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Low Temperature Epitaxial Deposition of Silicon By Plasma Enhanced Cvd

Low Temperature Epitaxial Deposition of Silicon By Plasma Enhanced Cvd
等离子体增强 Cvd 低温外延沉积硅
批准号：
8024306
负责人：
Rafael Reif
金额：
$0.0万
依托单位：
Massachusetts Institute of Technology
依托单位国家：
美国
项目类别：
Continuing grant
财政年份：
1981
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1981-06-15 至 1982-11-30
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8024306&HistoricalAwards=false
关键词：
LowTemperatureEpitaxialDepositionSilicon

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