Molekularstrahl-Epitaxie Mn-haltiger III-V-Heterostrukturen

GaAs中的Mangan的引入，III-V族材料的磁本征值会产生强烈的影响，并在电子封装中产生自由自旋。'spintronics'）。MnGaAs的热处理仅仅是对Niedertemperatur-Molekularstrahl-Epitaxie möglich的一种宽容，而这种宽容的材料的最大缺陷是GaMnAs的缺陷。在这一韦尔登方法中，迁移增强外延的方法是在高质量的高温GaAs基片上进行外延，而在GaMnAs基片上进行外延。Antrags的Zielsetzung是一个非常重要的问题：首先是GaMnAs材料的一种优化，它可以用于AlGaAs和InGaAs异质结材料的Punktdefekt-Dichten和Grenzflächeneigenschaften生长。Den zweiten Schwerpunkt bildet die Herstellung von digitalen Übergitterstrukturen aus GaAs und dünnen Lagen von metastabilem MnAs mit dem Ziel der Erforschung und Manipulation der Ferromagnetischen Kopplung. Dritter Punkt is schließlich die Herstellung optimierter Löcher-Spinjektions-Strukturen und die Combination solcher Strukturen mit Elektronen-Injektoren auf der Basis von II-VI-Semimagneten.该项目的主要工作是在分子束外延的结构上进行施韦尔波特，在拉曼和其他项目中进行运输。劳伦斯·W·教授博士的项目指导与米特坦悲剧有关。Molenkamp教授Laurens W. MolenkampPhysikalisches Institut der Universität Würzburg Am Hubland 97074 Würzburg电话：09 31/888- 4925传真：09 31/888- 5142电子邮件：molenkamp@physik.uni-wuerzburg.de

Die Einbringung von Mangan in GaAs ermöglicht es erstmals, die magnetischen Eigenschaften von III-V-Materialien gezielt zu beeinflussen, und bietet damit eine Möglichkeit, den Freiheitsgrad ´spin´ in elektronische Bausteine einzubauen (sog. ´spintronics´). Die Herstellung von MnGaAs ist allerdings nur mithilfe von Niedertemperatur-Molekularstrahl-Epitaxie möglich, und die hohen Punktdefekt-Dichten des so erzeugten Materials beschränken den Einsatz von GaMnAs beträchtlich. In diesem Antrag soll deshalb versucht werden, die Methode der ´migration enhanced epitaxy´, die erfolgreich zur Herstellung von qualitativ hochwertigem Niedertemperatur-GaAs genutzt wird, auf die Herstellung von GaMnAs anzuwenden. Die Zielsetzung des Antrags ist dabei dreifach: Erstens ist eine Optimierung des Ausgangsmaterials GaMnAs sowie von Heterostrukturen dieses Materials mit AlGaAs und InGaAs bezüglich Punktdefekt-Dichten und Grenzflächeneigenschaften geplant. Den zweiten Schwerpunkt bildet die Herstellung von digitalen Übergitterstrukturen aus GaAs und dünnen Lagen von metastabilem MnAs mit dem Ziel der Erforschung und Manipulation der ferromagnetischen Kopplung. Dritter Punkt ist schließlich die Herstellung optimierter Löcher-SpinInjektions-Strukturen und die Kombination solcher Strukturen mit Elektronen-Injektoren auf der Basis von II-VI-Semimagneten. Dabei liegt der Schwerpunkt der Projektarbeit auf der Herstellung solcher Strukturen mittels MBE, Trasportmessungen sollen im Rahmen anderer Projekte durchgeführt werden.Der Projektleiter Prof. Faschinger ist verstorben. Die Leitung des Projekts unterliegt seitdem dem Mitantragsteller, Herrn Prof. Dr. Laurens W. Molenkamp.Professor Dr. Laurens W. MolenkampPhysikalisches Institut der Universität WürzburgAm Hubland97074 WürzburgTelefon: 09 31/888-4925Fax: 09 31/888-5142E-Mail: molenkamp@physik.uni-wuerzburg.de