DAMAGELESS ETCHING PROCESSES

无损蚀刻工艺

基本信息

  • 批准号:
    RGPIN-2016-03691
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.26万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    加拿大
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 财政年份:
    2021
  • 资助国家:
    加拿大
  • 起止时间:
    2021-01-01 至 2022-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Damage; Etching; III-V materials; Plasma; Silicon; superconducting materials
损伤;蚀刻; III-V族材料;等离子体;硅;超导材料

项目成果

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Darnon, Maxime其他文献

Impact of low-k structure and porosity on etch processes
  • DOI:
    10.1116/1.4770505
  • 发表时间:
    2013-01-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.4
  • 作者:
    Darnon, Maxime;Casiez, Nicolas;Licitra, Christophe
  • 通讯作者:
    Licitra, Christophe
Atomic-scale silicon etching control using pulsed Cl2 plasma
  • DOI:
    10.1116/1.4768717
  • 发表时间:
    2013-01-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.4
  • 作者:
    Petit-Etienne, Camille;Darnon, Maxime;Banna, Samer
  • 通讯作者:
    Banna, Samer
Miniaturization of InGaP/InGaAs/Ge solar cells for micro-concentrator photovoltaics
  • DOI:
    10.1002/pip.3421
  • 发表时间:
    2021-05-06
  • 期刊:
  • 影响因子:
    6.7
  • 作者:
    Albert, Pierre;Jaouad, Abdelatif;Darnon, Maxime
  • 通讯作者:
    Darnon, Maxime
Analysis of water adsorption in plasma-damaged porous low-k dielectric by controlled-atmosphere infrared spectroscopy
  • DOI:
    10.1116/1.4827252
  • 发表时间:
    2013-11-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.4
  • 作者:
    Darnon, Maxime;Chevolleau, Thierry;Zocco, Julien
  • 通讯作者:
    Zocco, Julien
Silicon etching in a pulsed HBr/O2 plasma. II. Pattern transfer
  • DOI:
    10.1116/1.4917231
  • 发表时间:
    2015-05-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.4
  • 作者:
    Haass, Moritz;Darnon, Maxime;Joubert, Olivier
  • 通讯作者:
    Joubert, Olivier

Darnon, Maxime的其他文献

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  • DOI:
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
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DAMAGELESS ETCHING PROCESSES
无损蚀刻工艺
  • 批准号:
    RGPIN-2016-03691
  • 财政年份:
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  • 资助金额:
    $ 2.26万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
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  • 资助金额:
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    2021
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    Alliance Grants
DAMAGELESS ETCHING PROCESSES
无损蚀刻工艺
  • 批准号:
    RGPIN-2016-03691
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 2.26万
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    Discovery Grants Program - Individual
Etude et développement d'une solution à faible empreinte carbone pour les stations de télécommunication (SAFE TELECOM)
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    558371-2020
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 2.26万
  • 项目类别:
    Alliance Grants
DAMAGELESS ETCHING PROCESSES
无损蚀刻工艺
  • 批准号:
    RGPIN-2016-03691
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 2.26万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
DAMAGELESS ETCHING PROCESSES
无损蚀刻工艺
  • 批准号:
    RGPIN-2016-03691
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 2.26万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
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  • 批准号:
    528817-2018
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 2.26万
  • 项目类别:
    Engage Grants Program
DAMAGELESS ETCHING PROCESSES
无损蚀刻工艺
  • 批准号:
    RGPIN-2016-03691
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 2.26万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
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    507222-2016
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  • 批准号:
    RGPIN-2016-03691
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 2.26万
  • 项目类别:
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DAMAGELESS ETCHING PROCESSES
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  • 批准号:
    RGPIN-2016-03691
  • 财政年份:
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  • 资助金额:
    $ 2.26万
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    Research Grants
DAMAGELESS ETCHING PROCESSES
无损蚀刻工艺
  • 批准号:
    RGPIN-2016-03691
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 2.26万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
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    2018
  • 资助金额:
    $ 2.26万
  • 项目类别:
    Standard Grant
DAMAGELESS ETCHING PROCESSES
无损蚀刻工艺
  • 批准号:
    RGPIN-2016-03691
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 2.26万
  • 项目类别:
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DAMAGELESS ETCHING PROCESSES
无损蚀刻工艺
  • 批准号:
    RGPIN-2016-03691
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 2.26万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
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作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了