Molekularstrahl-Epitaxie Mn-haltiger III-V-Heterostrukturen

含Mn III-V族异质结构的分子束外延

• 批准号: 5342166
• 负责人: Professor Dr. Karl Brunner
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Experimentelle Physik III
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2006-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5342166?language=en
• 关键词: Molekularstrahl; Epitaxie; Mn; haltiger; III

Die Einbringung von Mangan in GaAs ermöglicht es erstmals, die magnetischen Eigenschaften von III-V-Materialien gezielt zu beeinflussen, und bietet damit eine Möglichkeit, den Freiheitsgrad ´spin´ in elektronische Bausteine einzubauen (sog. ´spintronics´). Die Herstellung von MnGaAs ist allerdings nur mithilfe von Niedertemperatur-Molekularstrahl-Epitaxie möglich, und die hohen Punktdefekt-Dichten des so erzeugten Materials beschränken den Einsatz von GaMnAs beträchtlich. In diesem Antrag soll deshalb versucht werden, die Methode der ´migration enhanced epitaxy´, die erfolgreich zur Herstellung von qualitativ hochwertigem Niedertemperatur-GaAs genutzt wird, auf die Herstellung von GaMnAs anzuwenden. Die Zielsetzung des Antrags ist dabei dreifach: Erstens ist eine Optimierung des Ausgangsmaterials GaMnAs sowie von Heterostrukturen dieses Materials mit AlGaAs und InGaAs bezüglich Punktdefekt-Dichten und Grenzflächeneigenschaften geplant. Den zweiten Schwerpunkt bildet die Herstellung von digitalen Übergitterstrukturen aus GaAs und dünnen Lagen von metastabilem MnAs mit dem Ziel der Erforschung und Manipulation der ferromagnetischen Kopplung. Dritter Punkt ist schließlich die Herstellung optimierter Löcher-SpinInjektions-Strukturen und die Kombination solcher Strukturen mit Elektronen-Injektoren auf der Basis von II-VI-Semimagneten. Dabei liegt der Schwerpunkt der Projektarbeit auf der Herstellung solcher Strukturen mittels MBE, Trasportmessungen sollen im Rahmen anderer Projekte durchgeführt werden.Der Projektleiter Prof. Faschinger ist verstorben. Die Leitung des Projekts unterliegt seitdem dem Mitantragsteller, Herrn Prof. Dr. Laurens W. Molenkamp.Professor Dr. Laurens W. MolenkampPhysikalisches Institut der Universität WürzburgAm Hubland97074 WürzburgTelefon: 09 31/888-4925Fax: [phone]E-Mail: [e-mail]

GaAs ermöglicht es erstmals 中的 Mangan、III-V-Materialien gezielt zu beeinflussen 的磁性特征、以及电子 Bausteine einzubauen 中的 Freiheitsgrad“旋转”（sog. “自旋电子学”）。 MnGaAs 的变形是 Niedertemperatur-Molekularstrahl-Epitaxie möglich 的过敏现象，并且是 GaMnAs 特性中材料的特殊缺陷。在该方法中，采用“迁移增强外延”方法，对 GaAs 温度进行定性分析，然后对 GaMnAs 进行分析。 Die Zielsetzung des Antrags ist dabei dreifach: Erstens ist eine Optimierung des Ausgangsmaterials Sowie von Heterostrukturen dieses Materials mit AlGaAs 和 InGaAs bezüglich Punktdefekt-Dichten und Grenzflächeneigenschaften Geplant。该技术可实现 GaAs 的数字化结构和 MnAs 的亚稳定状态，并可实现铁磁体的操作和操作。 Dritter Punkt 是基于 II-VI-Semimagneten 基础上的 Löcher-SpinInjektions-Strukturen 和 Elektronen-Injektoren 组合解决方案的优化器。 Dabei liegt der Schwerpunkt der Projektarbeit auf der Herstellung solcher Strukturen mittels MBE, Trasportmessungen sollen im Rahmen anderer Projekte durchgeführt werden.Der Projektleiter Prof. Faschinger ist verstorben. Die Leitung des Projekts unterliegt seitdem dem Mitantragsteller, Herrn Prof. Dr. Laurens W. Molenkamp.Professor Dr. Laurens W. MolenkampPhysikalisches Institut der Universität WürzburgAm Hubland97074 Würzburg电话：[phone]传真： [phone]电子邮件：[e-mail]