Single Event Burnout Mechanisms in SiC devices
Single Event Burnout Mechanisms in SiC devices
批准号:
25790076
负责人:
Makino Takahiro
金额:
$2.83万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2013
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2013-04-01 至 2016-03-31
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
DOI:
10.1109/tns.2013.2243469
发表时间:
2013-03
期刊:
IEEE Transactions on Nuclear Science
影响因子:
1.8
作者:
[T. Makino;M. Deki;N. Iwamoto;S. Onoda;N. Hoshino;H. Tsuchida;T. Hirao;T. Ohshima]
通讯作者:
T. Makino;M. Deki;N. Iwamoto;S. Onoda;N. Hoshino;H. Tsuchida;T. Hirao;T. Ohshima
Ion-Induced Anomalous Charge Collection Mechanisms in SiC Schottky Barrier Diodes
SiC 肖特基势垒二极管中离子诱导的反常电荷收集机制
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
Material Science Forum
影响因子:
--
作者:
[Takahiro Makino, Manato Deki, Shinobu Onoda, Norihiro Hoshino, Hidekazu Tsuchida, and Takeshi Ohshima]
通讯作者:
and Takeshi Ohshima
Laterality and plasticity of bone mineral density in vertebral bodies of patients with adolescent idiopathic scoliosis
-
批准号:18K16657
-
项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
-
资助金额:$2.33万
-
财政年份:2018
-
负责人:Makino Takahiro
-
依托单位:
In vivo 3D imaging analysis of plasticity of vertebral deformities in patients with adolescent idiopathic scoliosis
-
批准号:15K19994
-
项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
-
资助金额:$2.5万
-
财政年份:2015
-
负责人:Makino Takahiro
-
依托单位:
国内基金
海外基金
登录
查看更多内容
高可靠性低损耗 Si IGBT+SiC JFET 串联混合管研究
-
批准号:2026JJ80072
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2026
-
负责人:曾荣周
-
依托单位:
空间辐射环境下沟槽型SiC MOSFET器件栅氧长期可靠性研究
-
批准号:2026JJ60454
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2026
-
负责人:桂庆忠
-
依托单位:
多芯片SiC并联高铁牵引变流器的软开关与动态均流协同控制研究
-
批准号:2026JJ80095
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2026
-
负责人:褚衍廷
-
依托单位:
基于REO/SiC界面调控的纳米复合强化自洁玻璃技术开发
-
批准号:
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2026
-
负责人:黄兴才
-
依托单位:
限域制备三维 C@SiC 复合材料及其导热-吸波协同增强机制研究
-
批准号:ZCLMS26E0202
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2026
-
负责人:田兆波
-
依托单位:
单晶3C-SiC中应力诱导缺陷的各向异性演化规律及其动力学机理研究
-
批准号:JCZRLH202600088
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2026
-
负责人:
-
依托单位:
力-热-氧耦合环境下Co@SiC/石英纤维/酚醛树脂复合材料的动态演化与电磁性能调控
-
批准号:JCZRLH202601328
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2026
-
负责人:
-
依托单位:
SiC MOSFET瞬态开关建模与开关振荡抑制研究
-
批准号:
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2025
-
负责人:于安宁
-
依托单位:
天基红外光学系统用高导热 C/SiC复合材料及碳基全碳冷链设计、研制与应用验证
-
批准号:
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2025
-
负责人:吴斌
-
依托单位:
核壳结构高熵MAX/SiC螺旋纳米纤维设计及多机制协同吸波机理
-
批准号:
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2025
-
负责人:朱建华
-
依托单位: