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Band-gap modification applied to the development of silicon photonic devices

Band-gap modification applied to the development of silicon photonic devices
带隙修改应用于硅光子器件的开发
批准号：
288302-2012
负责人：
Knights, Andrew
金额：
$2.4万
依托单位：
McMaster University
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
财政年份：
2012
资助国家：
加拿大
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-01-01 至 2013-12-31
来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=509680
关键词：
Bandgapmodificationapplieddevelopment

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
本提案涉及集成光电路（IOCs）的发展；具体地说，在硅衬底上以与用于微电子和纳米电子学生产的硅器件的制造相容的方式制造的那些。这一研究领域通常被称为“硅光子学”，有望实现具有光学和电子功能的高度集成设备。全球硅光子学的研究工作对信息传输、存储和处理等领域产生了持续的影响，如光互连、电信和传感。
英文摘要
This proposal relates to the development of integrated optical circuits (IOCs); specifically those fabricated on a silicon substrate in a manner which is compatible with the manufacture of silicon devices used in the production of micro- and nano-electronics. This area of research, commonly referred to as 'silicon photonics', promises highly integrated devices with both optical and electronic functionality. The global silicon photonics research effort has a continuing impact on information transfer, storage and processing in areas such as optical interconnects, telecommunications and sensing.
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会议论文
Materials and Device Development for Silicon-based Optoelectronics
  • 批准号：
    RGPIN-2017-04696
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $6.85万
  • 财政年份：
    2021
  • 负责人：
    Knights, Andrew
  • 依托单位：
    McMaster University
Strategies for the scalable fabrication, characterization and processing of graphene and other technologically important 2-D films
  • 批准号：
    536629-2018
  • 项目类别：
    Collaborative Research and Development Grants
  • 资助金额：
    $4.13万
  • 财政年份：
    2020
  • 负责人：
    Knights, Andrew
  • 依托单位：
    McMaster University
Materials and Device Development for Silicon-based Optoelectronics
  • 批准号：
    RGPIN-2017-04696
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $3.42万
  • 财政年份：
    2020
  • 负责人：
    Knights, Andrew
  • 依托单位：
    McMaster University
Materials and Device Development for Silicon-based Optoelectronics
  • 批准号：
    RGPIN-2017-04696
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $3.42万
  • 财政年份：
    2019
  • 负责人：
    Knights, Andrew
  • 依托单位：
    McMaster University
国内基金
海外基金
电针通过Gap junction/Cx43调控星形胶质细胞-神经元线粒体转移改善脑缺血再灌注损伤的机制研究
  • 批准号：
    JCZRLH202600366
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
  • 依托单位：
    十堰市人民医院
GAP43/Cx43响应机械应力促进隧道纳米管介导线粒体转移对VD海马神经元的保护机制及滋肾活血方干预作用
  • 批准号：
    2026JJ70068
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    谭惠中
  • 依托单位：
    湖南省中医药研究院
k-gap内电磁模式的定向辐射与增益机制
  • 批准号：
    12574326
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    53.00万元
  • 批准年份：
    2025
  • 负责人：
    程庆庆
  • 依托单位：
    上海理工大学
PPARγ/RAD21通过上调GAP43表达并抑制Rho/ROCK活性从而增强隧道纳米管(TNTs)介导的线粒体转移促进脑出血后神经保护及损伤修复的分子机制
  • 批准号：
    82560244
  • 项目类别：
    地区科学基金项目
  • 资助金额：
    32.00万元
  • 批准年份：
    2025
  • 负责人：
    伍国锋
  • 依托单位：
    贵州医科大学