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Ferromagnetismus in dünnen verspannten III-V-Halbleiterschichtsystemen

Ferromagnetismus in dünnen verspannten III-V-Halbleiterschichtsystemen
薄应变 III-V 半导体层系统中的铁磁性
批准号:
63976680
负责人:
Professor Dr. Karl Brunner
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2008
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2007-12-31 至 2012-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
在Desem Projekt Sollen MIT Niedertematur-Molekularstrahlep itaxie铁磁性异质结(Schhr dünnnen Schichten Aus Manangan-haltigen III-V-Verbindungshalbleitern auf(Ool)As-衬底)中进行了研究。InGaMnas Legierungsschichten MIT von Nur wenigen Nanomtera Sollen die eltische Verspannung and Quanten-Konfinementeffeffecte zur gezielte kontrolle Ihres铁磁性Verhalten genutzt dehres von nur wenigen Nanomtera Sollen die弹性Verspannung and Quanten-Konfinementementffectionte zur gezielte kontrolle Ihres Rehres Ferhaltischen Verhalten genutzt den.在德国,所有的铁磁性材料都是铁磁性的,而且各向异性都是2D-LöChergas erreicht wird。它的能量来自于施瓦尔和莱电图尔施瓦尔,它来自于斯皮纳夫斯伯顿和它的维尼姆利切贝塞宗和海因斯洛克蒂普斯,它来自于它的磁性各向异性,它来自于麻省理工学院的铁电三向异性和门槛,而它的变化来自于L和切里迪克特。Strukturen麻省理工学院中性人Funktionalität im MagnetoTransport。Schichtsystem的结构质量是磁性、电气和光学的最优化。
英文摘要
In diesem Projekt sollen mit Niedertemperatur-Molekularstrahlepitaxie ferromagnetische Hetero-Schichtsysteme mit sehr dünnen Schichten aus Mangan-haltigen III-V-Verbindungshalbleitern auf (OOl)GaAs-Substrat hergestellt und untersucht werden. Beispielsweise in InGaMnAs Legierungsschichten mit Dicken von nur wenigen Nanometera sollen die elastische Verspannung und Quanten-Konfinementeffekte zur gezielten Kontrolle ihres ferromagnetischen Verhaltens genutzt werden. Die komplexe Valenzbandstruktur wird so maßgeschneidert, dass eine starke ferromagnetische Kopplung der magnetischen Mn-Momente durch p-d Austausch-Wechselwirkung mit dem in der Schicht lokalisierten, hochentarteten, und stark anisotropen 2D-Löchergas erreicht wird. Die energetische Aufspaltung der schwer- und leichtlochartigen Valenzbandzustände, die Spinaufspaltung und die vernehmliche Besetzung nur eines Lochtyps bewirkt nach dem Zenermodell die magnetische Anisotropie, die möglicherweise mit ferroelektrisehen Schichten und Gateelektroden über die variierte Löcherdichte reversibel gesteuert werden kann. Dies ermöglicht Spintronik-Strukturen mit neuartiger Funktionalität im Magnetotransport. Neben der Optimierung der strukturellen Qualität der Schichtsysteme werden magnetische, elektrische und optische Untersuchungen durchgeführt.
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会议论文
Molecular beam epitaxy and magnetotransport of manganese monosilicide layers on (111) silicon substrates
Silicon-based thermoelectric nanosystems
  • 批准号:
    121821990
  • 项目类别:
    Priority Programmes
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2009
  • 负责人:
    Professor Dr. Karl Brunner
  • 依托单位:
Molekularstrahl-Epitaxie Mn-haltiger III-V-Heterostrukturen
Lichtemission von Intrabandübergängen in Si/SiGe-Heterostrukturen
海外基金