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Low-temperature epitaxial growth of silicon for advanced-photovalvic and photonic devices
用于先进光电和光子器件的硅低温外延生长
基本信息
- 批准号：378343-2009
- 负责人：
- 金额：$ 2.55万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
- 财政年份：2010
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：2010-01-01 至 2011-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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Esfandiarpour, Behzad其他文献
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用于先进光电和光子器件的硅低温外延生长
- 批准号：
378343-2009 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 2.55万 - 项目类别：
Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
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Low-temperature epitaxial growth of silicon for advanced-photovalvic and photonic devices
用于先进光电和光子器件的硅低温外延生长
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