Silicon Carbide: surface reactivity and Nmr studies
碳化硅:表面反应性和核磁共振研究
基本信息
- 批准号:5512-1990
- 负责人:
- 金额:$ 1.09万
- 依托单位:
- 依托单位国家:加拿大
- 项目类别:Discovery Grants Program - Individual
- 财政年份:1991
- 资助国家:加拿大
- 起止时间:1991-01-01 至 1992-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
No summary - Aucun sommaire
没有总结- Aucun sommaire
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Hartman, JStephen其他文献
Hartman, JStephen的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Hartman, JStephen', 18)}}的其他基金
Impurity and inhomogeneity effects in ceramic and mineral NMR
陶瓷和矿物 NMR 中的杂质和不均匀性影响
- 批准号:
5512-1995 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Impurity and inhomogeneity effects in ceramic and mineral NMR
陶瓷和矿物 NMR 中的杂质和不均匀性影响
- 批准号:
5512-1995 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Impurity and inhomogeneity effects in ceramic and mineral NMR
陶瓷和矿物 NMR 中的杂质和不均匀性影响
- 批准号:
5512-1995 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Impurity and inhomogeneity effects in ceramic and mineral NMR
陶瓷和矿物 NMR 中的杂质和不均匀性影响
- 批准号:
5512-1995 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
77th Canadian Society Of Chemistry Conference And Exhibition: Symposium On Solid-State NMR, Winnipeg, Manitoba, May 29 - June 2, 1994
第 77 届加拿大化学学会会议暨展览:固体核磁共振研讨会,曼尼托巴省温尼伯,1994 年 5 月 29 日至 6 月 2 日
- 批准号:
157381-1994 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Conference Grants (H)
Impurity and interface effects in silicon carbide and mineral NMR
碳化硅和矿物 NMR 中的杂质和界面效应
- 批准号:
5512-1992 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Impurity and interface effects in silicon carbide and mineral NMR
碳化硅和矿物 NMR 中的杂质和界面效应
- 批准号:
5512-1992 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Impurity and interface effects in silicon carbide and mineral NMR
碳化硅和矿物 NMR 中的杂质和界面效应
- 批准号:
5512-1992 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Silicon carbide based composite materials: abrasive-incorporated polymers
碳化硅基复合材料:掺入磨料的聚合物
- 批准号:
101217-1990 - 财政年份:1991
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Collaborative Research and Development Grants - Government (H)
相似海外基金
Peeling of Nano-Particle (PNP) process for localized material removing on a silicon carbide (SiC) surface by controlling of magnetic field
通过控制磁场来去除碳化硅 (SiC) 表面上的局部材料的纳米粒子 (PNP) 剥离工艺
- 批准号:
21J14569 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Design of Silicon Carbide Surface-Micromachined Capacitive-based Transducers for Non-Destructive Testing Applications
用于无损检测应用的碳化硅表面微机械电容式传感器的设计
- 批准号:
508361-2017 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Engage Plus Grants Program
Design of Silicon Carbide Surface-Micromachined Capacitive-based Transducers for Non-Destructive Testing Applications
用于无损检测应用的碳化硅表面微机械电容式传感器的设计
- 批准号:
489265-2015 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Engage Grants Program
In-situ observation of the graphene through the thermal decomposition of silicon carbide by shcrotron surface x-ray difraction
通过加速器表面X射线衍射对碳化硅热分解石墨烯进行原位观察
- 批准号:
26790045 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Investigation of Ultraprecision Surface Creation and Subsurface Damage Evolution in Silicon Carbide
碳化硅超精密表面生成和次表面损伤演化的研究
- 批准号:
233650219 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Research Grants
Surface Chemical Functionalization of Technologically Important Semiconductors: Silicon, Germanium, and Silicon Carbide
具有重要技术意义的半导体的表面化学功能化:硅、锗和碳化硅
- 批准号:
0827634 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Continuing Grant
Source of surface defects in silicon carbide epitaxial files and their elimination method
碳化硅外延锉表面缺陷的来源及消除方法
- 批准号:
16560009 - 财政年份:2004
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Surface Chemical Functionalization of Technologically Important Semiconductors: Silicon, Germanium, and Silicon Carbide
具有重要技术意义的半导体的表面化学功能化:硅、锗和碳化硅
- 批准号:
0415652 - 财政年份:2004
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Continuing Grant
Anisotropy of silicon carbide crystal : Approaches in terms of surface process and high-temperature oxidation
碳化硅晶体的各向异性:表面处理和高温氧化方面的方法
- 批准号:
14550696 - 财政年份:2002
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Analysis of The Initial Growth Process of Carbon Nanotubes on The Silicon Carbide Surface and Control Their Formation by The Surface Modification
碳纳米管在碳化硅表面的初始生长过程分析及表面改性控制其形成
- 批准号:
13650028 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 1.09万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)














{{item.name}}会员




