刷新
{{item.name}}会员
EBIC study of dislocations in SrTiO3
SrTiO3 中位错的 EBIC 研究
基本信息
- 批准号：26820120
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Electron-beam-induced current study of dislocation related defects in (111) SrTiO3 single crystals
(111)SrTiO3 单晶中位错相关缺陷的电子束感应电流研究
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：J. Chen;J. Y. Li;T. Sekiguchi
- 通讯作者：T. Sekiguchi
Investigation of dislocations in different Nb-doped (100) SrTiO3 single crystals and their impacts on resistance switching
不同 Nb 掺杂 (100) SrTiO3 单晶中的位错及其对电阻切换的影响的研究
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Jun Chen;Takashi Sekiguchi;Jianyong Li;and Shun Ito
- 通讯作者：and Shun Ito
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
CHEN JUN其他文献
CHEN JUN的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
相似海外基金
Spatially confined electronic materials for resistive switching devices
用于电阻开关器件的空间受限电子材料
- 批准号：
RGPIN-2019-06028 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Resistive switching at sub-nano gaps driven by piled sub-nano clusters with chemical surface modification
由具有化学表面改性的堆积亚纳米簇驱动的亚纳米间隙的电阻切换
- 批准号：
22K04859 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Spatially confined electronic materials for resistive switching devices
用于电阻开关器件的空间受限电子材料
- 批准号：
RGPIN-2019-06028 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Spatially confined electronic materials for resistive switching devices
用于电阻开关器件的空间受限电子材料
- 批准号：
RGPIN-2019-06028 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Development of minimal configuration resistive switching memory using silicide filament method
使用硅化物丝方法开发最小配置电阻开关存储器
- 批准号：
19K04475 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Spatially confined electronic materials for resistive switching devices
用于电阻开关器件的空间受限电子材料
- 批准号：
RGPIN-2019-06028 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Proposal of high-performance materials for artificial synapses via atomic-scale observations of resistive switching oxides
通过电阻开关氧化物的原子尺度观察提出用于人工突触的高性能材料
- 批准号：
19K04484 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Application of Liquid-Phase-Deposited Cerium Oxide Films to Resistive Switching Memory and Low-Voltage Operation by Controlling Film Structure
液相沉积氧化铈薄膜在阻变存储器和控制薄膜结构低电压工作中的应用
- 批准号：
19K23571 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
Electron Microscopy and Modeling of Resistive Switching Devices Based on TaOx
基于 TaOx 的电阻开关器件的电子显微镜和建模
- 批准号：
1905648 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Continuing Grant
Appearance of conductance quantization in binary transition metal based resistive switching
基于二元过渡金属的电阻开关中电导量子化的出现
- 批准号：
18K04234 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)