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'Solid Phase Epitaxy' - GaAs : Materials and Devices
“固相外延” - GaAs：材料和器件
基本信息
- 批准号：182748-1995
- 负责人：
- 金额：$ 3.21万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Collaborative Research and Development Grants
- 财政年份：1995
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：1995-01-01 至 1996-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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Currie, John其他文献
Combination paracetamol and ibuprofen for pain relief after oral surgery: a dose ranging study
- DOI：
10.1007/s00228-015-1827-x - 发表时间：
2015-05-01 - 期刊：
- 影响因子：2.9
- 作者：
Atkinson, Hartley C.;Currie, John;Frampton, Chris - 通讯作者：
Frampton, Chris
Currie, John的其他文献
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Physico-chemical characterisation, design, and fabrication of thin- film heterojunction micro-systems: interfaces, processes, devices, circuits, sensors and actuators
薄膜异质结微系统的物理化学表征、设计和制造：接口、工艺、设备、电路、传感器和执行器
- 批准号：
3435-1997 - 财政年份：1998
- 资助金额：
$ 3.21万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Physico-chemical characterisation, design, and fabrication of thin- film heterojunction micro-systems: interfaces, processes, devices, circuits, sensors and actuators
薄膜异质结微系统的物理化学表征、设计和制造：接口、工艺、设备、电路、传感器和执行器
- 批准号：
3435-1997 - 财政年份：1997
- 资助金额：
$ 3.21万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Thin film electronic, photonic, and mechanical device, design, fabrication, and physical characterisation
薄膜电子、光子和机械器件、设计、制造和物理表征
- 批准号：
3435-1993 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 3.21万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Study of refractory metal reactive sputtering
难熔金属反应溅射的研究
- 批准号：
163686-1993 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 3.21万 - 项目类别：
Collaborative Research and Development Grants
Thin film electronic, photonic, and mechanical device, design, fabrication, and physical characterisation
薄膜电子、光子和机械器件、设计、制造和物理表征
- 批准号：
3435-1993 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 3.21万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Excimer laser-deposition system for ceramic thin films
用于陶瓷薄膜的准分子激光沉积系统
- 批准号：
181046-1995 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 3.21万 - 项目类别：
Strategic Grants - Equipment (H)
Electronically integrable gas multisensor for NOx and SOx
用于 NOx 和 SOx 的电子集成气体多传感器
- 批准号：
149669-1993 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 3.21万 - 项目类别：
Strategic Projects - Group
Study of refractory metal reactive sputtering
难熔金属反应溅射的研究
- 批准号：
163686-1993 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 3.21万 - 项目类别：
Collaborative Research and Development Grants
Electronically integrable gas multisensor for NOx and SOx
用于 NOx 和 SOx 的电子集成气体多传感器
- 批准号：
149669-1993 - 财政年份：1994
- 资助金额：
$ 3.21万 - 项目类别：
Strategic Projects - Group
Study of refractory metal reactive sputtering
难熔金属反应溅射的研究
- 批准号：
163686-1993 - 财政年份：1994
- 资助金额：
$ 3.21万 - 项目类别：
Collaborative Research and Development Grants
相似国自然基金
Baryogenesis, Dark Matter and Nanohertz Gravitational Waves from a Dark
Supercooled Phase Transition
- 批准号：24ZR1429700
- 批准年份：2024
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
ATLAS实验探测器Phase 2升级
- 批准号：11961141014
- 批准年份：2019
- 资助金额：3350 万元
- 项目类别：国际(地区)合作与交流项目
地幔含水相Phase E的温度压力稳定区域与晶体结构研究
- 批准号：41802035
- 批准年份：2018
- 资助金额：12.0 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
基于数字增强干涉的Phase-OTDR高灵敏度定量测量技术研究
- 批准号：61675216
- 批准年份：2016
- 资助金额：60.0 万元
- 项目类别：面上项目
基于Phase-type分布的多状态系统可靠性模型研究
- 批准号：71501183
- 批准年份：2015
- 资助金额：17.4 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
纳米(I-Phase+α-Mg)准共晶的临界半固态形成条件及生长机制
- 批准号：51201142
- 批准年份：2012
- 资助金额：25.0 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
连续Phase-Type分布数据拟合方法及其应用研究
- 批准号：11101428
- 批准年份：2011
- 资助金额：23.0 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
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- 批准号：19374069
- 批准年份：1993
- 资助金额：6.4 万元
- 项目类别：面上项目
相似海外基金
Creation of ultra-low defect gallium nitride crystals using a novel hybrid-type high-speed vapor phase epitaxy
使用新型混合型高速气相外延制造超低缺陷氮化镓晶体
- 批准号：
23K17743 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.21万 - 项目类别：
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liquid phase epitaxy of nitride semiconductor thin films under an atmospheric pressure nitrogen ambience
大气压氮气气氛下氮化物半导体薄膜的液相外延
- 批准号：
22K04954 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 3.21万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Novel broadband mid-infrared emitting quantum structures fabricated by metal organic vapor phase epitaxy
金属有机气相外延制备新型宽带中红外发射量子结构
- 批准号：
22K04245 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 3.21万 - 项目类别：
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STTR Phase I: Scaling of AlN/GaN/AlN HEMTs via molecular beam epitaxy
STTR 第一阶段：通过分子束外延缩放 AlN/GaN/AlN HEMT
- 批准号：
2112247 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 3.21万 - 项目类别：
Standard Grant
Study of thick GaN crystals with low-dislocation density by the vapor phase epitaxy with an oxide gallium source
氧化镓源气相外延低位错密度厚氮化镓晶体的研究
- 批准号：
20H02639 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 3.21万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
High-quality hetero-epitaxial AlN research by newly proposed high temperature metalorganic vapor phase epitaxy
通过新提出的高温有机金属气相外延进行高质量异质外延AlN研究
- 批准号：
20H02643 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 3.21万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Single-process fabrication of group-III nitride pseudo-substrates and devices via vapor phase epitaxy using solid chlorides
使用固体氯化物通过气相外延单工艺制造 III 族氮化物伪衬底和器件
- 批准号：
19H02614 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 3.21万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Lattice-Mismatched Liquid Phase Epitaxy
晶格失配液相外延
- 批准号：
RGPIN-2015-03718 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 3.21万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Investigation of vapor phase epitaxy growth conditions for high quality bulk GaN and their crystal growth process
高品质块体GaN气相外延生长条件及其晶体生长工艺研究
- 批准号：
18K04957 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 3.21万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
The study of surface liquid phase epitaxy for the fabrication of silicon nano-structures
表面液相外延制备硅纳米结构的研究
- 批准号：
18K14129 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 3.21万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists