DAMAGELESS ETCHING PROCESSES

无损蚀刻工艺

基本信息

  • 批准号:
    RGPIN-2016-03691
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.26万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    加拿大
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    加拿大
  • 起止时间:
    2017-01-01 至 2018-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Plasma etching used in micro and nano fabrication is required for precise patterning of various materials. However, it also induces damage at the surface of the etched materials. The exact impact of these modifications on devices properties is not fully understood yet.
在微米和纳米制造中使用的等离子体蚀刻需要用于各种材料的精确图案化。然而,它也会在蚀刻材料的表面处引起损伤。这些修改对器械性能的确切影响尚未完全了解。

项目成果

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Darnon, Maxime其他文献

Impact of low-k structure and porosity on etch processes
  • DOI:
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  • 通讯作者:
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  • 影响因子:
    1.4
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  • 通讯作者:
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Miniaturization of InGaP/InGaAs/Ge solar cells for micro-concentrator photovoltaics
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  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
    Darnon, Maxime
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  • 期刊:
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
    Zocco, Julien
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  • DOI:
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  • 发表时间:
    2015-05-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.4
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    Joubert, Olivier

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  • DOI:
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
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DAMAGELESS ETCHING PROCESSES
无损蚀刻工艺
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DAMAGELESS ETCHING PROCESSES
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  • 批准号:
    RGPIN-2016-03691
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 2.26万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
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知道了