刷新
{{item.name}}会员
Low Temperature Epitaxial Deposition of Silicon By Plasma Enhanced Cvd
等离子体增强 Cvd 低温外延沉积硅
基本信息
- 批准号：8024306
- 负责人：
- 金额：--
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Continuing grant
- 财政年份：1981
- 资助国家：美国
- 起止时间：1981-06-15 至 1982-11-30
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Rafael Reif其他文献
Effect of rinsing and drying on silicon surface cleaning for epitaxial growth
- DOI：
10.1007/bf03027244 - 发表时间：
2002-10-01 - 期刊：
- 影响因子：4.000
- 作者：
Hyoun Woo Kim;Kwang-sik Kim;Woon-suk Hwang;Rafael Reif - 通讯作者：
Rafael Reif
Low temperature cleaning of Si by a H2/AsH3 plasma prior to heteroepitaxial growth of GaAs by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
- DOI：
10.1007/bf02651294 - 发表时间：
1990-04-01 - 期刊：
- 影响因子：2.500
- 作者：
Euijoon Yoon;Patrice Parris;Rafael Reif - 通讯作者：
Rafael Reif
IV-1 – Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
- DOI：
10.1016/b978-0-08-052421-4.50015-0 - 发表时间：
1991 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Rafael Reif - 通讯作者：
Rafael Reif
Structural characterization of low temperature Epi-silicon grown on {100} and {111} Si substrates using ultrahigh resolution cross-sectional TEM
- DOI：
10.1007/bf02665034 - 发表时间：
1993-02-01 - 期刊：
- 影响因子：2.500
- 作者：
Zhizhen Ye;Yaping Liu;Zhen-Hong Zhou;Rafael Reif - 通讯作者：
Rafael Reif
Rafael Reif的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Rafael Reif', 18)}}的其他基金
Presidential Young Investigator Award: Low Temperature Processing for Very Large Scale Integration
总统青年研究员奖：超大规模集成的低温处理
- 批准号：
8352399 - 财政年份：1984
- 资助金额：
-- - 项目类别：
Continuing Grant
A Low Temperature Technology for Three-Dimensional Integrated Circuits
三维集成电路低温技术
- 批准号：
8303450 - 财政年份：1983
- 资助金额：
-- - 项目类别：
Continuing Grant
相似海外基金
Development of room-temperature fast hydride-ion conductors using epitaxial thin films
利用外延薄膜开发室温快速氢负离子导体
- 批准号：
22K20559 - 财政年份：2022
- 资助金额：
-- - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
High-quality hetero-epitaxial AlN research by newly proposed high temperature metalorganic vapor phase epitaxy
通过新提出的高温有机金属气相外延进行高质量异质外延AlN研究
- 批准号：
20H02643 - 财政年份：2020
- 资助金额：
-- - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Room-temperature solid-phase epitaxial crystallization of wide-gap semiconducting Ga2O3 thin films
宽带隙半导体Ga2O3薄膜的室温固相外延结晶
- 批准号：
26630306 - 财政年份：2014
- 资助金额：
-- - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Low-temperature epitaxial growth of silicon for advanced-photovalvic and photonic devices
用于先进光电和光子器件的硅低温外延生长
- 批准号：
378343-2009 - 财政年份：2010
- 资助金额：
-- - 项目类别：
Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
Low-temperature epitaxial growth of silicon for advanced-photovalvic and photonic devices
用于先进光电和光子器件的硅低温外延生长
- 批准号：
378343-2009 - 财政年份：2009
- 资助金额：
-- - 项目类别：
Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
Studies on hetero epitaxial growth of room-temperature ferromagnetic dielectric insulator films and their device application
室温铁磁介质绝缘薄膜异质外延生长及其器件应用研究
- 批准号：
21560725 - 财政年份：2009
- 资助金额：
-- - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
SBIR Phase I: Ion implantation-free SiC device fabrication technology based on low-temperature selective epitaxial growth
SBIR第一期：基于低温选择性外延生长的免离子注入SiC器件制造技术
- 批准号：
0839748 - 财政年份：2009
- 资助金额：
-- - 项目类别：
Standard Grant
Elucidating the origin of high temperature superconductivity in iron-pnictides via the growth of epitaxial thin films
通过外延薄膜的生长阐明铁磷族化合物高温超导性的起源
- 批准号：
21740254 - 财政年份：2009
- 资助金额：
-- - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Epitaxial Growth and characterization of Room-temperature ferromagnetic chalcopyrite semiconductor thin films
室温铁磁黄铜矿半导体薄膜的外延生长及表征
- 批准号：
19560012 - 财政年份：2007
- 资助金额：
-- - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Degradation-free SiC BJT Technology based on Novel Low-Temperature Selective Epitaxial Growth
基于新型低温选择性外延生长的无退化SiC BJT技术
- 批准号：
0622184 - 财政年份：2006
- 资助金额：
-- - 项目类别：
Continuing Grant