栅氧长期可靠性研究
  • 批准号:
    2026JJ60454
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2026
  • 负责人:
    桂庆忠
  • 依托单位:
多芯片SiC并联高铁牵引变流器的软开关与动态均流协同控制研究
基于REO/SiC界面调控的纳米复合强化自洁玻璃技术开发
  • 批准号:
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2026
  • 负责人:
    黄兴才
  • 依托单位: