Amorphous silicon plasma enhanced deposition system
非晶硅等离子体增强沉积系统
基本信息
- 批准号:140281-1993
- 负责人:
- 金额:$ 10.79万
- 依托单位:
- 依托单位国家:加拿大
- 项目类别:Research Tools and Instruments - Category 2 ($150,000 - $325,000)
- 财政年份:1992
- 资助国家:加拿大
- 起止时间:1992-01-01 至 1993-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
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项目成果
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Device theory design and modeling of semiconductor devices including fabrication process development
半导体器件的器件理论设计和建模,包括制造工艺开发
- 批准号:
7384-1993 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 10.79万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
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- 批准号:
7384-1993 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 10.79万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Device theory design and modeling of semiconductor devices including fabrication process development
半导体器件的器件理论设计和建模,包括制造工艺开发
- 批准号:
7384-1993 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 10.79万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Device theory design and modeling of semiconductor devices including fabrication process development
半导体器件的器件理论设计和建模,包括制造工艺开发
- 批准号:
7384-1993 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 10.79万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
ITAC/NSERC Award for Academic Excellence
ITAC/NSERC 学术卓越奖
- 批准号:
148319-1993 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 10.79万 - 项目类别:
Cooperative Activities
Research on MMOS, CMOS and CCD technologies including devices, circuits and fabrication
MMOS、CMOS 和 CCD 技术研究,包括器件、电路和制造
- 批准号:
7384-1990 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 10.79万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Research on MMOS, CMOS and CCD technologies including devices, circuits and fabrication
MMOS、CMOS 和 CCD 技术研究,包括器件、电路和制造
- 批准号:
7384-1990 - 财政年份:1991
- 资助金额:
$ 10.79万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
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用于强磁场的位置灵敏型探测器技术研究
- 批准号:11175200
- 批准年份:2011
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- 批准号:61006045
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- 批准年份:2007
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- 批准号:60606001
- 批准年份:2006
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- 项目类别:青年科学基金项目
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0700688 - 财政年份:2007
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Standard Grant
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- 批准号:
LE0561240 - 财政年份:2005
- 资助金额:
$ 10.79万 - 项目类别:
Linkage Infrastructure, Equipment and Facilities
Extremely High-Rate Deposition of High-Quality Amorphous Silicon Carbide Films
高质量非晶碳化硅薄膜的极高速率沉积
- 批准号:
13450058 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 10.79万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
A Combined Experimental and Theoretical Investigation of the Plasma-Surface Interactions in Plasma Deposition of Hydrogenated Amorphous and Nanocrystalline Silicon Films
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- 批准号:
0078711 - 财政年份:2000
- 资助金额:
$ 10.79万 - 项目类别:
Continuing Grant
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SiH4/H2/Ar 放电等离子体增强化学气相沉积氢化非晶硅和纳米晶硅薄膜的基础研究
- 批准号:
9713280 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 10.79万 - 项目类别:
Continuing Grant
CAREER: Plasma Chemical Vapor Deposition of Amorphous Silicon Thin Films near Room Temperature Using Inert Ion Enhanced Processes
职业:使用惰性离子增强工艺在室温附近进行等离子化学气相沉积非晶硅薄膜
- 批准号:
9624612 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 10.79万 - 项目类别:
Standard Grant
Fabrication of Stable Amorphous Silicon
稳定非晶硅的制备
- 批准号:
05044084 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 10.79万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for international Scientific Research
Decomposition of Water by Use of a Wet-Type Solar Cell Equipped with a Stacked Multilayer Amorphous Silicon Electrode
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- 批准号:
62430002 - 财政年份:1987
- 资助金额:
$ 10.79万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
Investigation of Behaviours of Electrons in Ultra-thin Amorphous Silicon Layer and their Device Applications
超薄非晶硅层中电子行为及其器件应用研究
- 批准号:
60460061 - 财政年份:1985
- 资助金额:
$ 10.79万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)